權(quán)利要求書： 1.一種兩室三電極電解電滲析裝置，其特征在于：包括電解池（1），所述電解池（1）內(nèi)設(shè)置有中間極板（6）、正極板（8）、負(fù)極板（9）；所述電解池（1）還連接有根據(jù)流經(jīng)正極板（8）的電荷量和/或根據(jù)流經(jīng)負(fù)極板（9）的電荷量調(diào)節(jié)電解電滲析的陰陽離子濃度的電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)（12）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種兩室三電極電解電滲析裝置，其特征在于：所述電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)（12）包括，

供電機(jī)構(gòu)（13），作為電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)（12）的電力來源；

MCU；

開關(guān)控制電路（14），連接于MCU的輸出端與供電機(jī)構(gòu)（13）之間，設(shè)有若干輸出口，通過MCU控制開關(guān)控制電路（14）輸出口的導(dǎo)通；

正極電荷量檢測部件，連接于開關(guān)控制電路（14）的輸出口與正極板（8）之間，其信號輸出端連接于MCU的輸入端，輸出正極電荷量檢測信號；

負(fù)極電荷量檢測部件，連接于開關(guān)控制電路（14）的輸出口與負(fù)極板（9）之間，其信號輸出端連接于MCU的輸入端，輸出負(fù)極電荷量檢測信號；

MCU根據(jù)正極電荷量檢測部件輸出的正極電荷量檢測信號及負(fù)極電荷量檢測部件輸出負(fù)極電荷量檢測信號控制開關(guān)控制電路（14）不同輸出口的導(dǎo)通時間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種兩室三電極電解電滲析裝置，其特征在于：所述正極電荷量檢測部件為連接于開關(guān)控制電路（14）與正極板（8）之間的正極庫侖計(jì)（16），所述正極庫侖計(jì)（16）的數(shù)據(jù)輸出口連接于MCU的輸入端；所述負(fù)極電荷量檢測部件為連接于開關(guān)控制電路（14）與負(fù)極板（9）之間的負(fù)極庫侖計(jì)（17），所述負(fù)極庫侖計(jì)（17）的數(shù)據(jù)輸出口連接于MCU的輸入端。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種兩室三電極電解電滲析裝置，其特征在于：所述開關(guān)控制電路（14）連接有起穩(wěn)壓作用的穩(wěn)壓電路（15）。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種兩室三電極電解電滲析裝置，其特征在于：所述正極電荷量檢測部件為連接于開關(guān)控制電路（14）與正極板（8）之間的第一電阻器R1，所述第一電阻器R1將其兩端的電壓信號傳輸至MCU的信號輸入端；所述負(fù)極電荷量檢測部件為連接于開關(guān)控制電路（14）與負(fù)極板（9）之間的第二電阻器R2，所述第二電阻器R2將其兩端的電壓信號傳輸至MCU的信號輸入端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種兩室三電極電解電滲析裝置，其特征在于：所述電解池（1）內(nèi)形成有母液室（2）和成品室（3）；所述母液室（2）和成品室（3）相連通；所述電解池（1）內(nèi)設(shè)置有第一離子選擇性透過膜（10）和第二離子選擇性透過膜（11）；所述第一離子選擇性透過膜（10）位于正極板（8）和中間極板（6）之間；第二離子選擇性透過膜（11）位于負(fù)極板（9）和中間極板（6）之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種兩室三電極電解電滲析裝置，其特征在于：所述中間極板（6）、正極板（8）和負(fù)極板（9）皆一體成型有流通孔（7）。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種兩室三電極電解電滲析裝置，其特征在于：所述第一離子選擇性透過膜（10）為陽離子膜或者微孔膜；第二離子選擇性透過膜（11）為陰離子膜或者微孔膜。

說明書： 一種兩室三電極電解電滲析裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本申請涉及電化學(xué)的領(lǐng)域，尤其是涉及一種兩室三電極電解電滲析裝置。背景技術(shù)[0002] 電解電滲析裝置已被廣泛應(yīng)用于化工產(chǎn)品的制備中；在外加直流電場作用下，利用離子交換膜對溶液中離子的選擇透過性，使溶液中陰、陽離子發(fā)生離子遷移，分別通過

