權(quán)利要求書： 1.一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，包括第一瓷器本體（1），其特征在于：所述第一瓷器本體（1）的上部活動(dòng)套接有第二瓷器本體（2），所述第一瓷器本體（1）外側(cè)的中部開設(shè)有外側(cè)限定孔（3），所述第一瓷器本體（1）上部的外側(cè)開設(shè)有拼接限定孔（4），所述拼接限定孔（4）的內(nèi)部活動(dòng)套接有拼接銷（5）；

所述的一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷的制備方法，包括以下步驟：

S1：對(duì)石英石廢物進(jìn)行選取，選取雜質(zhì)較少的石英石廢料，并帶動(dòng)選取的石英石雜料進(jìn)行粉碎處理；

S2：將石英石廢料進(jìn)行粉碎處理后，并對(duì)石英石進(jìn)行篩選，同時(shí)帶動(dòng)篩選的石英石粉末與剛玉砂、碳酸氫鈉、飛灰、K2O、NaCl和水進(jìn)行混合，即可形成泥漿狀態(tài)；

S3：設(shè)計(jì)模具，并將模具的內(nèi)部整齊的堆放高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物，并帶動(dòng)泥漿輸送至模具的內(nèi)部；

S4：帶動(dòng)模具放置在高溫?zé)蒲b置的內(nèi)部進(jìn)行加熱，并控制加熱裝置控制在800℃并燒制8?10h；

S5：將燒制的陶瓷拿取并進(jìn)行緩冷降溫，同時(shí)對(duì)初步定型后的瓷器進(jìn)行打孔處理，同時(shí)進(jìn)行二次煅燒，二次煅燒成型后可進(jìn)行二次緩冷降溫成型，并對(duì)燒制后的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)；

所述二次煅燒過(guò)程中，帶動(dòng)瓷器以3℃/min持續(xù)加溫至600℃并保持10h定型；對(duì)瓷器的三維結(jié)構(gòu)孔進(jìn)行二次排布；瓷器粘接于煅燒基座上；所述的三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列區(qū)包括三維結(jié)構(gòu)孔填料區(qū)和三維結(jié)構(gòu)孔清理區(qū)兩部分,三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列呈連續(xù)或離散分布；所述的三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列與陶瓷包括煅燒基座和三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列區(qū)粘接于煅燒基座上；三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列與氣孔可控排布通過(guò)控制三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列排布模板、胎體材料排布模板和陶瓷空心球排布模板的槽孔或圓孔相對(duì)于模具型腔的位置及尺寸分層實(shí)現(xiàn)，三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列排布模板的槽孔與胎體材料排布模板的槽孔位置互補(bǔ)，氣孔排布模板孔群區(qū)和胎體材料排布模板槽孔區(qū)重合；通過(guò)填充打磨對(duì)瓷器的三維結(jié)構(gòu)孔進(jìn)行二次排布；

對(duì)燒制后的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)，包括：

按照預(yù)設(shè)周期旋轉(zhuǎn)采集燒制后的產(chǎn)品的紅外透射圖像，對(duì)所述紅外透射圖像進(jìn)行消除畸變處理，獲得優(yōu)化圖像，按照采集順序?qū)⑺鰞?yōu)化圖像排序，獲得優(yōu)化圖像序列；

基于預(yù)設(shè)檢測(cè)算法，檢測(cè)出待檢驗(yàn)產(chǎn)品在所述優(yōu)化圖像序列中第一張優(yōu)化圖像中的第一產(chǎn)品區(qū)域，并基于預(yù)設(shè)搜索算法對(duì)所述第一產(chǎn)品區(qū)域進(jìn)行搜索獲得對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)信號(hào)；

基于預(yù)設(shè)確定算法和所述第一產(chǎn)品區(qū)域，確定出所述優(yōu)化圖像序列中第二張優(yōu)化圖像中的搜索區(qū)域；

基于所述第一產(chǎn)品區(qū)域的大小確定搜索窗口尺寸，基于預(yù)設(shè)搜索算法和所述搜索窗口尺寸以及預(yù)設(shè)的搜索步長(zhǎng)，從所述第二張優(yōu)化圖像的搜索區(qū)域中的任一邊緣像素點(diǎn)開始搜索，同時(shí)，獲得每次搜索過(guò)程對(duì)應(yīng)的搜索信號(hào)，計(jì)算出所述基準(zhǔn)信號(hào)和所述搜索信號(hào)的結(jié)構(gòu)相似性表征值，并將最大結(jié)構(gòu)相似性表征值對(duì)應(yīng)的搜索區(qū)域作為所述第二張優(yōu)化圖像中的第二產(chǎn)品區(qū)域，基于所述第二產(chǎn)品區(qū)域確定出第三張優(yōu)化圖像中的第三產(chǎn)品區(qū)域，直至確定出所述優(yōu)化圖像序列中所有優(yōu)化圖像中的產(chǎn)品區(qū)域，并獲得對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品區(qū)域序列；

將所述第一產(chǎn)品區(qū)域劃分成多個(gè)第一子區(qū)域，同時(shí)，將所述第二產(chǎn)品區(qū)域劃分成多個(gè)第二子區(qū)域，獲得所述第一子區(qū)域和所述第二子區(qū)域中每個(gè)像素點(diǎn)的視覺特征值，基于所述視覺特征值獲得每個(gè)第一子區(qū)域的第一視覺特征矩陣和每個(gè)第二子區(qū)域?qū)?yīng)的第二視覺特征矩陣，將與所述第一視覺特征矩陣一致的第二視覺特征矩陣對(duì)應(yīng)的第二子區(qū)域確定為對(duì)應(yīng)第一子區(qū)域的偏移子區(qū)域，并獲取所述第一子區(qū)域和對(duì)應(yīng)偏移子區(qū)域之間的偏移距離，構(gòu)建所述第一產(chǎn)品區(qū)域和所述第二產(chǎn)品區(qū)域之間的偏移距離映射集合，直至確定出所述產(chǎn)品區(qū)域序列中所有相鄰產(chǎn)品區(qū)域之間的偏移距離映射集合；

基于所述偏移距離映射集合和所述產(chǎn)品區(qū)域序列，融合獲得產(chǎn)品整體圖像，基于預(yù)設(shè)的產(chǎn)品透射框架模型和所述產(chǎn)品整體圖像構(gòu)建待檢驗(yàn)產(chǎn)品的產(chǎn)品透射模型；

對(duì)所述產(chǎn)品透射模型進(jìn)行檢驗(yàn)，判斷所述待檢驗(yàn)產(chǎn)品是否合格。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，其特征在于：所述第一瓷器本體（1）上部和下部的外部均開設(shè)有八個(gè)拼接限定孔（4），所述拼接限定孔（4）的上部成圓柱形，所述拼接限定孔（4）下部的凹槽向外部擴(kuò)散，所述拼接銷（5）端部的外部向外部凸起，所述拼接銷（5）分別活動(dòng)套接在第一瓷器本體（1）和第二瓷器本體（2）連接處內(nèi)部開設(shè)拼接限定孔（4）的內(nèi)部；

所述第一瓷器本體（1）的內(nèi)部開設(shè)有出氣孔（6），所述出氣孔（6）呈圓形，所述出氣孔（6）在第一瓷器本體（1）和第二瓷器本體（2）的內(nèi)部等間距排列，兩個(gè)相連的出氣孔（6）之間安裝有連接管道；

