權(quán)利要求書： 1.一種電解處理裝置，對(duì)被處理基板進(jìn)行電解處理，其特征在于，具備：基板保持部，其具有間接陰極和絕緣性的保持基體，該保持基體用于保持所述被處理基板，該間接陰極設(shè)置在所述保持基體的內(nèi)部且經(jīng)由所述保持基體向與所述被處理基板相接的電解液施加負(fù)電壓；以及

電解處理部，其以面對(duì)所述基板保持部的方式設(shè)置，直接地向所述被處理基板以及所述電解液施加電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解處理裝置，其特征在于，向所述間接陰極施加固定值的負(fù)電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電解處理裝置，其特征在于，所述電解處理部具有：絕緣性的基體；以及

間接陽(yáng)極，其設(shè)置在所述基體的內(nèi)部且經(jīng)由所述基體向所述電解液施加正電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電解處理裝置，其特征在于，向所述間接陽(yáng)極施加固定值的正電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電解處理裝置，其特征在于，所述電解處理部具有：直接電極，其面對(duì)所述被處理基板且與所述電解液直接接觸；以及接觸端子，其與所述被處理基板直接接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電解處理裝置，其特征在于，向所述直接電極施加脈沖狀的正電壓，向所述接觸端子施加脈沖狀的負(fù)電壓。

7.一種電解處理方法，使用電解處理裝置來(lái)對(duì)被處理基板進(jìn)行電解處理，所述電解處理裝置具備：基板保持部，其具有間接陰極和絕緣性的保持基體，該保持基體用于保持所述被處理基板，該間接陰極設(shè)置在所述保持基體的內(nèi)部且經(jīng)由所述保持基體向與所述被處理基板相接的電解液施加負(fù)電壓；以及電解處理部，其以面對(duì)所述基板保持部的方式設(shè)置，直接地向所述被處理基板以及所述電解液施加電壓，所述電解處理方法的特征在于，包括以下工序：

保持工序，利用所述基板保持部來(lái)保持所述被處理基板；

盛放工序，向所述被處理基板盛放所述電解液；

負(fù)電壓施加工序，向所述間接陰極施加負(fù)電壓；以及電解處理工序，利用所述電解處理部向所述被處理基板和所述電解液施加電壓。

8.一種電解處理方法，使用電解處理裝置來(lái)對(duì)被處理基板進(jìn)行電解處理，所述電解處理裝置具備：基板保持部，其具有間接陰極和絕緣性的保持基體，該保持基體用于保持所述被處理基板，該間接陰極設(shè)置在所述保持基體的內(nèi)部且經(jīng)由所述保持基體向與所述被處理基板相接的電解液施加負(fù)電壓；以及電解處理部，其以面對(duì)所述基板保持部的方式設(shè)置，所述電解處理部具有間接陽(yáng)極和絕緣性的基體，該間接陽(yáng)極設(shè)置在所述基體的內(nèi)部且經(jīng)由所述基體向所述電解液施加正電壓，所述電解處理部直接地向所述被處理基板以及所述電解液施加電壓，所述電解處理方法的特征在于，包括以下工序：保持工序，利用所述基板保持部來(lái)保持所述被處理基板；

盛放工序，向所述被處理基板盛放所述電解液；

負(fù)電壓施加工序，向所述間接陰極施加負(fù)電壓；

正電壓施加工序，向所述間接陽(yáng)極施加正電壓；以及電解處理工序，利用所述電解處理部向所述被處理基板和所述電解液施加電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電解處理方法，其特征在于，所述電解處理部具有：直接電極，其面對(duì)所述被處理基板且與所述電解液直接接觸；以及接觸端子，其與所述被處理基板直接接觸，在所述盛放工序之后，進(jìn)行使所述接觸端子與所述被處理基板接觸的端子接觸工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電解處理方法，其特征在于，在所述端子接觸工序之后進(jìn)行的所述電解處理工序中，向所述直接電極施加脈沖狀的正電壓，并且向所述接觸端子施加脈沖狀的負(fù)電壓。

說(shuō)明書： 電解處理裝置和電解處理方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 公開的實(shí)施方式涉及一種電解處理裝置和電解處理方法。背景技術(shù)[0002] 以往，已知一種一邊使作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下稱為晶圓)與電解液接觸一邊進(jìn)行電解處理來(lái)對(duì)晶圓的表面進(jìn)行處理的方法。作為該電解處理，例如可以列舉一邊使晶

圓與電鍍液接觸一邊進(jìn)行電解處理來(lái)在晶圓的表面形成鍍膜的電鍍處理(例如參照專利文

獻(xiàn)1)。

[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)[0004] 專利文獻(xiàn)[0005] 專利文獻(xiàn)1：日本特開2004?250747號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容[0006] 發(fā)明要解決的問(wèn)題[0007] 然而，在以往的電鍍處理中，形成于晶圓的通孔的底面距以與晶圓的表面相向的方式設(shè)置的直接電極的距離比晶圓的表面距該直接電極的距離更遠(yuǎn)，因此通孔的底面的電

場(chǎng)強(qiáng)度比晶圓的表面的電場(chǎng)強(qiáng)度小。因而，鍍膜在通孔的底面的生長(zhǎng)速度比在晶圓的表面

的生長(zhǎng)速度慢，因此存在以下?lián)鷳n：在通孔的內(nèi)部被鍍膜填埋之前通孔的開口部就已被鍍

膜堵塞，從而無(wú)法利用鍍膜將通孔的內(nèi)部填埋。

[0008] 實(shí)施方式的一個(gè)方式是鑒于上述的問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種能夠利用鍍膜將形成于晶圓的通孔良好地填埋的電解處理裝置和電解處理方法。

[0009] 用于解決問(wèn)題的方案[0010] 實(shí)施方式的一個(gè)方式所涉及的電解處理裝置是對(duì)被處理基板進(jìn)行電解處理的電解處理裝置，其具備基板保持部和電解處理部。所述基板保持部具有間接陰極和絕緣性的

