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位置:中冶有色 > 有色產(chǎn)品 >
礦山設(shè)備
冶金設(shè)備
材料制備及加工設(shè)備
環(huán)境保護設(shè)備
分析檢測設(shè)備
材料
物理檢測設(shè)備
化學(xué)分析設(shè)備
力學(xué)檢測設(shè)備
無損檢測設(shè)備
失效分析設(shè)備
環(huán)境檢測設(shè)備
> 無損檢測設(shè)備
> (霍爾)遷移率
利用微波源發(fā)射微波通過波導(dǎo)將微波傳輸至測試樣品表面,在磁場作用下具有不同遷移率的樣品對微波的反射效果不同,
通過探測反射的微波功率再將其轉(zhuǎn)化為對應(yīng)的電導(dǎo)張量,從而建立模型可以計算出HEMT 結(jié)構(gòu)的載流子濃度和遷移率。
標題:(霍爾)遷移率