本發(fā)明公開了一種硒化物納米棒,屬于納米半導(dǎo)體的制備領(lǐng)域。包括如下步驟:將KOH、SeO
2粉、AgNO
3和In(NO
3)
3溶解于非配位溶劑和少量的乙二胺中,在惰性氣體保護下,溫度為200~240℃,并劇烈攪拌,保溫12~24小時,制備得到硒化物納米棒。堿在熔融狀態(tài)下的其氫氧根離子分離成
和
,然后在非配位溶劑的稀釋下,降低其粘度提高其流動性,在熔融堿的這樣的堿性環(huán)境中In
2Se
3形成纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶核,最后通過乙二胺分子在反應(yīng)混合物中對晶面的競爭性吸附,誘導(dǎo)生長方向,促使In
2Se
3晶核繼續(xù)吸附
和少量的
和各向異性生長。解決了在實際使用過程中,本征電導(dǎo)率過低,導(dǎo)致探測器的光譜響應(yīng)度和外量子效率較低的問題。
聲明:
“硒化物納米棒” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)