保持基體，該保持基體用于保持所述被處理基板，該間接陰極設(shè)置在所述保持基體的內(nèi)部

且被施加負(fù)電壓。所述電解處理部以面對(duì)所述基板保持部的方式設(shè)置，向所述被處理基板

以及與所述被處理基板相接的電解液施加電壓。

[0011] 發(fā)明的效果[0012] 根據(jù)實(shí)施方式的一個(gè)方式，能夠利用鍍膜將形成于晶圓的通孔良好地填埋。附圖說(shuō)明[0013] 圖1是示出第一實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置的結(jié)構(gòu)的概要的圖。[0014] 圖2A是示意性地表示參考例中的晶圓處的電場(chǎng)強(qiáng)度的放大截面圖。[0015] 圖2B是示意性地示出第一實(shí)施方式所涉及的晶圓處的電場(chǎng)強(qiáng)度的放大截面圖。[0016] 圖3A是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板保持處理和盛放處理的概要的圖。[0017] 圖3B是示出第一實(shí)施方式所涉及的盛放處理后的狀態(tài)的圖。[0018] 圖3C是示出第一實(shí)施方式所涉及的端子接觸處理的概要的圖。[0019] 圖3D是示出第一實(shí)施方式所涉及的負(fù)電壓施加處理的概要的圖。[0020] 圖3E是示出第一實(shí)施方式所涉及的電解處理的概要的圖。[0021] 圖4是表示第一實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置的電解處理中的處理過(guò)程的流程圖。

[0022] 圖5是示出第二實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置的結(jié)構(gòu)的概要的圖。[0023] 圖6A是示出第二實(shí)施方式所涉及的負(fù)電壓施加處理和正電壓施加處理的概要的圖。

[0024] 圖6B是示出第二實(shí)施方式所涉及的電解處理的概要的圖。[0025] 圖7是表示第二實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置的電解處理中的處理過(guò)程的流程圖。

具體實(shí)施方式[0026] 下面，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本申請(qǐng)所公開的電解處理裝置和電解處理方法的各實(shí)施方式。此外，本發(fā)明不限于以下示出的各實(shí)施方式。

[0027] ＜第一實(shí)施方式＞[0028] 首先，參照?qǐng)D1對(duì)第一實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是示出第一實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1的結(jié)構(gòu)的概要的圖。

[0029] 在該電解處理裝置1中，作為電解處理，對(duì)作為被處理基板的半導(dǎo)體晶圓W(以下稱為“晶圓W”)進(jìn)行電鍍處理。此外，在以下的說(shuō)明中使用的附圖中，優(yōu)先考慮使技術(shù)易于理

解，因此各結(jié)構(gòu)要素的尺寸不一定與實(shí)際的尺寸對(duì)應(yīng)。

[0030] 電解處理裝置1具備基板保持部10和電解處理部20。電解處理裝置1還具備間接電壓施加部30、直接電壓施加部40以及噴嘴50。

[0031] 基板保持部10具有保持晶圓W的功能?；灞３植?0具有保持基體11、間接陰極12以及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13。

[0032] 保持基體11例如是保持晶圓W并使該晶圓W旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤。保持基體11為大致圓盤狀，具有沿水平方向延展的上表面11a，在俯視時(shí)該上表面11a的直徑比晶圓W的直徑大。

在該上表面11a例如設(shè)置有用于吸引晶圓W的吸引口(未圖示)，通過(guò)從該吸引口對(duì)晶圓W進(jìn)

行吸引，能夠?qū)⒕AW保持在保持基體11的上表面11a。

[0033] 保持基體11由絕緣性材料構(gòu)成，在該保持基體11的內(nèi)部設(shè)置有由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的間接陰極12。即，間接陰極12不暴露在外部。間接陰極12與后述的間接電壓施加部30連

接，從而能夠施加規(guī)定的負(fù)電壓。

[0034] 間接陰極12以與被保持于保持基體11的上表面11a的晶圓W大致平行的方式配置。在俯視時(shí)間接陰極12例如具有與后述的直接電極22相同程度的大小。

[0035] 在基板保持部10還設(shè)置有具備馬達(dá)等的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13，該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13能夠使保持基體11以規(guī)定的速度旋轉(zhuǎn)。另外，在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13還設(shè)置有汽缸等升降驅(qū)動(dòng)部(未圖示)，該升降

驅(qū)動(dòng)部能夠使保持基體11沿鉛垂方向移動(dòng)。

[0036] 在此前所說(shuō)明的基板保持部10的上方，以面對(duì)保持基體11的上表面11a的方式設(shè)置有電解處理部20。電解處理部20具有基體21、直接電極22、接觸端子23以及移動(dòng)機(jī)構(gòu)24。

[0037] 基體21由絕緣性材料構(gòu)成?；w21為大致圓盤狀，具有在俯視時(shí)直徑比晶圓W的直徑大的下表面21a以及設(shè)置于與下表面21a相反的一側(cè)的上表面21b。

[0038] 直接電極22由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，設(shè)置于基體21的下表面21a。直接電極22以與被基板保持部10保持的晶圓W大致平行地面對(duì)的方式配置。而且，在進(jìn)行電鍍處理時(shí)，直接電極

22與晶圓W上盛放(日語(yǔ)：液盛り)的電鍍液M(參照?qǐng)D3C)直接接觸。

[0039] 接觸端子23在基體21的邊緣部以從下表面21a突出的方式設(shè)置。接觸端子23由具有彈性的導(dǎo)電體構(gòu)成，朝向下表面21a的中心部彎曲。

[0040] 接觸端子23在基體21設(shè)置有兩個(gè)以上，例如在基體21設(shè)置有32個(gè)，并且在俯視時(shí)接觸端子23以均等間隔配置在基體21的同心圓上。而且，所有的接觸端子23的前端部以由

該前端部構(gòu)成的虛擬面與被基板保持部10保持的晶圓W的表面大致平行的方式配置。

[0041] 而且，在進(jìn)行電鍍處理時(shí)，接觸端子23與晶圓W的外周部接觸(參照?qǐng)D3C)，向該晶圓W施加電壓。此外，接觸端子23的數(shù)量和形狀不限于上述實(shí)施方式。

