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制造SrTiO3晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器的方法

765   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 00:30:02
制造SrTiO3晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器的方法,采用二種不同晶型的工業(yè)TiO2,通過適當(dāng)?shù)呐浔群铣芍饕煞諷rTiO3,其原料組成及其含量為:1molSrCO3+(0.98~1.02)molTiO2+(0.2~0.45)%molNb2O5+(0.2~04.5)%molLa2O3,其中,TiO2為工業(yè)純,由銳鈦礦和金紅石兩種晶型組成,其配比范圍是:銳鈦礦∶金紅石=(0.3∶0.7)~(0.7∶0.3);上述原料經(jīng)充分混勻后于1150~1250℃下預(yù)燒,然后粉碎過篩并成型、燒成,再氧化處理。本發(fā)明具有良好的工藝穩(wěn)定性、產(chǎn)品合格率高,并可優(yōu)化產(chǎn)品性能。
聲明:
“制造SrTiO3晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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