所述第一瓷器本體（1）和第二瓷器本體（2）外部的中部開設(shè)有八個(gè)外側(cè)限定孔（3），所述外側(cè)限定孔（3）的內(nèi)部可穿過(guò)定位螺栓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，其特征在于：對(duì)粉碎后的石英石進(jìn)行篩選時(shí)，粉碎后的石英石放置在篩網(wǎng)的內(nèi)部，并將篩分后的石英石放置在離心裝置的內(nèi)部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，其特征在于：使用攪拌機(jī)對(duì)石英石粉末與剛玉砂、碳酸氫鈉、飛灰、K2O、NaCl和水進(jìn)行混合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，其特征在于：模具的底部安裝有振動(dòng)裝置，高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物與泥漿之間依次堆放。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，其特征在于：瓷器一次緩冷降溫后，帶動(dòng)瓷器初步定型，同時(shí)對(duì)瓷器的外部進(jìn)行定型，對(duì)燒制后的瓷器表面產(chǎn)生的瑕疵進(jìn)行處理，同時(shí)對(duì)瓷器的上部的外部和外部的兩側(cè)分別開設(shè)有拼接限定孔（4）和外側(cè)限定孔（3）；并通過(guò)以下步驟對(duì)石英石廢棄物進(jìn)行匯集：通過(guò)匯集管道以及與匯集管道連接的定時(shí)鼓風(fēng)機(jī)和石英石廢棄物收集槽；所述的匯集管道頂部軸向間隔開設(shè)有多個(gè)石英石廢棄物引導(dǎo)通道，石英石廢棄物引導(dǎo)通道上方設(shè)有石英石廢棄物封蓋板，石英石廢棄物封蓋板的寬度小于石英石廢棄物引導(dǎo)通道，石英石廢棄物封蓋板上開設(shè)有多種孔徑石英石廢棄物篩選孔，石英石廢棄物封蓋板左右兩側(cè)均設(shè)有弧形的橫向?qū)虬澹⑹瘡U棄物封蓋板通過(guò)橫向?qū)虬迮c匯集管道連接；通過(guò)多種孔徑石英石廢棄物篩選孔對(duì)石英石廢棄物進(jìn)行篩選、分類，通過(guò)石英石廢棄物引導(dǎo)通道將分類的石英石廢棄物匯集以進(jìn)行石英石廢棄物制備多孔陶瓷。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，其特征在于：基于所述偏移距離映射集合和所述產(chǎn)品區(qū)域序列，融合獲得產(chǎn)品整體圖像，包括：基于所述偏移距離映射集合確定所述第一產(chǎn)品區(qū)域中的第一重疊子區(qū)域，同時(shí)，確定出所述第二產(chǎn)品區(qū)域中的第二重疊子區(qū)域；

計(jì)算出所述第一重疊子區(qū)域中每一列第一像素點(diǎn)和所述第二重疊子區(qū)域中對(duì)應(yīng)列第二像素點(diǎn)的相鄰列第三像素點(diǎn)之間的融合評(píng)價(jià)值；

將最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第一像素點(diǎn)作為第一產(chǎn)品區(qū)域的第一融合邊界，將最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第三像素點(diǎn)作為第二產(chǎn)品區(qū)域的第二融合邊界，基于所述第一融合邊界將所述第一產(chǎn)品區(qū)域切割獲得第一融合子圖像，基于所述第二融合邊界將所述第二產(chǎn)品區(qū)域切割獲得第二融合子圖像；