[0042] 直接電極22及接觸端子23與后述的直接電壓施加部40連接，能夠向與直接電極22及接觸端子23分別接觸的電鍍液M及晶圓W施加規(guī)定的電壓。

[0043] 在基體21的上表面21b側(cè)設(shè)置有移動(dòng)機(jī)構(gòu)24。移動(dòng)機(jī)構(gòu)24例如具有汽缸等升降驅(qū)動(dòng)部(未圖示)。而且，移動(dòng)機(jī)構(gòu)24能夠通過(guò)該升降驅(qū)動(dòng)部使電解處理部20整體沿鉛垂方向

移動(dòng)。

[0044] 間接電壓施加部30具有直流電源31和開關(guān)32，并且與基板保持部10的間接陰極12連接。具體地說(shuō)，直流電源31的負(fù)極側(cè)經(jīng)由開關(guān)32而與間接陰極12連接，并且直流電源31的

正極側(cè)接地。

[0045] 而且，通過(guò)將開關(guān)32控制為接通狀態(tài)，間接電壓施加部30能夠向間接陰極12施加規(guī)定的負(fù)電壓。

[0046] 直接電壓施加部40具有直流電源41、開關(guān)42、43以及負(fù)載電阻44，并與電解處理部20的直接電極22及接觸端子23連接。具體地說(shuō)，直流電源41的正極側(cè)經(jīng)由開關(guān)42而與直接

電極22連接，并且直流電源41的負(fù)極側(cè)經(jīng)由開關(guān)43及負(fù)載電阻44而與多個(gè)接觸端子23連

接。此外，直流電源41的負(fù)極側(cè)接地。

[0047] 而且，通過(guò)將開關(guān)42、43同時(shí)切換為接通狀態(tài)或斷開狀態(tài)，直接電壓施加部40能夠向直接電極22和接觸端子23施加脈沖狀的電壓。

[0048] 在此，參照?qǐng)D2A和圖2B來(lái)對(duì)第一實(shí)施方式中的向通孔70埋入鍍膜60的效果進(jìn)行說(shuō)明。圖2A是示意性地表示參考例中的晶圓W處的電場(chǎng)強(qiáng)度的放大截面圖。如圖2A所示，在晶

圓W的表面形成有通孔70，在晶圓W的表面形成有晶種層71。

[0049] 如圖2A所示，在電解處理裝置1沒(méi)有設(shè)置間接陰極12的情況下，在將施加于直接電極22的電壓設(shè)為a()、將施加于接觸端子23的電壓設(shè)為0()、將直接電極22與晶圓W的表

面之間的距離設(shè)為L(zhǎng)(cm)時(shí)，形成于晶圓W的表面的電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度EA為EA＝a/L(/cm)。

[0050] 另一方面，在將通孔70的深度設(shè)為D(cm)的情況下，形成于通孔70的底面的電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度EB為EB＝a/(L+D)(/cm)。

[0051] 在此，例如在設(shè)為a＝40()、L＝1(mm)、D＝50(μm)的情況下，EA＝400(/cm)，EB＝381(/cm)，因此形成于通孔70的底面的電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度EB小于形成于晶圓W的表面的電

場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度EA。

[0052] 即，由于流過(guò)通孔70的底面的電流比流過(guò)晶圓W的表面的電流小，因此鍍膜60在通孔70的底面的生長(zhǎng)速度比在晶圓W的表面的生長(zhǎng)速度慢。因而，存在以下?lián)鷳n：在通孔70的

內(nèi)部被鍍膜60填埋之前通孔70的開口部就已被鍍膜60堵塞，從而無(wú)法利用鍍膜60將通孔70

的內(nèi)部全部填埋。

[0053] 接著，對(duì)第一實(shí)施方式所涉及的電解處理中的晶圓W處的電場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行說(shuō)明。圖2B是示意性地表示第一實(shí)施方式所涉及的晶圓W處的電場(chǎng)強(qiáng)度的放大截面圖。此外，在圖2B

中，作為一例示出了將間接陰極12以與晶圓W的背面之間無(wú)間隔的方式配置并將晶圓W設(shè)為

浮置(日語(yǔ)：フローティング)狀態(tài)的情況。

[0054] 如圖2B所示，在電解處理裝置1設(shè)置有間接陰極12的情況下，在將施加于間接陰極12的電壓設(shè)為?b()、將晶圓W的厚度設(shè)為T(cm)時(shí)，形成于晶圓W的表面的電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度

EA為EA＝(a+b)/(L+T)(/cm)。

[0055] 而且，形成于通孔70的底面的電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度EB也同樣為EB＝(a+b)/(L+T)(/cm)。即，在第一實(shí)施方式中，通過(guò)在基板保持部10設(shè)置間接陰極12并向該間接陰極12施加

負(fù)電壓，能夠使晶圓W的表面的電場(chǎng)強(qiáng)度與通孔70的底面的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。

[0056] 由此，能夠使鍍膜60在晶圓W的生長(zhǎng)速度與鍍膜60在通孔70的生長(zhǎng)速度一致，因此能夠抑制在通孔70的內(nèi)部被鍍膜60填埋之前通孔70的開口部被鍍膜60堵塞。因而，根據(jù)第

一實(shí)施方式，能夠利用鍍膜60將形成于晶圓W的通孔70良好地填埋。

[0057] 返回圖1，對(duì)電解處理裝置1的其它部位進(jìn)行說(shuō)明。在基板保持部10與電解處理部20之間設(shè)置有向晶圓W上供給電鍍液M的噴嘴50。針對(duì)該噴嘴50設(shè)置有移動(dòng)機(jī)構(gòu)51，能夠通

過(guò)該移動(dòng)機(jī)構(gòu)51使噴嘴50沿水平方向和鉛垂方向移動(dòng)。即，噴嘴50構(gòu)成為相對(duì)于基板保持

部10進(jìn)退自如。

[0058] 另外，噴嘴50構(gòu)成為：與貯存電鍍液M的電鍍液供給源(未圖示)連通，能夠從該電鍍液供給源向噴嘴50供給電鍍液M。此外，在本實(shí)施方式中，使用噴嘴50向晶圓W上供給電鍍

液M，但向晶圓W上供給電鍍液M的部件不限于噴嘴，能夠使用其它的各種部件。

[0059] 在此前所說(shuō)明的電解處理裝置1設(shè)置有控制部(未圖示)。該控制部例如是計(jì)算機(jī)，具有存儲(chǔ)部(未圖示)。

[0060] 控制部包括微計(jì)算機(jī)、各種電路，該微計(jì)算機(jī)具有CPU(CentralProcessingUnit：中央處理器)、ROM(ReadOnlyMemory：只讀存儲(chǔ)器)、RAM(RandomAccessMemory：隨

