（霍爾）遷移率 1360     

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設(shè)備主要利用微波測(cè)試原理，非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試， 亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，具有快速，無(wú)損，準(zhǔn)確等優(yōu)勢(shì)，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。 特點(diǎn) 適用于遷移率量測(cè)范圍在100cm2/V ? s～3000cm2/V ? s 的射頻HEMT外延片。非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快， 重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接測(cè)試產(chǎn)品片等優(yōu)點(diǎn)。

方阻(電阻率)測(cè)試儀(片與錠） 1409     

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設(shè)備主要利用渦電流測(cè)試原理，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料，石墨烯，透明導(dǎo)電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）。 可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。 本儀器為非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快，重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接測(cè)試產(chǎn)品片。

非接觸式無(wú)損檢測(cè)設(shè)備 1374     

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非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀、方阻測(cè)試儀、硅片電阻率測(cè)試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀、遷移率(霍爾)測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚度測(cè)試儀、表面光電壓儀JPV\SPV.汞CV. ECV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。 憑借技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，申請(qǐng)各項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)17余項(xiàng),已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。