本發(fā)明涉及制備太陽能級
多晶硅的方法,包括:在礦熱爐出硅過程中,向抬包底部持續(xù)通入氧化性氣體;出硅完成后,將預(yù)熔造渣劑倒入抬包中精煉;將氧化性氣體采用等離子發(fā)生器電離后注入硅液中;待反應(yīng)完后,將得到的硅液注入保溫裝置中凝固,待硅錠冷卻后,打磨硅錠四周及底面潔凈;將硅錠破碎、磨粉,采用混合酸進行酸洗,清洗,烘干;將酸洗后硅粉放入中頻爐
石墨坩堝中加熱熔化成硅液,保溫;于硅液的表面放置石墨板,石墨板與直流電壓的負極相接,石墨坩堝底部與直流電壓的正極相接,施加直流電壓;通電2~4h后,在通電狀態(tài)下,石墨坩堝緩慢下降,離開加熱區(qū),進行定向凝固,冷卻后取出硅錠,切除上層和尾部的雜質(zhì)區(qū),即得提純后6N多晶硅。
聲明:
“制備太陽能級多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)