機(jī)存取存儲(chǔ)器)、輸入輸出端口等。該微計(jì)算機(jī)的CPU通過(guò)讀取并執(zhí)行ROM中存儲(chǔ)的程序來(lái)實(shí)

現(xiàn)對(duì)電解處理裝置1的各結(jié)構(gòu)要素進(jìn)行的各種控制。

[0061] 此外，該程序可以記錄在可由計(jì)算機(jī)讀取的記錄介質(zhì)中，并從該記錄介質(zhì)安裝至存儲(chǔ)部中。作為可由計(jì)算機(jī)讀取的記錄介質(zhì)，例如有硬盤(HD)、軟盤(FD)、壓縮光盤(CD)、磁

光盤(MO)、存儲(chǔ)卡等。

[0062] 存儲(chǔ)部例如通過(guò)RAM、閃存(FlashMemory)等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件或硬盤、光盤等存儲(chǔ)裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。

[0063] ＜電鍍處理的詳情＞[0064] 接著，參照?qǐng)D3A～圖3E，對(duì)第一實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1中的作為電解處理的一例的電鍍處理的詳情進(jìn)行說(shuō)明。在第一實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1的電鍍處

理中，首先，進(jìn)行基板保持處理和盛放處理。圖3A是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板保持處

理和盛放處理的概要的圖。

[0065] 首先，使用未圖示的搬送機(jī)構(gòu)將晶圓W搬送并載置于基板保持部10的保持基體11的上表面11a。然后，電解處理裝置1例如進(jìn)行通過(guò)從形成于上表面11a的吸引口進(jìn)行吸引來(lái)

將所載置的晶圓W保持于基板保持部10的基板保持處理。

[0066] 此外，在該基板保持處理之前，在晶圓W的表面形成通孔70(參照?qǐng)D2B)，并且自下而上地依次形成SiO2等的絕緣層(未圖示)、Ta、Ti等的阻擋層(未圖示)、以及Cu、Co、Ru等的

晶種層71(參照?qǐng)D2B)。此外，在形成Cu膜來(lái)作為鍍膜60(參照?qǐng)D3E)的情況下，優(yōu)選使用Ta來(lái)

形成阻擋層，使用Cu來(lái)形成晶種層71。

[0067] 繼基板保持處理之后，在電解處理裝置1中進(jìn)行盛放處理。具體地說(shuō)，首先，使用移動(dòng)機(jī)構(gòu)51使噴嘴50移動(dòng)至被基板保持部10保持的晶圓W的中心部的上方。接著，一邊利用驅(qū)

動(dòng)機(jī)構(gòu)13使晶圓W旋轉(zhuǎn)，一邊從噴嘴50向晶圓W的中心部供給電鍍液M。

[0068] 在此，所供給的電鍍液M通過(guò)離心力而在晶圓W的整個(gè)表面上擴(kuò)散，并在晶圓W的上表面內(nèi)均勻地?cái)U(kuò)散。然后，如圖3B所示，當(dāng)停止從噴嘴50供給電鍍液M并使晶圓W停止旋轉(zhuǎn)

時(shí)，電鍍液M通過(guò)電鍍液M的表面張力盛放在晶圓W上。圖3B是示出第一實(shí)施方式所涉及的盛

放處理后的狀態(tài)的圖。

[0069] 例如，在形成Cu膜來(lái)作為鍍膜60的情況下，使電鍍液M中包含銅離子C(參照?qǐng)D3D)和硫酸離子S(參照?qǐng)D3D)即可。另外，進(jìn)行盛放處理后的電鍍液M的厚度例如約為1mm～5mm

即可。

[0070] 此外，在盛放處理中，在向晶圓W供給電鍍液M之后，使用移動(dòng)機(jī)構(gòu)51使噴嘴50從晶圓W的上方離開。另外，在此前所說(shuō)明的基板保持處理和盛放處理中，電解處理部20與基板

保持部10相分離地配置。

[0071] 繼盛放處理之后，在電解處理裝置1中進(jìn)行端子接觸處理。具體地說(shuō)，利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)24使電解處理部20整體靠近被基板保持部10保持的晶圓W，如圖3C所示，使接觸端子23的

頂端部與晶圓W的外周部接觸。圖3C是示出第一實(shí)施方式所涉及的端子接觸處理的概要的

圖。

[0072] 此外，在該端子接觸處理中，如圖3C所示，使直接電極22與盛放在晶圓W上的電鍍液M直接接觸。換句話說(shuō)，適當(dāng)控制電鍍液M的厚度來(lái)執(zhí)行上述的盛放處理，以在接觸端子23

與晶圓W接觸時(shí)使電鍍液M與直接電極22直接接觸即可。

[0073] 此外，在上述的端子接觸處理中，利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)24使電解處理部20整體靠近晶圓W，來(lái)使接觸端子23與晶圓W接觸，但也可以利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)13使保持基體11靠近電解處理部

20，來(lái)使接觸端子23與晶圓W接觸。

[0074] 繼端子接觸處理之后，在電解處理裝置1中進(jìn)行負(fù)電壓施加處理。具體地說(shuō)，如圖3D所示，將間接電壓施加部30的開關(guān)32從斷開狀態(tài)變更為接通狀態(tài)，來(lái)將直流電源31的負(fù)

極側(cè)與間接陰極12設(shè)為連接狀態(tài)，由此向間接陰極12施加規(guī)定的負(fù)電壓。圖3D是示出第一

實(shí)施方式所涉及的負(fù)電壓施加處理的概要的圖。

[0075] 通過(guò)該負(fù)電壓施加處理，來(lái)在電鍍液M的內(nèi)部形成電場(chǎng)，因此，如圖3D所示，能夠使作為正的帶電粒子的銅離子C聚集在晶圓W的表面?zhèn)?，并且能夠使作為?fù)的帶電粒子的硫酸