將所述第一融合子圖像的第一融合邊界和所述第二融合子圖像的第二融合邊界連接，獲得產(chǎn)品整體圖像。

說(shuō)明書： 一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及石英石技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法。背景技術(shù)[0002] 石英石廢棄物是生產(chǎn)石英石時(shí)產(chǎn)生的廢棄物，其成分含有10％左右的樹脂，一般樹脂含有苯等化合物，而且這些有機(jī)物在自然環(huán)境中降解非常緩慢；廢棄物中還含有一些堿性的無(wú)機(jī)添加物，重金屬鹽類等，這些化合物都會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生嚴(yán)重的污染而且堆積占用了大量的土地。石英石加工的過(guò)程中需要濕磨，因此廢棄物中含有大量的水分。由于廢棄物中大量樹脂和水分的存在，而且樹脂燃燒產(chǎn)生的氣體嚴(yán)重污染大氣，因此對(duì)其無(wú)污染煅燒處理難以實(shí)現(xiàn)。石英石含水率高(一般在40％以上)，但其表觀含水少，難揮發(fā)，烘干困難是制約其工業(yè)化應(yīng)用的根本原因，且其完全烘干后易出現(xiàn)顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致無(wú)法均勻分散，同時(shí)在烘干的過(guò)程中(70℃)樹脂開始揮發(fā)出刺激性的氣味，因此一般企業(yè)只能是不作處理任意排放、填埋，為了對(duì)石英石廢棄物進(jìn)行回收利用，會(huì)通過(guò)對(duì)產(chǎn)生的石英石廢棄物進(jìn)行燒制，形成多孔瓷器，起到隔音和過(guò)濾的作用，至此研發(fā)出一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法。[0003] 在現(xiàn)有的用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法中，過(guò)濾用的多孔瓷器為一個(gè)圓盤或一個(gè)方體，但過(guò)濾過(guò)程中需要使用雙層或多層瓷器進(jìn)行過(guò)濾，但現(xiàn)有的瓷器之間為一個(gè)整體，導(dǎo)致兩個(gè)瓷器之間拼接時(shí)出現(xiàn)重合不穩(wěn)定的問(wèn)題；同時(shí)石英石廢料中內(nèi)部處理石英石粉末，還有膠質(zhì)，導(dǎo)致瓷器加工時(shí)，因?yàn)槟z質(zhì)含量不同，會(huì)影響瓷器的生產(chǎn)效果。發(fā)明內(nèi)容[0004] 針對(duì)現(xiàn)有用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法的不足，本發(fā)明提供了一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法，具備通過(guò)將第一瓷器本體和第二瓷器本體的外部開設(shè)有拼接限定孔，并在拼接限定孔的內(nèi)部安裝有拼接銷，即可帶動(dòng)多層第一瓷器本體或第二瓷器本體之間拼接時(shí)增加穩(wěn)固性；時(shí)對(duì)石英石廢料處理時(shí)，通過(guò)篩選和離心分離的作用下，帶動(dòng)石英石與膠質(zhì)之間進(jìn)行分離的優(yōu)點(diǎn)，解決了上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。[0005] 本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，包括第一瓷器本體，所述第一瓷器本體的上部活動(dòng)套接有第二瓷器本體，所述第一瓷器本體外側(cè)的中部開設(shè)有外側(cè)限定孔，所述第一瓷器本體上部的外側(cè)開設(shè)有拼接限定孔，所述拼接限定孔的內(nèi)部活動(dòng)套接有拼接銷；[0006] 優(yōu)選的，所述第一瓷器本體上部和下部的外部均開設(shè)有八個(gè)拼接限定孔，所述拼接限定孔的上部成圓柱形，所述拼接限定孔下部的凹槽向外部擴(kuò)散，所述拼接銷端部的外部向外部凸起，所述拼接銷分別活動(dòng)套接在第一瓷器本體和第二瓷器本體連接處內(nèi)部開設(shè)拼接限定孔的內(nèi)部；[0007] 所述第一瓷器本體的內(nèi)部開設(shè)有出氣孔，所述出氣孔呈圓形，所述出氣孔在第一瓷器本體和第二瓷器本體的內(nèi)部等間距排列，兩個(gè)相連的出氣孔之間安裝有連接管道；[0008] 優(yōu)選的，所述第一瓷器本體和第二瓷器本體外部的中部開設(shè)有八個(gè)外側(cè)限定孔，所述外側(cè)限定孔的內(nèi)部可穿過(guò)定位螺栓。[0009] 一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷的制備方法，包括以下步驟：[0010] S1：對(duì)石英石廢物進(jìn)行選取，選取雜質(zhì)較少的石英石廢料，并帶動(dòng)選取的石英石雜料進(jìn)行粉碎處理；[0011] S2：將石英石廢料進(jìn)行粉碎處理后，并對(duì)石英石進(jìn)行篩選，同時(shí)帶動(dòng)篩選的石英石粉末與剛玉砂、碳酸氫鈉、飛灰、K2O、NaCl和水進(jìn)行混合，即可形成泥漿狀態(tài)；[0012] S3：設(shè)計(jì)模具，并將模具的內(nèi)部整齊的堆放高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物，并帶動(dòng)泥漿輸送至模具的內(nèi)部；[0013] S4：帶動(dòng)模具放置在高溫?zé)蒲b置的內(nèi)部進(jìn)行加熱，并控制加熱裝置控制在800℃并燒制8?10h；[0014] S5：將燒制的陶瓷拿取并進(jìn)行緩冷降溫，同時(shí)對(duì)初步定型后的瓷器進(jìn)行打孔處理，同時(shí)進(jìn)行二次煅燒，二次煅燒成型后可進(jìn)行二次緩冷降溫成型，并對(duì)燒制后的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)。[0015] 優(yōu)選的，對(duì)粉碎后的石英石進(jìn)行篩選時(shí)，粉碎后的石英石放置在篩網(wǎng)的內(nèi)部，并將篩分后的石英石放置在離心裝置的內(nèi)部。[0016] 優(yōu)選的，使用攪拌機(jī)對(duì)石英石粉末與剛玉砂、碳酸氫鈉、飛灰、K2O、NaCl和水進(jìn)行混合。[0017] 優(yōu)選的，模具的底部安裝有振動(dòng)裝置，高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物與泥漿之間依次堆放。[0018] 優(yōu)選的，瓷器一次緩冷降溫后，帶動(dòng)瓷器初步定型，同時(shí)對(duì)瓷器的外部進(jìn)行定型，對(duì)燒制后的瓷器表面產(chǎn)生的瑕疵進(jìn)行處理，同時(shí)對(duì)瓷器的上部的外部和外部的兩側(cè)分別開設(shè)有拼接限定孔(4)和外側(cè)限定孔(3)；并通過(guò)以下步驟對(duì)石英石廢棄物進(jìn)行匯集：通過(guò)匯集管道以及與匯集管道連接的定時(shí)鼓風(fēng)機(jī)和石英石廢棄物收集槽；所述的匯集管道頂部軸向間隔開設(shè)有多個(gè)石英石廢棄物引導(dǎo)通道，石英石廢棄物引導(dǎo)通道上方設(shè)有石英石廢棄物封蓋板，石英石廢棄物封蓋板的寬度小于石英石廢棄物引導(dǎo)通道，石英石廢棄物封蓋板上開設(shè)有多種孔徑石英石廢棄物篩選孔，石英石廢棄物封蓋板左右兩側(cè)均設(shè)有弧形的橫向?qū)虬?，石英石廢棄物封蓋板通過(guò)橫向?qū)虬迮c匯集管道連接；通過(guò)多種孔徑石英石廢棄物篩選孔對(duì)石英石廢棄物進(jìn)行篩選、分類，通過(guò)石英石廢棄物引導(dǎo)通道將分類的石英石廢棄物匯集以進(jìn)行石英石廢棄物制備多孔陶瓷。