陰、陽離子交換膜而達(dá)到除鹽或濃縮的目的。目前在電解電滲析過程中通常選用濃度傳感

器檢測溶液中的離子濃度以改變正極與中間極之間的電壓或負(fù)極與中間極之間的電壓從

而調(diào)節(jié)溶液電解或電滲析，進(jìn)而改變?nèi)芤褐械碾x子濃度及酸堿度。

[0003] 針對上述中的相關(guān)技術(shù)，發(fā)明人認(rèn)為：溶液中離子分布不均勻，溶液各個部分離子濃度不一，采用濃度傳感器測離子濃度易導(dǎo)致測量結(jié)果存在較大誤差，采用時間繼電器來

控制離子濃度也易導(dǎo)致原液濃度偏差以及溫度偏差造成電解液實(shí)際離子濃度出現(xiàn)誤差。

發(fā)明內(nèi)容[0004] 為了便于調(diào)節(jié)電解電滲析溶液的離子濃度，本申請?zhí)峁┝艘环N兩室三電極電解電滲析裝置。

[0005] 本申請?zhí)峁┑囊环N兩室三電極電解電滲析裝置采用如下的技術(shù)方案：一種兩室三電極電解電滲析裝置，包括電解池，所述電解池內(nèi)設(shè)置有中間極板、正

極板、負(fù)極板；所述電解池還連接有根據(jù)流經(jīng)正極板的電荷量和/或根據(jù)流經(jīng)負(fù)極板的電荷

量調(diào)節(jié)電解電滲析的陰陽離子濃度的電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。

[0006] 通過采用上述技術(shù)方案，電解池中的正極板、負(fù)極板與中間極板用于電解電滲析，電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)根據(jù)流經(jīng)正極板的電荷量和/或根據(jù)流經(jīng)負(fù)極板的電荷量調(diào)節(jié)電解電滲析的

陰陽離子濃度，根據(jù)需要調(diào)整溶液是進(jìn)行電解或進(jìn)行電滲析，從而改變?nèi)芤褐兴桦x子的

濃度。

[0007] 可選的，所述電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括，供電機(jī)構(gòu)，作為電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的電力來源；

MCU；

開關(guān)控制電路，連接于MCU的輸出端與供電機(jī)構(gòu)之間，設(shè)有若干輸出口，通過MCU控

制開關(guān)控制電路輸出口的導(dǎo)通；

正極電荷量檢測部件，連接于開關(guān)控制電路的輸出口與正極板之間，其信號輸出

端連接于MCU的輸入端，輸出正極電荷量檢測信號；

負(fù)極電荷量檢測部件，連接于開關(guān)控制電路的輸出口與負(fù)極板之間，其信號輸出

端連接于MCU的輸入端，輸出負(fù)極電荷量檢測信號；

MCU根據(jù)正極電荷量檢測部件輸出的正極電荷量檢測信號及負(fù)極電荷量檢測部件

輸出負(fù)極電荷量檢測信號控制開關(guān)控制電路不同輸出口的導(dǎo)通時間。

[0008] 通過采用上述技術(shù)方案，正極電荷量檢測部件檢測正極流經(jīng)過的電荷量并將正極電荷量檢測信號輸入至MCU，負(fù)極電荷量檢測部件檢測負(fù)極流經(jīng)過的電荷量并將負(fù)極電荷

量檢測信號輸入至MCU，MCU通過開關(guān)控制電路控制正極板與負(fù)極板的導(dǎo)通時間，進(jìn)而控制

溶液中所需離子的濃度。

[0009] 可選的，所述正極電荷量檢測部件為連接于開關(guān)控制電路與正極板之間的正極庫侖計(jì)，所述正極庫侖計(jì)的數(shù)據(jù)輸出口連接于MCU的輸入端；所述負(fù)極電荷量檢測部件為連接

于開關(guān)控制電路與負(fù)極板之間的負(fù)極庫侖計(jì)，所述負(fù)極庫侖計(jì)的數(shù)據(jù)輸出口連接于MCU的

輸入端。

[0010] 通過采用上述技術(shù)方案，通過正極庫侖計(jì)用于檢測流經(jīng)正極板的電荷量，負(fù)極板用于檢測流經(jīng)負(fù)極板的電荷量。