離子S聚集在直接電極22側(cè)。

[0076] 此外，在負(fù)電壓施加處理中，為了避免直接電極22成為陰極、晶圓W成為陽(yáng)極，而將直接電壓施加部40的開關(guān)42和開關(guān)43均控制為斷開狀態(tài)，來(lái)將直接電極22與接觸端子23設(shè)

為電浮置狀態(tài)。

[0077] 由此，在直接電極22的表面和晶圓W的表面均能夠抑制電荷交換，因此通過(guò)靜電場(chǎng)被吸引的帶電粒子排列在電極表面。即，通過(guò)負(fù)電壓施加處理，來(lái)使銅離子C聚集在晶圓W的

表面并均勻地排列。

[0078] 繼負(fù)電壓施加處理之后，在電解處理裝置1中進(jìn)行電解處理。具體地說(shuō)，如圖3E所示，將直接電壓施加部40的開關(guān)42和開關(guān)43同時(shí)從斷開狀態(tài)變更為接通狀態(tài)。由此，以將直

接電極22設(shè)為陽(yáng)極、將晶圓W設(shè)為陰極的方式向晶圓W和電鍍液M施加電壓，來(lái)使直接電極22

與晶圓W之間流通電流。圖3E是示出第一實(shí)施方式所涉及的電解處理的概要的圖。

[0079] 由此，進(jìn)行在晶圓W的表面均勻地排列的銅離子C的電荷交換，銅離子C被還原，如圖3E所示，在晶圓W的表面析出鍍膜60。此外，雖未圖示，但此時(shí)硫酸離子S通過(guò)直接電極22

而被氧化。

[0080] 這樣，根據(jù)第一實(shí)施方式，銅離子C以在晶圓W的表面聚集并均勻排列的狀態(tài)被還原，因此能夠在晶圓W的表面均勻地析出鍍膜60。因而，根據(jù)第一實(shí)施方式，能夠提高鍍膜60

中的晶體的密度，因此能夠在晶圓W的表面形成高質(zhì)量的鍍膜60。

[0081] 圖4是表示第一實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1的電解處理中的處理過(guò)程的流程圖。此外，控制部讀取存儲(chǔ)部中保存的程序，并且控制部基于讀取出的命令來(lái)控制基板保

持部10、電解處理部20、間接電壓施加部30、直流電壓施加部40以及噴嘴50等，由此執(zhí)行圖4

所示的電解處理裝置1的電解處理。

[0082] 首先，使用未圖示的搬送機(jī)構(gòu)將晶圓W搬送并載置于基板保持部10。然后，控制部控制基板保持部10，來(lái)進(jìn)行將所載置的晶圓W保持于基板保持部10的基板保持處理(步驟

S101)。接著，控制部控制噴嘴50和基板保持部10，來(lái)對(duì)晶圓W進(jìn)行電鍍液M的盛放處理(步驟

S102)。

[0083] 在盛放處理中，首先，使噴嘴50進(jìn)入被基板保持部10保持的晶圓W的中心部的上方。然后，一邊利用驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13使晶圓W旋轉(zhuǎn)，一邊從噴嘴50向晶圓W的中心部供給規(guī)定量的

電鍍液M。

[0084] 該規(guī)定量例如為如下的量：在之后的端子接觸處理中接觸端子23與晶圓W接觸時(shí)足以使電鍍液M與直接電極22直接接觸的量。然后，在供給規(guī)定量的電鍍液M之后，使噴嘴50

從晶圓W的上方離開。

[0085] 接著，控制部控制電解處理部20，來(lái)進(jìn)行使接觸端子23與晶圓W接觸的端子接觸處理(步驟S103)。在端子接觸處理中，利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)24使電解處理部20整體靠近被基板保持

部10保持的晶圓W，來(lái)使接觸端子23的頂端部與晶圓W的外周部接觸。

[0086] 在該端子接觸處理中，例如，一邊測(cè)定施加于接觸端子23的負(fù)荷一邊使接觸端子23靠近晶圓W，由此能夠探測(cè)接觸端子23與晶圓W之間的接觸。

[0087] 根據(jù)第一實(shí)施方式，通過(guò)該盛放處理和端子接觸處理，即使不將晶圓W浸在貯存有大量的電鍍液M的電解槽中也能夠進(jìn)行電鍍處理，因此無(wú)需使用大量的電鍍液M就能夠在晶

圓W形成鍍膜60。

[0088] 接著，控制部控制間接電壓施加部30，來(lái)進(jìn)行向間接陰極12施加規(guī)定的負(fù)電壓的負(fù)電壓施加處理(步驟S104)。在負(fù)電壓施加處理中，通過(guò)將間接電壓施加部30的開關(guān)32從

斷開狀態(tài)變更為接通狀態(tài)，來(lái)向間接陰極12施加規(guī)定的負(fù)電壓。

[0089] 在該負(fù)電壓施加處理中，在晶圓W的表面不進(jìn)行銅離子C的電荷交換，水的電解也得到抑制，因此，能夠使向間接陰極12與直接電極22之間施加電壓時(shí)的電場(chǎng)增強(qiáng)。由此，能

夠使銅離子C的擴(kuò)散速度加快。即，根據(jù)第一實(shí)施方式，能夠使銅離子C在短時(shí)間內(nèi)聚集在晶

圓W的表面，因此能夠提高鍍膜60的生長(zhǎng)速度。

[0090] 并且，根據(jù)第一實(shí)施方式，通過(guò)任意地控制間接陰極12與直接電極22之間的電場(chǎng)強(qiáng)度，能夠任意地控制銅離子C在晶圓W表面的排列狀態(tài)。

[0091] 此外，在負(fù)電壓施加處理中，銅離子C在電鍍液M中的擴(kuò)散速度的絕對(duì)值較小，因此不向間接陰極12施加脈沖狀的負(fù)電壓，施加固定值的負(fù)電壓為宜。這樣，通過(guò)向間接陰極12

施加固定值的負(fù)電壓，能夠高效地使銅離子C聚集在晶圓W的表面?zhèn)取?br>
[0092] 然而，在負(fù)電壓施加處理中向間接陰極12施加的負(fù)電壓不限于固定值，也可以施加脈沖狀的負(fù)電壓或值發(fā)生變化的負(fù)電壓。