[0019] 優(yōu)選的，所述二次煅燒過(guò)程中，帶動(dòng)瓷器以3℃/min持續(xù)加溫至600℃并保持10h定型；對(duì)瓷器的三維結(jié)構(gòu)孔進(jìn)行二次排布；瓷器粘接于煅燒基座上；所述的三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列區(qū)包括三維結(jié)構(gòu)孔填料區(qū)和三維結(jié)構(gòu)孔清理區(qū)兩部分,三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列呈連續(xù)或離散分布；所述的三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列與陶瓷包括煅燒基座和三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列區(qū)粘接于煅燒基座上；三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列與氣孔可控排布通過(guò)控制三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列排布模板、胎體材料排布模板和陶瓷空心球排布模板的槽孔或圓孔相對(duì)于模具型腔的位置及尺寸分層實(shí)現(xiàn)，三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列排布模板的槽孔與胎體材料排布模板的槽孔位置互補(bǔ)，氣孔排布模板孔群區(qū)和胎體材料排布模板槽孔區(qū)重合；通過(guò)填充打磨對(duì)瓷器的三維結(jié)構(gòu)孔進(jìn)行二次排布。[0020] 優(yōu)選的，對(duì)燒制后的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)，包括：[0021] 按照預(yù)設(shè)周期旋轉(zhuǎn)采集燒制后的產(chǎn)品的紅外透射圖像，對(duì)所述紅外透射圖像進(jìn)行消除畸變處理，獲得優(yōu)化圖像，按照采集順序?qū)⑺鰞?yōu)化圖像排序，獲得優(yōu)化圖像序列；[0022] 基于預(yù)設(shè)檢測(cè)算法，檢測(cè)出待檢驗(yàn)產(chǎn)品在所述優(yōu)化圖像序列中第一張優(yōu)化圖像中的第一產(chǎn)品區(qū)域，并基于預(yù)設(shè)搜素算法對(duì)所述第一產(chǎn)品區(qū)域進(jìn)行搜索獲得對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)信號(hào)；[0023] 基于預(yù)設(shè)確定算法和所述第一產(chǎn)品區(qū)域，確定出所述優(yōu)化圖像序列中第二張優(yōu)化圖像中的搜索區(qū)域；[0024] 基于所述第一產(chǎn)品區(qū)域的大小確定搜索窗口尺寸，基于預(yù)設(shè)搜索算法和所述搜索窗口尺寸以及預(yù)設(shè)的搜索步長(zhǎng)，從所述第二張優(yōu)化圖像的搜索區(qū)域中的任一邊緣像素點(diǎn)開始搜索，同時(shí)，獲得每次搜索過(guò)程對(duì)應(yīng)的搜索信號(hào)，計(jì)算出所述基準(zhǔn)信號(hào)和所述搜索信號(hào)的結(jié)構(gòu)相似性表征值，并將最大結(jié)構(gòu)相似性表征值對(duì)應(yīng)的搜索區(qū)域作為所述第二張優(yōu)化圖像中的第二產(chǎn)品區(qū)域，基于所述第二產(chǎn)品區(qū)域確定出第三張優(yōu)化圖像中的第三產(chǎn)品區(qū)域，直至確定出所述優(yōu)化圖像序列中所有優(yōu)化圖像中的產(chǎn)品區(qū)域，并獲得對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品區(qū)域序列；[0025] 將所述第一產(chǎn)品區(qū)域劃分成多個(gè)第一子區(qū)域，同時(shí)，將所述第二產(chǎn)品區(qū)域劃分成多個(gè)第二子區(qū)域，獲得所述第一子區(qū)域和所述第二子區(qū)域中每個(gè)像素點(diǎn)的視覺特征值，基于所述視覺特征值獲得每個(gè)第一子區(qū)域的第一視覺特征矩陣和每個(gè)第二子區(qū)域?qū)?yīng)的第二視覺特征矩陣，將與所述第一視覺特征矩陣一致的第二視覺特征矩陣對(duì)應(yīng)的第二子區(qū)域確定為對(duì)應(yīng)第一子區(qū)域的偏移子區(qū)域，并獲取所述第一子區(qū)域和對(duì)應(yīng)偏移子區(qū)域之間的偏移距離，構(gòu)建所述第一產(chǎn)品區(qū)域和所述第二產(chǎn)品區(qū)域之間的偏移距離映射集合，直至確定出所述產(chǎn)品區(qū)域序列中所有相鄰產(chǎn)品區(qū)域之間的偏移距離映射集合；[0026] 基于所述偏移距離映射集合和所述產(chǎn)品區(qū)域序列，融合獲得產(chǎn)品整體圖像，基于預(yù)設(shè)的產(chǎn)品透射框架模型和所述產(chǎn)品整體圖像構(gòu)建待檢驗(yàn)產(chǎn)品的產(chǎn)品透射模型；[0027] 對(duì)所述產(chǎn)品透射模型進(jìn)行檢驗(yàn)，判斷所述待檢驗(yàn)產(chǎn)品是否合格。[0028] 優(yōu)選的，基于所述偏移距離映射集合和所述產(chǎn)品區(qū)域序列，融合獲得產(chǎn)品整體圖像，包括：[0029] 基于所述偏移距離映射集合確定所述第一產(chǎn)品區(qū)域中的第一重疊子區(qū)域，同時(shí)，確定出所述第二產(chǎn)品區(qū)域中的第二重疊子區(qū)域；[0030] 計(jì)算出所述第一重疊區(qū)域中每一列第一像素點(diǎn)和所述第二重疊區(qū)域中對(duì)應(yīng)列第二像素點(diǎn)的相鄰列第三像素點(diǎn)之間的融合評(píng)價(jià)值；[0031] 將最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第一像素點(diǎn)作為第一產(chǎn)品區(qū)域的第一融合邊界，將最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第三像素點(diǎn)作為第二產(chǎn)品區(qū)域的第二融合邊界，基于所述第一融合邊界將所述第一產(chǎn)品區(qū)域切割獲得第一融合子圖像，基于所述第二融合邊界將所述第二產(chǎn)品區(qū)域切割獲得第二融合子圖像；[0032] 將所述第一融合子圖像的第一融合邊界和所述第二融合子圖像的第二融合邊界連接，獲得產(chǎn)品整體圖像。[0033] 與現(xiàn)有用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法對(duì)比，本發(fā)明具備以下有益效果：[0034] 1、該用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法，通過(guò)將裝置第一瓷器本體上部的外部開設(shè)有八個(gè)拼接限定孔，且拼接限定孔下部下設(shè)的凹槽向外部擴(kuò)散，并裝置拼接銷的上部和下部安裝有凸桿，即可帶動(dòng)拼接銷分別卡接在第一瓷器本體和第二瓷器本體內(nèi)部開設(shè)拼接限定孔的內(nèi)部，并帶動(dòng)拼接銷外部的凸桿卡接在拼接限定孔內(nèi)部凹槽的內(nèi)部，支撐帶動(dòng)第一瓷器本體與第二瓷器本體之間進(jìn)行拼接時(shí)增加穩(wěn)固性。[0035] 2、該用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法，通過(guò)手動(dòng)選取石英石廢棄物，即可避免石英石廢氣物中含有雜質(zhì)過(guò)大，影響后期瓷器制造時(shí)影響定型效果，同時(shí)將篩選后的石英石進(jìn)行粉碎后，并經(jīng)過(guò)篩網(wǎng)篩分合適的顆粒，并使用離心裝置，對(duì)石英石中含有的膠質(zhì)之間進(jìn)行分離，即可增加石英石生產(chǎn)時(shí)增加精純度。[0036] 2、該用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷及其制備方法，在后期加熱定型時(shí)，通過(guò)初步加熱后的瓷器取出，并對(duì)瓷器的外部進(jìn)行切削和整形，即可避免后期燒結(jié)后瓷器進(jìn)行整形時(shí)，會(huì)對(duì)瓷器整體造成損壞的問(wèn)題，并帶動(dòng)定型后的瓷器進(jìn)行緩溫加熱，即可避免對(duì)瓷器造成損壞。[0037] 3、本發(fā)明在采集的紅外透射圖像中搜索出確定出所有產(chǎn)品區(qū)域，然后基于視覺特征確定出產(chǎn)品區(qū)域中嗎每個(gè)子區(qū)域?qū)?yīng)的偏移子區(qū)域，進(jìn)而確定出每個(gè)子區(qū)域?qū)?yīng)的偏移距離，基于偏移距離進(jìn)行融合獲得產(chǎn)品整體圖像，基于產(chǎn)品圖像和預(yù)設(shè)的產(chǎn)品透射框架模型構(gòu)建待檢驗(yàn)產(chǎn)品的產(chǎn)品透射模型，精準(zhǔn)地生成待檢驗(yàn)產(chǎn)品的透射模型，基于所述產(chǎn)品透射模型檢驗(yàn)待檢驗(yàn)產(chǎn)品是否合格，與傳統(tǒng)的檢驗(yàn)方法相比，可以檢驗(yàn)出產(chǎn)品的內(nèi)部是否存在殘缺或者料體不均勻的問(wèn)題，豐富了檢驗(yàn)結(jié)果，保證了檢驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。