本發(fā)明涉及自旋電子學(xué)材料領(lǐng)域,具體涉及一種磁性
半導(dǎo)體材料及其制備方法;其化學(xué)式為AB1?yCyX3,其中y=0?0.1,A為Ca、Sr和Ba中的一種,B為Ti、Zr和Hf中的一種,X為S或Se,C為Mn、Fe和Co中的一種;由于硫族
鈣鈦礦具有與氧化物鈣鈦礦相似的化學(xué)式和結(jié)構(gòu),當(dāng)氧化物鈣鈦礦中的氧離子被硫族(S,Se)離子替代后它們的結(jié)構(gòu)會發(fā)生畸變,由此引起電子結(jié)構(gòu)的顯著變化,相應(yīng)地其帶隙寬度與光電性質(zhì)也會隨之改變。并用具有局域磁矩的3d過渡族金屬C(Mn、Fe、Co)取代B位陽離子,材料可表現(xiàn)出長程磁有序。因此,采用本發(fā)明設(shè)計并制備的硫族磁性半導(dǎo)體材料極大地豐富磁性半導(dǎo)體材料的可選擇性,從而為設(shè)計新型的高居里點(diǎn)自旋電子學(xué)材料和器件提供可能。
聲明:
“磁性半導(dǎo)體材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)