[0093] 接著，控制部控制直接電壓施加部40，來(lái)進(jìn)行使直接電極22與晶圓W之間流通電流的電解處理(步驟S105)。在該電解處理中，將開關(guān)42和開關(guān)43同時(shí)設(shè)為接通狀態(tài)，以將直接

電極22設(shè)為陽(yáng)極、將晶圓W設(shè)為陰極的方式向晶圓W和電鍍液M施加電壓。

[0094] 由此，進(jìn)行在晶圓W的表面均勻地排列的銅離子C的電荷交換，銅離子C被還原，在晶圓W的表面析出鍍膜60。當(dāng)該電解處理結(jié)束時(shí)，對(duì)晶圓W的電解處理(電鍍處理)結(jié)束。

[0095] 此外，在第一實(shí)施方式中的電解處理中，通過(guò)將開關(guān)42、43同時(shí)切換為接通狀態(tài)或斷開狀態(tài)來(lái)施加脈沖狀的電壓為宜。由此，在開關(guān)42、43處于斷開狀態(tài)時(shí)，能夠利用間接陰

極12來(lái)使銅離子C在晶圓W的表面重新排列，因此能夠高效地形成高質(zhì)量的鍍膜60。

[0096] 另外，在第一實(shí)施方式中，也可以重復(fù)實(shí)施從步驟S102的盛放處理到步驟S105的電解處理。通過(guò)像這樣重復(fù)實(shí)施上述處理，能夠形成更厚的鍍膜60。

[0097] ＜第二實(shí)施方式＞[0098] 接著，參照?qǐng)D5對(duì)第二實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1A的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。此外，在第二實(shí)施方式中，電解處理部20及間接電壓施加部30的部分結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式不同。

另一方面，除此之外的部分與第一實(shí)施方式相同，因此關(guān)于與第一實(shí)施方式相同的部分省

略詳細(xì)說(shuō)明。

[0099] 在第二實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1A中，除了第一實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1的結(jié)構(gòu)之外，還在電解處理部20的基體21設(shè)置有間接陽(yáng)極25。該間接陽(yáng)極25設(shè)置在

由絕緣性材料構(gòu)成的基體21的內(nèi)部，不暴露在外部。

[0100] 間接陽(yáng)極25與間接陰極12同樣地由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，并與間接電壓施加部30連接。另一方面，與間接陰極12不同地，能夠向間接陽(yáng)極25施加規(guī)定的正電壓。間接陽(yáng)極25例

如在俯視時(shí)具有與直接電極22相同程度的大小，并且以與被保持于保持基體11的上表面

11a的晶圓W大致平行的方式配置。

[0101] 而且，間接電壓施加部30具備直流電源31和開關(guān)32、33。另外，直流電源31的負(fù)極側(cè)經(jīng)由開關(guān)32而與間接陰極12連接，并且直流電源31的正極側(cè)經(jīng)由開關(guān)33而與間接陽(yáng)極25

連接。

[0102] 而且，通過(guò)將開關(guān)32設(shè)為接通狀態(tài)，間接電壓施加部30能夠向間接陰極12施加規(guī)定的負(fù)電壓。而且，通過(guò)將開關(guān)33設(shè)為接通狀態(tài)，間接電壓施加部30能夠向間接陽(yáng)極25施加

規(guī)定的正電壓。

[0103] 接著，參照?qǐng)D6A及圖6B，對(duì)第二實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1A中的作為電解處理的一例的電鍍處理的詳情進(jìn)行說(shuō)明。在第二實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1A的電鍍

處理中，與第一實(shí)施方式同樣地，依次進(jìn)行基板保持處理、盛放處理以及端子接觸處理。在

此，關(guān)于這些處理省略詳細(xì)說(shuō)明。

[0104] 繼端子接觸處理之后，如圖6A所示，在電解處理裝置1A中并行地進(jìn)行負(fù)電壓施加處理和正電壓施加處理。圖6A是示出第二實(shí)施方式所涉及的負(fù)電壓施加處理和正電壓施加

處理的概要的圖。

[0105] 具體地說(shuō)，將間接電壓施加部30的開關(guān)32從斷開狀態(tài)變更為接通狀態(tài)，來(lái)將直流電源31的負(fù)極側(cè)和間接陰極12設(shè)為連接狀態(tài)，由此向間接陰極12施加規(guī)定的負(fù)電壓(負(fù)電

壓施加處理)。另外，在將開關(guān)32從斷開狀態(tài)變更為接通狀態(tài)的同時(shí)，將開關(guān)33從斷開狀態(tài)

變更為接通狀態(tài)，來(lái)將直流電源31的正極側(cè)與間接陽(yáng)極25設(shè)為連接狀態(tài)，由此向間接陽(yáng)極

25施加規(guī)定的正電壓(正電壓施加處理)。

[0106] 通過(guò)該負(fù)電壓施加處理和正電壓施加處理，來(lái)在電鍍液M的內(nèi)部形成電場(chǎng)，因此如圖6A所示，能夠使作為正的帶電粒子的銅離子C聚集在晶圓W的表面?zhèn)?，并使作為?fù)的帶電

粒子的硫酸離子S聚集在直接電極22側(cè)。

[0107] 繼負(fù)電壓施加處理和正電壓施加處理之后，與第一實(shí)施方式同樣地，在電解處理裝置1A中進(jìn)行電解處理。由此，進(jìn)行在晶圓W的表面均勻地排列于的銅離子C的電荷交換，銅

離子C被還原，如圖6B所示，在晶圓W的表面析出鍍膜60。圖6B是示出第二實(shí)施方式所涉及的

電解處理的概要的圖。

[0108] 在此前所示出的第二實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式同樣地，通過(guò)負(fù)電壓施加處理，能夠抑制在通孔70的內(nèi)部被鍍膜60填埋之前通孔70的開口部被鍍膜60堵塞。因而，能夠利

用鍍膜60將形成于晶圓W的通孔70良好地填埋。

[0109] 并且，在第二實(shí)施方式中，通過(guò)并行地實(shí)施負(fù)電壓施加處理和正電壓施加處理，能夠在電鍍液M的內(nèi)部形成更大的電場(chǎng)。由此，能夠使銅離子C在電鍍液M內(nèi)部的擴(kuò)散速度加