[0038] 4、本發(fā)明確定出相鄰產(chǎn)品區(qū)域的重疊區(qū)域，并通過(guò)計(jì)算每個(gè)產(chǎn)品區(qū)域中重疊區(qū)域中的每一列像素點(diǎn)與相鄰產(chǎn)品區(qū)域中重疊區(qū)域中的對(duì)應(yīng)相鄰列像素點(diǎn)之間的融合評(píng)價(jià)值，確定出最適合融合的產(chǎn)品區(qū)域中的邊界線，相比直接重疊融合減少了圖像冗余，同時(shí)，比其他切割融合方式的融合效果更佳。附圖說(shuō)明[0039] 圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)主體示意圖；[0040] 圖2為本發(fā)明結(jié)構(gòu)主體剖視示意圖；[0041] 圖3為本發(fā)明制備方法流程示意圖。[0042] 圖中：1、第一瓷器本體；2、第二瓷器本體；3、外側(cè)限定孔；4、拼接限定孔；5、拼接銷；6、出氣孔。具體實(shí)施方式[0043] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。[0044] 請(qǐng)參閱圖1和圖2，一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷，包括第一瓷器本體1，第一瓷器本體1的上部活動(dòng)套接有第二瓷器本體2，通過(guò)將裝置第二瓷器本體2活動(dòng)套接在第一瓷器本體1的上部，即可增加陶瓷使用時(shí)的厚度，第一瓷器本體1外側(cè)的中部開設(shè)有外側(cè)限定孔3，通過(guò)將第一瓷器本體1和第二瓷器本體2的外側(cè)均開設(shè)有外側(cè)限定孔3，即可帶動(dòng)外側(cè)限定孔3的內(nèi)部插入定位銷，即可方便帶動(dòng)第一瓷器本體1和第二瓷器本體2的位置進(jìn)行定位，第一瓷器本體1上部的外側(cè)開設(shè)有拼接限定孔4，拼接限定孔4的內(nèi)部活動(dòng)套接有拼接銷5，通過(guò)將拼接銷5的上部和下部分別活動(dòng)套接在第二瓷器本體2混合第一瓷器本體1內(nèi)部開設(shè)的拼接限定孔4內(nèi)部，可帶動(dòng)第一瓷器本體1與第二瓷器本體2之間進(jìn)行拼接限定。[0045] 參考圖2，第一瓷器本體1上部和下部的外部均開設(shè)有八個(gè)拼接限定孔4，拼接限定孔4的上部成圓柱形，拼接限定孔4下部的凹槽向外部擴(kuò)散，拼接銷5端部的外部向外部凸起，拼接銷5分別活動(dòng)套接在第一瓷器本體1和第二瓷器本體2連接處內(nèi)部開設(shè)拼接限定孔4的內(nèi)部，通過(guò)將裝置第一瓷器本體1上部的外部開設(shè)有八個(gè)拼接限定孔4，且拼接限定孔4下部下設(shè)的凹槽向外部擴(kuò)散，并裝置拼接銷5的上部和下部安裝有凸桿，即可帶動(dòng)拼接銷5分別卡接在第一瓷器本體1和第二瓷器本體2內(nèi)部開設(shè)拼接限定孔4的內(nèi)部，并帶動(dòng)拼接銷5外部的凸桿卡接在拼接限定孔4內(nèi)部凹槽的內(nèi)部，支撐帶動(dòng)第一瓷器本體1與第二瓷器本體2之間進(jìn)行拼接時(shí)增加穩(wěn)固性。[0046] 參考圖1，第一瓷器本體1的內(nèi)部開設(shè)有出氣孔6，出氣孔6呈圓形，出氣孔6在第一瓷器本體1和第二瓷器本體2的內(nèi)部等間距排列，兩個(gè)相連的出氣孔6之間安裝有連接管道，通過(guò)將第一瓷器本體1和第二瓷器本體2的內(nèi)部開設(shè)有出氣孔6，即可帶動(dòng)出氣孔6帶動(dòng)氣體在內(nèi)部流通，同時(shí)形成均的凹槽狀，即可起到消音和過(guò)濾等作用。[0047] 參考圖1，第一瓷器本體1和第二瓷器本體2外部的中部開設(shè)有八個(gè)外側(cè)限定孔3，外側(cè)限定孔3的內(nèi)部可穿過(guò)定位螺栓，通過(guò)將第一瓷器本體1和第二瓷器本體2的外部開設(shè)有外側(cè)限定孔3，且外側(cè)限定孔3開設(shè)有八個(gè)，即可從不同方位插入定位銷，至此帶動(dòng)第一瓷器本體1和第二瓷器本體2的位置進(jìn)行限定。[0048] 一種用石英石廢棄物制備的多孔陶瓷的制備方法，包括以下步驟：[0049] S1：對(duì)石英石廢物進(jìn)行選取，選取雜質(zhì)較少的石英石廢料，并帶動(dòng)選取的石英石雜料進(jìn)行粉碎處理；[0050] S2：將石英石廢料進(jìn)行粉碎處理后，并對(duì)石英石進(jìn)行篩選，同時(shí)帶動(dòng)篩選的石英石粉末與剛玉砂、碳酸氫鈉、飛灰、K2O、NaCl和水進(jìn)行混合，即可形成泥漿狀態(tài)；[0051] S3：設(shè)計(jì)模具，并將模具的內(nèi)部整齊的堆放高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物，并帶動(dòng)泥漿輸送至模具的內(nèi)部；[0052] S4：帶動(dòng)模具放置在高溫?zé)蒲b置的內(nèi)部進(jìn)行加熱，并控制加熱裝置控制在800℃并燒制8?10h；[0053] S5：將燒制的陶瓷拿取并進(jìn)行緩冷降溫，同時(shí)對(duì)初步定型后的瓷器進(jìn)行打孔處理，同時(shí)進(jìn)行二次煅燒，二次煅燒成型后可進(jìn)行二次緩冷降溫成型，并對(duì)燒制后的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)。[0054] 參考圖3，對(duì)粉碎后的石英石進(jìn)行篩選時(shí)，粉碎后的石英石放置在篩網(wǎng)的內(nèi)部，并將篩分后的石英石放置在離心裝置的內(nèi)部，通過(guò)在對(duì)石英石進(jìn)行粉碎處理后，產(chǎn)生大小不同的顆粒，并將粉碎后的石英石經(jīng)過(guò)篩網(wǎng)進(jìn)行篩選，需要小顆粒的石英石顆粒，并將篩選后的石英石顆粒輸送至離心裝置中，即可對(duì)石英石中的膠質(zhì)與石英石之間進(jìn)行分離，即可避免膠質(zhì)對(duì)瓷器生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生損壞的問(wèn)題，同時(shí)帶動(dòng)石英石之間進(jìn)行選料時(shí)增加單一性。[0055] 參考圖3，使用攪拌機(jī)對(duì)石英石粉末與剛玉砂、碳酸氫鈉、飛灰、K2O、NaCl和水進(jìn)行混合，通過(guò)將混合物之間通過(guò)攪拌機(jī)進(jìn)行混合，即可帶動(dòng)裝置使用時(shí)混合的便捷性和充分性，同時(shí)石英石粉末添加剛玉砂(效果：增加瓷器的剛度)、碳酸氫鈉(作用：碳酸氫鈉是冶煉過(guò)程中重要的助熔劑，起到石英石與混合之間進(jìn)行混合)、飛灰(作用：帶動(dòng)混合物混合中進(jìn)行粘粘)、K2O、NaCl和水，即可起到裝置使用時(shí)石英石之間進(jìn)行混合和增加石英石的使用效果。[0056] 參考圖3，模具的底部安裝有振動(dòng)裝置，高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物與泥漿之間依次堆放，通過(guò)將高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物放置在泥漿的內(nèi)部，并依次放置泥漿，同時(shí)啟動(dòng)振動(dòng)裝置，即可帶動(dòng)高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物與泥漿之間在模具的內(nèi)部混合的穩(wěn)定性，即可帶動(dòng)高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物在模具的內(nèi)部等間距排練，同時(shí)模具進(jìn)行加熱后，帶動(dòng)高溫?fù)]發(fā)有機(jī)物進(jìn)行揮發(fā)，即可帶動(dòng)瓷器的內(nèi)部產(chǎn)生多孔。[0057] 參考圖3，瓷器一次緩冷降溫后，帶動(dòng)瓷器初步定型，同時(shí)對(duì)瓷器的外部進(jìn)行定型，對(duì)燒制后的瓷器表面產(chǎn)生的瑕疵進(jìn)行處理，同時(shí)對(duì)瓷器的上部的外部和外部的兩側(cè)分別開設(shè)有拼接限定孔4和外側(cè)限定孔3，通過(guò)將裝置進(jìn)行初步降溫，帶動(dòng)模具內(nèi)部的瓷器進(jìn)行初步定型，同時(shí)帶動(dòng)瓷器外部產(chǎn)生的多余的部分進(jìn)行清理，同時(shí)在瓷器的上部的外側(cè)開設(shè)有拼接限定孔4和外側(cè)限定孔3，即可在定型前瓷器表面存在可塑性的情況下回模具的形狀和定型孔進(jìn)行開設(shè)，避免后期定型后進(jìn)行開設(shè)凹槽和整形出現(xiàn)對(duì)模具損壞，且造成不可逆的問(wèn)題。