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禁帶寬度可調(diào)的鈣鈦礦單晶生長方法

1066   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-01 00:40:05
本發(fā)明提供一種禁帶寬度可調(diào)的鈣鈦礦單晶快速生長方法,通過調(diào)控原料鹵素的比例調(diào)控鈣鈦礦材料的禁帶寬度。通過合成得到鹵素混合的鈣鈦礦粉末并溶解到有機溶劑中,通過添加聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸,低溫加熱生長出禁帶寬度可調(diào)的鹵素混合鈣鈦礦單晶。合成的碘/溴和溴/氯任意比例混合的鉛基甲胺鈣鈦礦單晶大尺寸、形狀規(guī)則、結(jié)晶性好。本發(fā)明可以任意調(diào)控鉛基甲胺鹵素鈣鈦礦單價,從1.51?2.94eV禁帶寬度任意調(diào)控。實驗裝置簡單成本低,工藝簡單可靠,所得單晶結(jié)晶性好。拓寬了鈣鈦礦單晶材料的種類。為在光電探測器和發(fā)光器件領(lǐng)域,尋找更優(yōu)異性能的鈣鈦礦材料提供了新的材料基礎(chǔ)。
聲明:
“禁帶寬度可調(diào)的鈣鈦礦單晶生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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