快，因此能夠使銅離子C在短時(shí)間內(nèi)聚集在晶圓W的表面。因而，根據(jù)第二實(shí)施方式，能夠提

高鍍膜60的生長(zhǎng)速度。

[0110] 圖7是表示第二實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1A的電解處理中的處理過(guò)程的流程圖。此外，控制部讀取存儲(chǔ)部中保存的程序，并且控制部基于讀取出的命令來(lái)控制基板保

持部10、電解處理部20、間接電壓施加部30、直流電壓施加部40、噴嘴50等，由此執(zhí)行圖7所

示的電解處理裝置1A的電解處理。

[0111] 首先，使用未圖示的搬送機(jī)構(gòu)將晶圓W搬送并載置于基板保持部10。然后，控制部控制基板保持部10，來(lái)進(jìn)行將所載置的晶圓W保持于基板保持部10的基板保持處理(步驟

S201)。接著，控制部控制噴嘴50和基板保持部10，來(lái)對(duì)晶圓W進(jìn)行電鍍液M的盛放處理(步驟

S202)。

[0112] 在盛放處理中，首先，使噴嘴50進(jìn)入被基板保持部10保持的晶圓W的中心部的上方。然后，一邊利用驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13使晶圓W旋轉(zhuǎn)，一邊從噴嘴50向晶圓W的中心部供給規(guī)定量的

電鍍液M。

[0113] 該規(guī)定量例如是如下的量：在之后的端子接觸處理中接觸端子23與晶圓W接觸時(shí)足以使電鍍液M與直接電極22直接接觸的量。然后，在供給規(guī)定量的電鍍液M之后，使噴嘴50

從晶圓W的上方離開。

[0114] 接著，控制部控制電解處理部20，來(lái)進(jìn)行使接觸端子23與晶圓W接觸的端子接觸處理(步驟S203)。在端子接觸處理中，利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)24使電解處理部20整體靠近被基板保持

部10保持的晶圓W，來(lái)使接觸端子23的頂端部與晶圓W的外周部接觸。

[0115] 接著，控制部控制間接電壓施加部30，來(lái)進(jìn)行向間接陰極12施加規(guī)定的負(fù)電壓的負(fù)電壓施加處理(步驟S204)。在負(fù)電壓施加處理中，通過(guò)將間接電壓施加部30的開關(guān)32從

斷開狀態(tài)變更為接通狀態(tài)，來(lái)向間接陰極12施加規(guī)定的負(fù)電壓。

[0116] 另外，與該負(fù)電壓施加處理并行地，控制部控制間接電壓施加部30來(lái)進(jìn)行向間接陽(yáng)極25施加規(guī)定的正電壓的正電壓施加處理(步驟S205)。在正電壓施加處理中，通過(guò)將間

接電壓施加部30的開關(guān)33從斷開狀態(tài)變更為接通狀態(tài)，來(lái)向間接陽(yáng)極25施加規(guī)定的正電

壓。

[0117] 此外，在負(fù)電壓施加處理和正電壓施加處理中，與第一實(shí)施方式同樣地，不向間接陰極12和間接陽(yáng)極25施加脈沖狀的負(fù)電壓，施加固定值的負(fù)電壓為宜。這樣，通過(guò)向間接陰

極12施加固定值的負(fù)電壓并向間接陽(yáng)極25施加固定值的正電壓，能夠使銅離子C高效地聚

集在晶圓W的表面?zhèn)取?br>
[0118] 然而，在負(fù)電壓施加處理中向間接陰極12施加的負(fù)電壓和在正電壓施加處理中向間接陽(yáng)極25施加的正電壓不限于固定值，也可以施加脈沖狀的電壓或值發(fā)生變化的電壓。

[0119] 接著，控制部控制直接電壓施加部40，來(lái)進(jìn)行使直接電極22與晶圓W之間流通電流的電解處理(步驟S206)。在該電解處理中，將開關(guān)42和開關(guān)43同時(shí)設(shè)為接通狀態(tài)，以將直接

電極22設(shè)為陽(yáng)極、將晶圓W設(shè)為陰極的方式向晶圓W和電鍍液M施加電壓。

[0120] 由此，進(jìn)行在晶圓W的表面均勻地排列的銅離子C的電荷交換，銅離子C被還原，在晶圓W的表面析出鍍膜60。當(dāng)該電解處理結(jié)束時(shí)，對(duì)晶圓W的電解處理(電鍍處理)結(jié)束。

[0121] 以上對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，只要不脫離其主旨就能夠進(jìn)行各種變更。例如，在上述各實(shí)施方式中，通過(guò)進(jìn)行在晶圓W上盛放電

鍍液M的盛放處理來(lái)使電鍍液M與晶圓W接觸，但也可以通過(guò)使晶圓W浸在貯存有電鍍液M的

電解槽內(nèi)來(lái)使電鍍液M與晶圓W接觸。

[0122] 另外，在上述各實(shí)施方式中，對(duì)進(jìn)行作為電解處理的電鍍處理的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明例如能夠應(yīng)用于蝕刻處理等各種電解處理。

[0123] 并且，在上述各實(shí)施方式中，對(duì)在晶圓W的表面將銅離子C還原的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明也能夠應(yīng)用于在晶圓W的表面?zhèn)葘⒈惶幚黼x子氧化的情況。在該情況下，由于被處

理離子是陰離子，因此將上述各實(shí)施方式中的陽(yáng)極與陰極調(diào)換后進(jìn)行同樣的電解處理即

可。由此，無(wú)論是被處理離子是氧化還是還原，都能夠獲得與上述各實(shí)施方式的效果相同的

效果。

[0124] 實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1(1A)是對(duì)被處理基板(晶圓W)進(jìn)行電解處理的電解處理裝置，具備基板保持部10和電解處理部20?；灞３植?0具有間接陰極12和絕緣

性的保持基體11，該保持基體11用于保持被處理基板(晶圓W)，該間接陰極12設(shè)置在保持基

體11的內(nèi)部且被施加負(fù)電壓。電解處理部20以面對(duì)基板保持部10的方式設(shè)置，向被處理基

板(晶圓W)以及與被處理基板(晶圓W)相接的電解液(電鍍液M)施加電壓。由此，能夠利用鍍

膜60將形成于晶圓W的通孔70良好地填埋。

[0125] 另外，在實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1(1A)中，向間接陰極12施加固定值的負(fù)電壓。由此，能夠使銅離子C高效地聚集在晶圓W的表面?zhèn)取?br>
[0126] 另外，在實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1A中，電解處理部20具備間接陽(yáng)極25和絕緣性的基體21，該間接陽(yáng)極25設(shè)置在基體21的內(nèi)部且被施加正電壓。由此，能夠提高鍍膜