[0058] 參考圖3，二次煅燒過(guò)程中，帶動(dòng)瓷器以3℃/min持續(xù)加溫至600℃并保持10h定型，在二次煅燒過(guò)程中，通過(guò)將瓷器以3℃/min持續(xù)加溫至600℃的速度緩慢加熱，即可避免加熱過(guò)程中加熱溫度突然變高對(duì)瓷器造成損壞，并通過(guò)持續(xù)加熱的作用下加熱10h，即可帶動(dòng)瓷器進(jìn)行加熱定型；瓷器一次緩冷降溫后，帶動(dòng)瓷器初步定型，同時(shí)對(duì)瓷器的外部進(jìn)行定型，對(duì)燒制后的瓷器表面產(chǎn)生的瑕疵進(jìn)行處理，同時(shí)對(duì)瓷器的上部的外部和外部的兩側(cè)分別開設(shè)有拼接限定孔4和外側(cè)限定孔3；并通過(guò)以下步驟對(duì)石英石廢棄物進(jìn)行匯集：通過(guò)匯集管道以及與匯集管道連接的定時(shí)鼓風(fēng)機(jī)和石英石廢棄物收集槽；所述的匯集管道頂部軸向間隔開設(shè)有多個(gè)石英石廢棄物引導(dǎo)通道，石英石廢棄物引導(dǎo)通道上方設(shè)有石英石廢棄物封蓋板，石英石廢棄物封蓋板的寬度小于石英石廢棄物引導(dǎo)通道，石英石廢棄物封蓋板上開設(shè)有多種孔徑石英石廢棄物篩選孔，石英石廢棄物封蓋板左右兩側(cè)均設(shè)有弧形的橫向?qū)虬?，石英石廢棄物封蓋板通過(guò)橫向?qū)虬迮c匯集管道連接；通過(guò)多種孔徑石英石廢棄物篩選孔對(duì)石英石廢棄物進(jìn)行篩選、分類，通過(guò)石英石廢棄物引導(dǎo)通道將分類的石英石廢棄物匯集以進(jìn)行石英石廢棄物制備多孔陶瓷。[0059] 所述二次煅燒過(guò)程中，帶動(dòng)瓷器以3℃/min持續(xù)加溫至600℃并保持10h定型；對(duì)瓷器的三維結(jié)構(gòu)孔進(jìn)行二次排布；瓷器粘接于煅燒基座上；所述的三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列區(qū)包括三維結(jié)構(gòu)孔填料區(qū)和三維結(jié)構(gòu)孔清理區(qū)兩部分,三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列呈連續(xù)或離散分布；所述的三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列與陶瓷包括煅燒基座和三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列區(qū)粘接于煅燒基座上；三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列與氣孔可控排布通過(guò)控制三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列排布模板、胎體材料排布模板和陶瓷空心球排布模板的槽孔或圓孔相對(duì)于模具型腔的位置及尺寸分層實(shí)現(xiàn)，三維結(jié)構(gòu)孔打磨高速旋體陣列排布模板的槽孔與胎體材料排布模板的槽孔位置互補(bǔ)，氣孔排布模板孔群區(qū)和胎體材料排布模板槽孔區(qū)重合；通過(guò)填充打磨對(duì)瓷器的三維結(jié)構(gòu)孔進(jìn)行二次排布。[0060] 計(jì)算石英石廢棄物制備多孔陶瓷過(guò)程的粉塵排放量：[0061][0062] 其中，Cpl表示石英石廢棄物制備多孔陶瓷過(guò)程的粉塵排放量，Ecpi表示石英石廢棄物制備多孔陶瓷過(guò)程的第i類廢棄物排放系數(shù)，Kcfj表示石英石廢棄物制備多孔陶瓷過(guò)程的消耗j類制備能量,m表示石英石廢棄物制備多孔陶瓷過(guò)程的所有類廢棄物；通過(guò)計(jì)算石英石廢棄物制備多孔陶瓷過(guò)程的粉塵排放量，當(dāng)制備過(guò)程粉塵排放量大于設(shè)定排放量，進(jìn)行報(bào)警提示，以開啟粉塵裝置進(jìn)行凈化。[0063] 對(duì)燒制后的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)，包括：[0064] 按照預(yù)設(shè)周期旋轉(zhuǎn)采集燒制后的產(chǎn)品的紅外透射圖像(通過(guò)紅外相機(jī))，對(duì)所述紅外透射圖像進(jìn)行消除畸變處理，獲得優(yōu)化圖像(紅外透射圖像進(jìn)行消除畸變處理后獲得的)，按照采集順序?qū)⑺鰞?yōu)化圖像排序，獲得優(yōu)化圖像序列；[0065] 基于預(yù)設(shè)檢測(cè)算法(例如，洪水覆蓋算法)，檢測(cè)出待檢驗(yàn)產(chǎn)品在所述優(yōu)化圖像序列中第一張優(yōu)化圖像中的第一產(chǎn)品區(qū)域(待檢驗(yàn)產(chǎn)品在第一張優(yōu)化圖像中的圖像區(qū)域)，并基于預(yù)設(shè)搜索算法(例如廣度優(yōu)先算法)對(duì)所述第一產(chǎn)品區(qū)域進(jìn)行搜索獲得對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)信號(hào)(對(duì)第一產(chǎn)品區(qū)域進(jìn)行搜索后獲得的信號(hào))；[0066] 基于預(yù)設(shè)確定算法(即搜索區(qū)域的寬度為第一產(chǎn)品區(qū)域的寬度加上二倍的搜索變化寬度值，搜索區(qū)域的高度為第一產(chǎn)品區(qū)域的高度加上二倍的搜索變化高度值，搜索變化寬度值和搜索變化高度值為人為設(shè)定)和所述第一產(chǎn)品區(qū)域，確定出所述優(yōu)化圖像序列中第二張優(yōu)化圖像中的搜索區(qū)域(即為二張優(yōu)化圖像中被搜索中的圖像區(qū)域)；[0067] 基于所述第一產(chǎn)品區(qū)域的大小確定搜索窗口尺寸(搜索窗口的寬為第一產(chǎn)品區(qū)域的寬，搜索產(chǎn)品的高位第一產(chǎn)品區(qū)域的高)，基于預(yù)設(shè)搜索算法和所述搜索窗口尺寸以及預(yù)設(shè)的搜索步長(zhǎng)，從所述第二張優(yōu)化圖像的搜索區(qū)域中的任一邊緣像素點(diǎn)開始搜索，同時(shí)，獲得每次搜索過(guò)程對(duì)應(yīng)的搜索信號(hào)，計(jì)算出所述基準(zhǔn)信號(hào)和所述搜索信號(hào)的結(jié)構(gòu)相似性表征值，包括：[0068][0069] 式中，S為基準(zhǔn)信號(hào)和搜索信號(hào)的結(jié)構(gòu)相似性表征值，α為基準(zhǔn)信號(hào)校正因子且α取值為[1,10]，β為搜索信號(hào)校正因子且β取值為[1,10]， 為基準(zhǔn)信號(hào)平均值， 為搜索信號(hào)平均值，θ1為基準(zhǔn)信號(hào)穩(wěn)定因子且θ1取值為[0,1]，σ1為基準(zhǔn)信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)差值，σ2為搜索信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)差，θ2為搜索信號(hào)穩(wěn)定因子且θ2取值為[0,1]，τ12為基準(zhǔn)信號(hào)和搜索信號(hào)的沖激因子且τ12取值為[1,100]；[0070] 例如，α為0.5，β為0.5， 為10， 為10，θ1為1，σ1為5，σ2為5，θ2為1，τ12為50，則S為5.9；[0071] 并將最大結(jié)構(gòu)相似性表征值對(duì)應(yīng)的搜索區(qū)域作為所述第二張優(yōu)化圖像中的第二產(chǎn)品區(qū)域(即為待檢驗(yàn)產(chǎn)品在第二張優(yōu)化圖像中的區(qū)域)，基于所述第二產(chǎn)品區(qū)域確定出第三張優(yōu)化圖像中的第三產(chǎn)品區(qū)域(即為待檢驗(yàn)產(chǎn)品在第三張優(yōu)化圖像中的區(qū)域)，直至確定出所述優(yōu)化圖像序列中所有優(yōu)化圖像中的產(chǎn)品區(qū)域，并獲得對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品區(qū)域序列(將產(chǎn)品區(qū)域按照采集順序排序獲得)；[0072] 