[0011] 可選的，所述開關(guān)控制電路連接有起穩(wěn)壓作用的穩(wěn)壓電路。[0012] 通過采用上述技術(shù)方案，穩(wěn)壓電路用于在改變正極板與中間極板電壓或負(fù)極板與中間極板的電壓時起穩(wěn)壓作用，使得電壓變換更加平穩(wěn)。

[0013] 可選的，所述正極電荷量檢測部件為連接于開關(guān)控制電路與正極板之間的第一電阻器R1，所述第一電阻器R1將其兩端的電壓信號傳輸至MCU的信號輸入端；所述負(fù)極電荷量

檢測部件為連接于開關(guān)控制電路與負(fù)極板之間的第二電阻器R2，所述第二電阻器R2將其兩

端的電壓信號傳輸至MCU的信號輸入端。

[0014] 通過采用上述技術(shù)方案，通過分別測得第一電阻器R、第二電阻器R兩端的電壓，利用電壓測得通過第一電阻器R的電流以及通過電阻器R的電流，對電流進(jìn)行積分得電電荷

量。

[0015] 可選的，所述電解池內(nèi)形成有母液室和成品室；所述母液室和成品室相連通；所述電解池內(nèi)設(shè)置有第一離子選擇性透過膜和第二離子選擇性透過膜；所述第一離子選擇性透

過膜位于正極板和中間極板之間；第二離子選擇性透過膜位于負(fù)極板和中間極板之間。

[0016] 通過采用上述技術(shù)方案，電解時，第一離子選擇性透過膜選擇透過母液中的陽離子，使陽離子進(jìn)入負(fù)極板，陽離子得電子被還原；第二離子選擇性透過膜選擇透過母液中的

陰離子，使陰離子進(jìn)入正極板，陰離子失去電子被氧化；電滲析時，負(fù)極板的電荷相互作用

力下，母液中的陽離子會透過第一離子選擇性透過膜富集于電解電滲析液成品室，正極板

的電荷相互作用力下，母液中的陰離子會透過第二離子選擇性透過膜富集于電解電滲析液

成品室，實(shí)現(xiàn)了母液室離子的選擇性淡化處理，MCU根據(jù)設(shè)定的成品液所需的離子濃度（正

負(fù)離子電荷數(shù)量），達(dá)到精準(zhǔn)控制。

[0017] 可選的，所述中間極板、正極板和負(fù)極板皆一體成型有流通孔。[0018] 通過采用上述技術(shù)方案，電解液通過流通孔流向第一離子選擇性透過膜和第二離子選擇性透過膜，從而保證電滲析和電解的正常進(jìn)行。

[0019] 可選的，所述第一離子選擇性透過膜為陽離子膜或者微孔膜；第二離子選擇性透過膜為陰離子膜或者微孔膜。

[0020] 通過采用上述技術(shù)方案，便于母液中的陽離子透過第一離子選擇性透過膜，母液中的陰離子透過第二離子選擇性透過膜。

附圖說明[0021] 圖1是本申請一種兩室三電極電解電滲析裝置實(shí)施例1的原理圖。[0022] 圖2是本申請一種兩室三電極電解電滲析裝置實(shí)施例2的原理圖。[0023] 圖3是本申請一種兩室三電極電解電滲析裝置實(shí)施例3的原理圖。[0024] 圖4是本申請一種兩室三電極電解電滲析裝置實(shí)施例4的原理圖。[0025] 圖5是本申請一種兩室三電極電解電滲析裝置實(shí)施例5的原理圖。[0026] 附圖標(biāo)記說明：1、電解池；2、母液室；3、成品室；4、母液框體；5、導(dǎo)通孔；6、中間極板；7、流通孔；8、正極板；9、負(fù)極板；10、第一離子選擇性透過膜；11、第二離子選擇性透過

膜；12、電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)；13、供電機(jī)構(gòu)；14、開關(guān)控制電路；15、穩(wěn)壓電路；16、正極庫侖計(jì)；17、

負(fù)極庫侖計(jì)。

具體實(shí)施方式[0027] 為了使本申請的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖1?5及實(shí)施例，對本申請進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本申

請，并不用于限定本申請。

[0028] 本申請實(shí)施例公開一種兩室三電極電解電滲析裝置。[0029] 實(shí)施例1：參照圖1，一種兩室三電極電解電滲析裝置包括電解池1，電解池1由絕緣材料制備

