本發(fā)明涉及氧化鋅納米顆粒修飾的
鈣鈦礦CsPbBr3薄膜及其應(yīng)用,屬于
半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域,該薄膜由一步法或兩步法中的一種方法制備,制備的氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜致密性高、覆蓋率大、結(jié)晶均勻,同時(shí)具有快速載流子轉(zhuǎn)移速率,能夠改進(jìn)側(cè)邊薄膜的膜層質(zhì)量,將其用于光探測(cè)器中,可提高光探測(cè)器的開(kāi)關(guān)比、光響應(yīng)速度,將其用于微激光器中,可提高微激光器的光譜發(fā)射強(qiáng)度、降低激光激發(fā)閾值。
聲明:
“氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)