將所述第一產(chǎn)品區(qū)域劃分成多個(gè)第一子區(qū)域(由第一產(chǎn)品區(qū)域劃分獲得)，同時(shí)，將所述第二產(chǎn)品區(qū)域劃分成多個(gè)第二子區(qū)域(由第二產(chǎn)品區(qū)域劃分獲得)，獲得所述第一子區(qū)域和所述第二子區(qū)域中每個(gè)像素點(diǎn)的視覺特征值(即為色度值、灰度值、亮度值)，基于所述視覺特征值獲得每個(gè)第一子區(qū)域的第一視覺特征矩陣(包括第一子區(qū)域中每個(gè)像素點(diǎn)的色度值構(gòu)成的矩陣、灰度值構(gòu)成的矩陣、亮度值構(gòu)成的矩陣)和每個(gè)第二子區(qū)域?qū)?yīng)的第二視覺特征矩陣(包括第二子區(qū)域中每個(gè)像素點(diǎn)的色度值構(gòu)成的矩陣、灰度值構(gòu)成的矩陣、亮度值構(gòu)成的矩陣)，將與所述第一視覺特征矩陣一致的第二視覺特征矩陣對(duì)應(yīng)(即色度值構(gòu)成的矩陣、灰度值構(gòu)成的矩陣、亮度值構(gòu)成的矩陣都一一對(duì)應(yīng)相同)的第二子區(qū)域確定為對(duì)應(yīng)第一子區(qū)域的偏移子區(qū)域，并獲取所述第一子區(qū)域和對(duì)應(yīng)偏移子區(qū)域之間的偏移距離(第一子區(qū)域的中心像素點(diǎn)和第二子區(qū)域中心像素點(diǎn)之間的坐標(biāo)差值)，構(gòu)建所述第一產(chǎn)品區(qū)域和所述第二產(chǎn)品區(qū)域之間的偏移距離映射集合(含有每個(gè)偏移子區(qū)域?qū)?yīng)的偏移距離)，直至確定出所述產(chǎn)品區(qū)域序列中所有相鄰產(chǎn)品區(qū)域之間的偏移距離映射集合；[0073] 基于所述偏移距離映射集合和所述產(chǎn)品區(qū)域序列，融合獲得產(chǎn)品整體圖像(反映產(chǎn)品整體的圖像)，基于預(yù)設(shè)的產(chǎn)品透射框架模型和所述產(chǎn)品整體圖像構(gòu)建待檢驗(yàn)產(chǎn)品的產(chǎn)品透射模型(待檢驗(yàn)產(chǎn)品的紅外透射模型)；[0074] 對(duì)所述產(chǎn)品透射模型進(jìn)行檢驗(yàn)，判斷所述待檢驗(yàn)產(chǎn)品是否合格。[0075] 以上技術(shù)的工作原理及其有益效果為：采集紅外透射圖像，對(duì)紅外透射圖像進(jìn)行消除畸變處理并排序，獲得優(yōu)化圖像序列；檢測(cè)出待檢驗(yàn)產(chǎn)品在優(yōu)化圖像序列中第一張優(yōu)化圖像中的第一產(chǎn)品區(qū)域，并獲得對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)信號(hào)；確定出優(yōu)化圖像序列中第二張優(yōu)化圖像中的搜索區(qū)域；從第二張優(yōu)化圖像的搜索區(qū)域中的任一邊緣像素點(diǎn)開始搜索，基于搜索結(jié)果確定第二張優(yōu)化圖像中的第二產(chǎn)品區(qū)域，基于第二產(chǎn)品區(qū)域確定出第三張優(yōu)化圖像中的第三產(chǎn)品區(qū)域，直至確定出優(yōu)化圖像序列中所有優(yōu)化圖像中的產(chǎn)品區(qū)域，獲得對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品區(qū)域序列；將第一產(chǎn)品區(qū)域劃分成多個(gè)第一子區(qū)域，同時(shí)，將第二產(chǎn)品區(qū)域劃分成多個(gè)第二子區(qū)域，獲得第一子區(qū)域和第二子區(qū)域中每個(gè)像素點(diǎn)的視覺特征值，基于視覺特征值獲得每個(gè)第一子區(qū)域的第一視覺特征矩陣和每個(gè)第二子區(qū)域?qū)?yīng)的第二視覺特征矩陣，將與第一視覺特征矩陣一致的第二視覺特征矩陣對(duì)應(yīng)的第二子區(qū)域確定為對(duì)應(yīng)第一子區(qū)域的偏移子區(qū)域，并獲取第一子區(qū)域和對(duì)應(yīng)偏移子區(qū)域之間的偏移距離，構(gòu)建第一產(chǎn)品區(qū)域和第二產(chǎn)品區(qū)域之間的偏移距離映射集合，直至確定出產(chǎn)品區(qū)域序列中所有相鄰產(chǎn)品區(qū)域之間的偏移距離映射集合；基于偏移距離映射集合和產(chǎn)品區(qū)域序列，融合獲得產(chǎn)品整體圖像，基于預(yù)設(shè)的產(chǎn)品透射框架模型和產(chǎn)品整體圖像構(gòu)建待檢驗(yàn)產(chǎn)品的產(chǎn)品透射模型；對(duì)產(chǎn)品透射模型進(jìn)行檢驗(yàn)，判斷待檢驗(yàn)產(chǎn)品是否合格；本發(fā)明在采集的紅外透射圖像中搜索出確定出所有產(chǎn)品區(qū)域，然后基于視覺特征確定出產(chǎn)品區(qū)域中嗎每個(gè)子區(qū)域?qū)?yīng)的偏移子區(qū)域，進(jìn)而確定出每個(gè)子區(qū)域?qū)?yīng)的偏移距離，基于偏移距離進(jìn)行融合獲得產(chǎn)品整體圖像，基于產(chǎn)品圖像和預(yù)設(shè)的產(chǎn)品透射框架模型構(gòu)建待檢驗(yàn)產(chǎn)品的產(chǎn)品透射模型，精準(zhǔn)地生成待檢驗(yàn)產(chǎn)品的透射模型，基于所述產(chǎn)品透射模型檢驗(yàn)待檢驗(yàn)產(chǎn)品是否合格，與傳統(tǒng)的檢驗(yàn)方法相比，可以檢驗(yàn)出產(chǎn)品的內(nèi)部是否存在殘缺或者料體不均勻的問(wèn)題，豐富了檢驗(yàn)結(jié)果，保證了檢驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。[0076] 基于所述偏移距離映射集合和所述產(chǎn)品區(qū)域序列，融合獲得產(chǎn)品整體圖像，包括：[0077] 基于所述偏移距離映射集合確定所述第一產(chǎn)品區(qū)域中的第一重疊子區(qū)域(第一產(chǎn)品區(qū)域中的重疊子區(qū)域)，同時(shí)，確定出所述第二產(chǎn)品區(qū)域中的第二重疊子區(qū)域(第二產(chǎn)品區(qū)域中的重疊子區(qū)域)；[0078] 計(jì)算出所述第一重疊區(qū)域中每一列第一像素點(diǎn)(第一重疊區(qū)域中的每列像素點(diǎn))和所述第二重疊區(qū)域中對(duì)應(yīng)列第二像素點(diǎn)(第一像素點(diǎn)在第二產(chǎn)品區(qū)域中的對(duì)應(yīng)列像素點(diǎn))的相鄰列第三像素點(diǎn)(對(duì)應(yīng)列像素點(diǎn)在第二產(chǎn)品區(qū)域中的保留區(qū)域側(cè)的相鄰列像素點(diǎn))之間的融合評(píng)價(jià)值，包括：[0079] 將所述第一重疊區(qū)域和所述第二重疊區(qū)域統(tǒng)一在預(yù)設(shè)坐標(biāo)中，獲取所述第一重疊區(qū)域中每一列像素點(diǎn)和所述第二重疊區(qū)域中每一列像素點(diǎn)的坐標(biāo)值；[0080] 基于所述第一重疊區(qū)域中每一列像素點(diǎn)和所述第二重疊區(qū)域中每一列像素點(diǎn)的坐標(biāo)值，計(jì)算出所述第一像素點(diǎn)的第一權(quán)重因子和所述第三像素點(diǎn)的第二權(quán)重因子：[0081][0082][0083] 式中，τ1為第一權(quán)重因子，τ2為第二權(quán)重因子，X1為第一像素點(diǎn)的橫坐標(biāo)值，X1L為第一重疊區(qū)域的左邊界像素點(diǎn)的橫坐標(biāo)值，X1R為第一重疊區(qū)域的右邊界像素點(diǎn)的橫坐標(biāo)值，S1為所有第一像素點(diǎn)的亮度平均值，M1為所有第一像素點(diǎn)的色度平均值，Q1為所有第一像素點(diǎn)的灰度平均值，X2L為第二重疊區(qū)域的左邊界像素點(diǎn)的橫坐標(biāo)值，X2R為第二重疊區(qū)域的右邊界像素點(diǎn)的橫坐標(biāo)值，S2為所有第三像素點(diǎn)的亮度平均值，M2為所有第三像素點(diǎn)的色度平均值，Q2為所有第三像素點(diǎn)的灰度平均值；[0084] 基于所述第一權(quán)重因子和所述第二權(quán)重因子，計(jì)算出第一重疊區(qū)域中每一列像素點(diǎn)和對(duì)應(yīng)列第三像素點(diǎn)之間的融合評(píng)價(jià)值：[0085][0086] 式中，ω為第一重疊區(qū)域中每一列像素點(diǎn)和對(duì)應(yīng)列第三像素點(diǎn)之間的融合評(píng)價(jià)值，R(·)為二值函數(shù)，當(dāng)·≥0時(shí)，則R(·)＝1，當(dāng)·<0時(shí)，則R(·)＝0；[0087] 例如，X1為5，X1L為1，X1R為10，S1為10，M1為10，Q1為7，則τ1為?61；X2為5，X2L為1，X2R為10，S2為2，M2為2，Q2為4，則τ2為41，則ω為?0.93；