而成，絕緣材料可以為呋喃樹脂或者聚氯乙烯樹脂或者聚苯硫醚樹脂。電解池1內(nèi)固定連接

有母液框體4，電解池1和母液框體4在豎直方向上的投影呈回字形。母液框體4同樣由絕緣

材料制備而成，絕緣材料可以為呋喃樹脂或者聚氯乙烯樹脂或者聚苯硫醚樹脂。母液框體4

的下底面固定連接于電解池1內(nèi)底面，固定連接方式可以通過膠水將母液框體4粘結(jié)于電解

池1內(nèi)底面或者通過超聲波焊接將母液框體4焊接于電解池1內(nèi)底面。母液框體4內(nèi)形成有母

液室2；電解池1和母液框體4中間形成有成品室3。

[0030] 參照圖1，母液框體4內(nèi)設(shè)置有中間極板6，中間極板6的長度方向與母液框體4豎直內(nèi)壁垂直。中間極板6具體的設(shè)置方式：中間極板6下底面通過膠水將母液框體4粘結(jié)于電解

池1內(nèi)底面。母液框體4兩對側(cè)壁接開設(shè)有導(dǎo)通孔5，導(dǎo)通孔5使得母液室2和電解電滲析液成

品室3相連通。電解池1內(nèi)固定連接有正極板8和負(fù)極板9，中間極板6、正極板8和負(fù)極板9三

者相互平行。正極板8和負(fù)極板9固定連接方式可以為：正極板8下底面通過膠水將母液框體

4粘結(jié)于電解池1內(nèi)底面，負(fù)極板9底面通過膠水將母液框體4粘結(jié)于電解池1內(nèi)底面。負(fù)極板

9位于母液框體4開設(shè)了導(dǎo)通孔5的側(cè)面外部，正極板8位于母液框體4開設(shè)了導(dǎo)通孔5的另一

側(cè)面外部。中間極板6、正極板8和負(fù)極板9皆一體成型有貫穿自身上下表面的流通孔7，使得

離子可從母液室2向電解電滲析液成品室3運(yùn)動。

[0031] 參照圖1，母液框體4開設(shè)了導(dǎo)通孔5的外側(cè)面設(shè)置有第二離子選擇性透過膜11，第二離子選擇性透過膜11位于正極板8和母液框體4之間，第二離子選擇性透過膜11一表面與

開設(shè)了導(dǎo)通孔5的外側(cè)面相抵接且另一表面與正極板8的表面相接觸。第二離子選擇性透過

膜11優(yōu)選陰離子膜。母液框體4開設(shè)了導(dǎo)通孔5的另一外側(cè)面設(shè)置有第一離子選擇性透過膜

10，第一離子選擇性透過膜10位于負(fù)極板9和母液框體4之間。第二離子選擇性透過膜11一

表面與開設(shè)了導(dǎo)通孔5的另一外側(cè)面相抵接且另一表面與負(fù)極板9的表面相接觸。第一離子

選擇性透過膜10優(yōu)選陽離子膜。

[0032] 參照圖1，電解池1還連接有電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)12，電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)12分別與中間極板6、正極板8、負(fù)極板9相連接，電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)12包括用于供電的供電機(jī)構(gòu)13，在本申請實(shí)施例

中，供電機(jī)構(gòu)13選用直流電源；電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)12還包括MCU，MCU具有比較模塊，MCU可以選用

PLC、單片機(jī)、第一離子選擇性透過膜10RM處理器等，在本申請中，MCU選用PIC12F1571。

[0033] 參照圖1，MCU的輸出口連接有開關(guān)控制電路14，作為開關(guān)控制電路14的一種實(shí)施方式，開關(guān)控制電路14包括若干MOS管，在本申請實(shí)施例1中，MOS管有四個，四個MOS管分別

