近日，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目迎來了重要里程碑——首批生產(chǎn)設(shè)備正式入駐光谷科學(xué)島，標(biāo)志著該項(xiàng)目正加速推進(jìn)，步入實(shí)質(zhì)性建設(shè)階段。

據(jù)了解，這批入駐的設(shè)備覆蓋了芯片制造的全鏈條，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)的量產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積更是高達(dá)30.15萬平方米。項(xiàng)目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與生產(chǎn)，建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等，規(guī)模宏大，設(shè)施完善。

預(yù)計(jì)到2025年5月，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線，屆時(shí)將年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個(gè)功率器件模塊，這些產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等前沿領(lǐng)域，為推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

值得一提的是，近期除了長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地外，還有多個(gè)碳化硅芯片/模塊項(xiàng)目也取得了顯著進(jìn)展。例如，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司的碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已經(jīng)通過驗(yàn)收，新增了一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品，年產(chǎn)能達(dá)到MOSFET芯片和SBD芯片各28.8萬片。另外，瑞福芯科技的“車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”也正式落地東臺(tái)高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，投資規(guī)模在10-15億元之間，分兩期實(shí)施，首期投資已達(dá)3億元。

這些項(xiàng)目的順利推進(jìn)，無疑將為中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。