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稀土氧化物CeO2對(duì)PEG基MEMS封裝材料陽極鍵合性能的影響
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稀土氧化物CeO2對(duì)PEG基MEMS封裝材料陽極鍵合性能的影響.pdf

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嘉賓:于秀秀      單位:太原科技大學(xué)      行業(yè):冶金行業(yè)      所屬會(huì)議:異質(zhì)材料焊接與連接第四屆學(xué)術(shù)會(huì)議      地點(diǎn):重慶 - 重慶

本研究制備了含稀土氧化物(CeO2)的固體聚合物電解質(zhì)導(dǎo)電材料。當(dāng)材料中CeO2含量為8wt.%時(shí),材料的結(jié)晶度大大降低,材料內(nèi)部的無定形區(qū)域增加,有效地促進(jìn)了離子傳輸,提高了離子電導(dǎo)率,增加了鍵合過程的峰值電流,提高了鍵合效率。 (PEG)10LiClO4-8%wt.CeO2和鋁箔的鍵合界面清晰,無氣孔或缺陷,鍵合界面抗拉強(qiáng)度達(dá)到8.32MPa,拉伸斷裂發(fā)生在鍵合母材處。因此,本研究制備的固體聚合物電解質(zhì)具有良好的鍵合性能,陽   展開更多+

本研究制備了含稀土氧化物(CeO2)的固體聚合物電解質(zhì)導(dǎo)電材料。當(dāng)材料中CeO2含量為8wt.%時(shí),材料的結(jié)晶度大大降低,材料內(nèi)部的無定形區(qū)域增加,有效地促進(jìn)了離子傳輸,提高了離子電導(dǎo)率,增加了鍵合過程的峰值電流,提高了鍵合效率。 (PEG)10LiClO4-8%wt.CeO2和鋁箔的鍵合界面清晰,無氣孔或缺陷,鍵合界面抗拉強(qiáng)度達(dá)到8.32MPa,拉伸斷裂發(fā)生在鍵合母材處。因此,本研究制備的固體聚合物電解質(zhì)具有良好的鍵合性能,陽極鍵合后可形成理想的鍵合界面。   收起+

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