為第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4；其中第一MOS管Q1、第二MOS管Q2

為管均為增強(qiáng)型P溝道MOS管；第三MOS管Q3、第四MOS管Q4為增強(qiáng)型N溝道MOS管。作為開關(guān)控

制電路14的一種實(shí)施方式，第一MOS管Q1的柵極G與第三MOS管Q3的柵極G連接于MCU的同一

輸出口，第二MOS管Q2的柵極G與第四MOS管Q4連接?xùn)艠OG于MCU的同一輸出口；第一MOS管Q1

與第二MOS管Q2的源極S連接于直流電源的正極；第三MOS管Q3與第四MOS管Q4的源極S連接

于直流電源的負(fù)極。

[0034] 參照圖1，為了控制成品液需要電解電滲析的陰陽離子的濃度，電荷調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)12還包括正極電荷量檢測部件、負(fù)極電荷量檢測部件；在本申請實(shí)施例1中，正極電荷量檢測部

件為正極庫侖計(jì)16，負(fù)極電荷量檢測部件為負(fù)極庫侖計(jì)17；正極庫侖計(jì)16連接于第一MOS管

Q1的漏極D與正極板8之間,正極庫侖計(jì)16的數(shù)據(jù)輸出口連接于MCU的輸入端；負(fù)極庫侖計(jì)17

連接于第四MOS管Q4的漏極D與負(fù)極板9之間,負(fù)極庫侖計(jì)17的數(shù)據(jù)輸出口連接于MCU的輸入

端。

[0035] 實(shí)施例1的實(shí)施原理為：電解時保證電解電壓大于電解液中離子的臨界電解電壓，第一離子選擇性透過膜

10選擇透過母液中的陽離子，向負(fù)極板9方向運(yùn)動透過第一離子選擇性透過膜10進(jìn)入電解

電滲析液成品室3，在負(fù)極板9處陽離子得電子被還原。第二離子選擇性透過膜11選擇透過

母液中的陰離子，陰離子向正極板8方向運(yùn)動，進(jìn)入電解電滲析液成品室3，在正極板8處陰

離子失去電子被氧化。

[0036] 電滲析時，電滲析電壓小于電解液中離子的臨界電解電壓，負(fù)極板9的負(fù)電荷吸引母液中的陽離子，在電荷相互作用力下，母液中的陽離子會透過第一離子選擇性透過膜10

富集于電解電滲析液成品室3；正極板8的正電荷吸引母液中的陰離子，在電荷相互作用力

下，母液中的陰離子會透過第二離子選擇性透過膜11富集于電解電滲析液成品室3，實(shí)現(xiàn)了

母液室2的淡化處理。

[0037] 通過MCU調(diào)節(jié)正極基準(zhǔn)電荷量A、負(fù)極基準(zhǔn)電荷量B；正極庫侖計(jì)16對流經(jīng)正極板8的電荷量進(jìn)行統(tǒng)計(jì)并輸出代表流經(jīng)正極板8電荷量的信號值C，MCU接收正極庫侖計(jì)16輸出

的信號值C；負(fù)極庫侖計(jì)17對流經(jīng)負(fù)極板9的電荷量進(jìn)行統(tǒng)計(jì)并輸出代表流經(jīng)負(fù)極板9電荷

量的信號值D，MCU接收負(fù)極庫侖計(jì)17輸出的信號值D；通過MCU的比較模塊對信號值C與正極

基準(zhǔn)電荷量A進(jìn)行比較、對信號值D與負(fù)極預(yù)設(shè)電荷值B進(jìn)行比較，通過MCU控制第一MOS管Q1

和第三MOS管Q3以及第二MOS管Q2和第四MOS管Q4的導(dǎo)通時間。MCU給出的導(dǎo)通切換時間為

10ms，每次切換的時間間隔為1ms，并且第一MOS管Q1和第三MOS管Q3為一組，第二MOS管Q2與

第四MOS管Q4為一組，兩組不同時導(dǎo)通。由MCU根據(jù)上述信號值C與正極基準(zhǔn)電荷量A的差異

值，以及信號值D與負(fù)極基準(zhǔn)電荷量B的差異值，在每100個10ms切換時間內(nèi)，按照差異值大

小，分配給第一MOS管Q1和第三MOS管Q3組，以及第二MOS管Q2和第四MOS管Q4組的導(dǎo)通時間。

[0038] 具體的，當(dāng)信號值C等于信號值D且均不等于零時，母液中等電荷量的陰離子與陽離子分別通過第二離子選擇性透過膜11和第一離子選擇性透過膜10進(jìn)入到成品室3。

