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基于CsI離子摻雜空穴傳輸層的高性能自供電鈣鈦礦型光電探測(cè)器及其制備方法

718   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-25 02:00:03
本發(fā)明涉及光電探測(cè)器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于CsI離子摻雜空穴傳輸層的高性能自供電鈣鈦礦型光電探測(cè)器及其制備方法。一種基于CsI離子摻雜空穴傳輸層的高性能自供電鈣鈦礦型光電探測(cè)器,主要由依次設(shè)置的襯底、導(dǎo)電陰極、電子傳輸層、鈣鈦礦光活性層、空穴傳輸層、修飾層和金屬陽極組成,所述空穴傳輸層材料為Spiro?OMeTAD。本發(fā)明使用了溶液處理方式,在Spiro?OMeTAD溶液中引入了少量的CsI,有效地抑制了Spiro?OMeTAD膜的聚集和水解,減少了針孔和空洞,增強(qiáng)空穴傳輸層的載流子萃取能力及遷移率,顯著提高了光電探測(cè)器的檢測(cè)率和穩(wěn)定性。該制備過程簡(jiǎn)單,極大降低器件成本。
聲明:
“基于CsI離子摻雜空穴傳輸層的高性能自供電鈣鈦礦型光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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