本發(fā)明涉及一種基于軋膜工藝的PZT基反鐵電材料及其制備方法,所述的材料是以
鈣鈦礦結(jié)構(gòu)PZT體系為基體,將La和Sn分別部分代替Pb和Zr進(jìn)入基體,化學(xué)成分符合化學(xué)通式(Pb1?aLa2a/3)(Zr1?x?ySnxTiy)O3,其中,a的取值范圍為0<a≤0.06,x的取值范圍為0<x<1.0,y的取值范圍為0<y<1.0;制備方法主要步驟包括粉體和粘結(jié)劑制備、配料、混煉、粗軋、精軋和膜切,最后排膠、燒結(jié),根據(jù)需要鍍或者濺射不同電極或疊層。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制備的反鐵電材料具有很高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)(≥200kV/cm)和
儲(chǔ)能密度(2J/cm3?4.2J/cm3),制備工藝簡(jiǎn)單,操作簡(jiǎn)便,成本較低,適合工業(yè)生產(chǎn)。
聲明:
“基于軋膜工藝的PZT基反鐵電材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)