[0039] 當(dāng)信號值C不等于零且信號值D等于零時，母液中的陽離子通過第一離子選擇性透過膜10進(jìn)入成品室3。

[0040] 當(dāng)信號值C等于零且信號值D不等于零時，母液中的陰離子通過第二離子選擇性透過膜11進(jìn)入成品室3。

[0041] 當(dāng)信號值C、信號值D均不等于零且信號值C大于信號值D時，母液中的陰離子和陽離子分別通過第二離子選擇性透過膜11和第一離子選擇性透過膜10進(jìn)入成品室3，但進(jìn)入

成品室3的陽離子比陰離子要多。

[0042] 當(dāng)信號值C、信號值D均不等于零且信號值C小于信號值D時，母液中的陰離子與陽離子分別通過第二離子選擇性透過膜11和第一離子選擇性透過膜10進(jìn)入成品室3，但進(jìn)入

成品室3的陰離子比陽離子要多。

[0043] 實(shí)施例2：參照圖2，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，開關(guān)控制電路14連接有穩(wěn)壓電路

15；作為穩(wěn)壓電路15的一種實(shí)施方式，穩(wěn)壓電路15為連接于第一MOS管Q1的漏極D的第一電

容器C1、連接于第四MOS管Q4的漏極D的第二電容器C2，第一電容器C1的另一端連接于第二

MOS管Q2的漏極D和第三MOS管Q3的漏極D之間；第二電容器C2的另一端連接于第二MOS管Q2

的漏極D和第三MOS管Q3的漏極D之間。

[0044] 實(shí)施例2的實(shí)施原理為：第一電容器C1、第二電容器C2起穩(wěn)壓作用，適用于電解熔融氧化物，例如電解氧化鈉。

[0045] 實(shí)施例3：參照圖3，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，正極電荷量檢測部件為連接于開

關(guān)控制電路與正極板之間的第一電阻器R1，負(fù)極電荷量檢測部件為連接于開關(guān)控制電路與

負(fù)極板之間的第二電阻器R2；第一電阻器R1、第二電阻器R2的兩端通過導(dǎo)線連接于MCU的輸

入口，通過MCU測得第一電阻器R1和第二電阻器R2兩端的電壓。

[0046] 實(shí)施例2的實(shí)施原理為：通過MCU測得第一電阻器R1兩端的電壓后，MCU通過電壓與第一電阻器R1的阻值得到通過第一電阻器R1的正極電流I1，MCU再對通過第一電阻器R1的

正極電流I1進(jìn)行積分得到通過第一電阻器R1的電荷量，從而得到通過正極板的電荷量E；通

過MCU測得第二電阻器R2兩端的電壓后，MCU通過電壓與第二電阻器R2的阻值得到通過第二

電阻器R2的負(fù)極電流I2，MCU再對通過第二電阻器R2的負(fù)極電流I2進(jìn)行積分得到通過第二

電阻器R2的電荷量，從而得到通過負(fù)極板的電荷量F。

[0047] 實(shí)施例4：參照圖4，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，正極板8和負(fù)極板9采用隔離的雙

電源供電。開關(guān)控制電路14只需要使用一個增強(qiáng)型P溝道MOS管Q9和一個增強(qiáng)型N溝道MOS管

Q10，因采用了隔離雙電源供應(yīng)，Q9和Q10仍由MCU分別根據(jù)正極板8正極基準(zhǔn)電荷量A和負(fù)極

板9負(fù)極基準(zhǔn)電荷量B與實(shí)測值的差量，將10ms導(dǎo)通時間的指令按比例分配給增強(qiáng)型P溝道

MOS管Q9和增強(qiáng)型N溝道MOS管Q10，實(shí)例3與實(shí)例1的差異還有：實(shí)例3中，增強(qiáng)型P溝道MOS管

Q9和增強(qiáng)型N溝道MOS管Q10可以同時導(dǎo)通。

[0048] 實(shí)施例5：參照圖5，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，MCU連接有驅(qū)動電路，適用于大電

壓、大電流的供電電路中。

[0049] 以上均為本申請的較佳實(shí)施例，并非依此限制本申請的保護(hù)范圍，本說明書（包括摘要和附圖）中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或者具有類似目的的替代

特征加以替換。即，除非特別敘述，每個特征只是一系列等效或類似特征中的一個例子而

已。