本實(shí)用新型公開一種鈾礦測(cè)井的4H?SiC中子探測(cè)器,該探測(cè)器為肖特基結(jié)構(gòu),以n
+型4H?SiC晶體作為襯底,利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在襯底的正面同質(zhì)外延生長(zhǎng)n
?型4H?SiC外延層;利用磁控濺射技術(shù)在襯底的反面和外延層一側(cè)分別沉積多層金屬和保護(hù)層并退火處理,形成歐姆接觸和肖特基接觸;最后利用光刻和磁控濺射技術(shù)在肖特基接觸上濺射
6LiF形成中子轉(zhuǎn)換層。除了具有常規(guī)的半導(dǎo)體中子探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)外,4H?SiC中子探測(cè)器還具有體積小、n/γ甄別容易、抗高溫、耐輻照的優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)用新型是一種探測(cè)效率高、計(jì)數(shù)率高的4H?SiC中子探測(cè)器,適合于鈾礦測(cè)井這種狹小空間、高溫度和強(qiáng)輻射的環(huán)境。
聲明:
“鈾礦測(cè)井的4H-SiC中子探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)