[0088] 將最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第一像素點(diǎn)作為第一產(chǎn)品區(qū)域的第一融合邊界(第一產(chǎn)品區(qū)域中最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第一像素點(diǎn))，將最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第三像素點(diǎn)作為第二產(chǎn)品區(qū)域的第二融合邊界(第二產(chǎn)品區(qū)域中最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第一像素點(diǎn))，基于所述第一融合邊界將所述第一產(chǎn)品區(qū)域切割獲得第一融合子圖像(即為第一產(chǎn)品區(qū)域中與采集方向相反的第一融合邊界的一側(cè)保留的圖像區(qū)域)，基于所述第二融合邊界將所述第二產(chǎn)品區(qū)域切割獲得第二融合子圖像(即為第一產(chǎn)品區(qū)域中與采集方向相同的第一融合邊界的一側(cè)保留的圖像區(qū)域)；[0089] 將所述第一融合子圖像的第一融合邊界和所述第二融合子圖像的第二融合邊界連接，獲得產(chǎn)品整體圖像。[0090] 以上技術(shù)的工作原理及其有益效果為：基于偏移距離映射集合確定第一產(chǎn)品區(qū)域中的第一重疊子區(qū)域，同時(shí)，確定出第二產(chǎn)品區(qū)域中的第二重疊子區(qū)域；計(jì)算出第一重疊區(qū)域中每一列第一像素點(diǎn)和第二產(chǎn)品區(qū)域中對(duì)應(yīng)列第二像素點(diǎn)的相鄰列第三像素點(diǎn)之間的融合評(píng)價(jià)值；將最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第一像素點(diǎn)作為第一產(chǎn)品區(qū)域的第一融合邊界，將最大融合評(píng)價(jià)值對(duì)應(yīng)的一列第三像素點(diǎn)作為第二產(chǎn)品區(qū)域的第二融合邊界，基于第一融合邊界將第一產(chǎn)品區(qū)域切割獲得第一融合子圖像，基于第二融合邊界將第二產(chǎn)品區(qū)域切割獲得第二融合子圖像；將第一融合子圖像的第一融合邊界和第二融合子圖像的第二融合邊界連接，獲得產(chǎn)品整體圖像。本發(fā)明確定出相鄰產(chǎn)品區(qū)域的重疊區(qū)域，并通過(guò)計(jì)算每個(gè)產(chǎn)品區(qū)域中重疊區(qū)域中的每一列像素點(diǎn)與相鄰產(chǎn)品區(qū)域中重疊區(qū)域中的對(duì)應(yīng)相鄰列像素點(diǎn)之間的融合評(píng)價(jià)值，確定出最適合融合的產(chǎn)品區(qū)域中的邊界線，相比直接重疊融合減少了圖像冗余，同時(shí)，比其他切割融合方式的融合效果更佳。[0091] 盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。