60的生長(zhǎng)速度。

[0127] 另外，在實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1A中，向間接陽(yáng)極25施加固定值的正電壓。由此，能夠使銅離子C高效地聚集在晶圓W的表面?zhèn)取?br>
[0128] 另外，在實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1(1A)中，電解處理部20具備面對(duì)被處理基板(晶圓W)的直接電極22以及以能夠與被處理基板(晶圓W)接觸的方式設(shè)置的接觸端子

23。由此，能夠利用針對(duì)晶圓W的盛放處理來(lái)進(jìn)行電鍍處理，因此無(wú)需使用大量的電鍍液M就

能夠在晶圓W形成鍍膜60。

[0129] 另外，在實(shí)施方式所涉及的電解處理裝置1(1A)中，向直接電極22施加脈沖狀的正電壓，向接觸端子23施加脈沖狀的負(fù)電壓。由此，能夠高效地形成高質(zhì)量的鍍膜60。

[0130] 另外，實(shí)施方式所涉及的電解處理方法是使用電解處理裝置1(1A)對(duì)被處理基板(晶圓W)進(jìn)行電解處理的電解處理方法，所述電解處理裝置1(1A)具備：基板保持部10，其具

有間接陰極12和絕緣性的保持基體11，該保持基體11用于保持被處理基板(晶圓W)，該間接

陰極12設(shè)置在保持基體11的內(nèi)部且被施加負(fù)電壓；以及電解處理部20，其以面對(duì)基板保持

部10的方式設(shè)置，向被處理基板(晶圓W)以及與被處理基板(晶圓W)相接的電解液(電鍍液

M)施加電壓，所述電解處理方法包括以下工序：保持工序(步驟S101(S201))，利用基板保持

部10來(lái)保持被處理基板(晶圓W)；盛放工序(步驟S102(S202))，向被處理基板(晶圓W)盛放

電解液(電鍍液M)；負(fù)電壓施加工序(步驟S104(S204))，向間接陰極12施加負(fù)電壓；以及電

解處理工序(步驟S105(S206))，利用電解處理部20向被處理基板(晶圓W)和電解液(電鍍液

M)施加電壓。由此，能夠利用鍍膜60將形成于晶圓W的通孔70良好地填埋。

[0131] 另外，實(shí)施方式所涉及的電解處理方法是使用電解處理裝置1A對(duì)被處理基板(晶圓W)進(jìn)行電解處理的電解處理方法，所述電解處理裝置1A具備：基板保持部10，其具有間接

陰極12和絕緣性的保持基體11，該保持基體11用于保持被處理基板(晶圓W)；該間接陰極12

設(shè)置在保持基體11的內(nèi)部且被施加負(fù)電壓；以及電解處理部20，其以面對(duì)基板保持部10的

方式設(shè)置，具有絕緣性的基體21和設(shè)置在基體21的內(nèi)部且被施加正電壓的間接陽(yáng)極25，向

被處理基板(晶圓W)以及與被處理基板(晶圓W)相接的電解液(電鍍液M)施加電壓，所述電

解處理方法包括以下工序：保持工序(步驟S201)，利用基板保持部10來(lái)保持被處理基板(晶

圓W)；盛放工序(步驟S202)，向被處理基板(晶圓W)盛放電解液(電鍍液M)；負(fù)電壓施加工序

(步驟S204)，向間接陰極12施加負(fù)電壓；正電壓施加工序(步驟S205)，向間接陽(yáng)極25施加正

電壓；以及電解處理工序(步驟S206)，利用電解處理部20向被處理基板(晶圓W)和電解液

(電鍍液M)施加電壓。由此，能夠利用鍍膜60將形成于晶圓W的通孔70良好地填埋，并且能夠

提高電解處理中的鍍膜60的生長(zhǎng)速度。

[0132] 另外，在實(shí)施方式所涉及的電解處理方法中，電解處理部20具有面對(duì)被處理基板(晶圓W)的直接電極22以及以能夠與被處理基板(晶圓W)接觸的方式設(shè)置的接觸端子23，在

盛放工序(步驟S102(S202))之后，進(jìn)行使接觸端子23與被處理基板(晶圓W)接觸的端子接

觸工序(步驟S103(S203))。由此，無(wú)需使用大量的電鍍液M就能夠在晶圓W形成鍍膜60。

[0133] 另外，在實(shí)施方式所涉及的電解處理方法中，在端子接觸工序(步驟S103(S203))之后進(jìn)行的電解處理工序(步驟S105(S206))中，向直接電極22施加脈沖狀的正電壓，并且

向接觸端子23施加脈沖狀的負(fù)電壓。由此，能夠高效地形成高質(zhì)量的鍍膜60。

[0134] 本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地導(dǎo)出進(jìn)一步的效果和變形例。因此，本發(fā)明的更廣泛的方式不限于以上示出和記述的特定的細(xì)節(jié)以及代表性的實(shí)施方式。因而，在不脫離由所

附權(quán)利要求書及其等價(jià)物定義的總的發(fā)明構(gòu)思的主旨或范圍的情況下，能夠進(jìn)行各種變

更。

[0135] 附圖標(biāo)記說(shuō)明[0136] W：晶圓；1、1A電解處理裝置；10：基板保持部；11：保持基體；12：間接陰極；13：驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；20：電解處理部；21：基體；22：直接電極；23：接觸端子；24：移動(dòng)機(jī)構(gòu)；25：間接陽(yáng)極；

30：間接電壓施加部；31：直流電源；32、33：開關(guān)；40：直接電壓施加部；41：直流電源；42、43：

開關(guān)；44：負(fù)載電阻；50：噴嘴；51：移動(dòng)機(jī)構(gòu)；60：鍍膜；70：通孔；71：晶種層；C：銅離子；M：電

鍍液；S：硫酸離子。