權(quán)利要求書： 1.一種光電子能譜儀，其特征在于，包括：

分析腔體(1)，所述分析腔體(1)采用頂部可開口的柱狀結(jié)構(gòu)；在分析腔體(1)上自下往上依次設(shè)定抽真空高度H3、分析高度H2、傳樣高度H1；

抽真空組件，所述抽真空組件設(shè)置在分析腔體(1)的抽真空高度H3附近；

電子能量分析器(13)，所述電子能量分析器(13)設(shè)置在分析腔體(1)的分析高度H2附近；

激發(fā)光源(12)，所述激發(fā)光源(12)設(shè)置在分析腔體(1)的分析高度H2附近；

樣品臺(5)，所述樣品臺(5)延伸至分析腔體(1)內(nèi)，且在H1、H2之間移動；

至少一個與分析腔體(1)連接的真空腔體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，與分析腔體(1)連接的所述真空腔體為傳樣腔(21)，所述傳樣腔(21)設(shè)置在分析腔體(1)的傳樣高度H1附近；所述傳樣腔(21)和分析腔體(1)之間設(shè)置第一插板閥(22)，在傳樣腔(21)內(nèi)沿傳樣腔(21)的軸向設(shè)置第一磁力桿(23)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，垂直于傳樣腔(21)設(shè)置進(jìn)樣腔(31)，進(jìn)樣腔(31)和傳樣腔(21)之間相互連通，但是在進(jìn)樣腔(31)上設(shè)置第二插板閥(32)，在進(jìn)樣腔(31)內(nèi)沿軸向設(shè)置第二磁力桿(33)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，在分析腔體(1)內(nèi)設(shè)置μ金屬屏蔽層(3)，所述μ金屬屏蔽層(3)也采用柱狀結(jié)構(gòu)；μ金屬屏蔽層(3)的上部為開口結(jié)構(gòu)且可拆卸安裝μ金屬上蓋(3a)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，所述μ金屬屏蔽層(3)采用單層或雙層的μ金屬結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，在μ金屬屏蔽層(3)內(nèi)部設(shè)置低溫屏蔽罩(11)，且在分析腔體(1)外部設(shè)置低溫泵(10)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3中任意一項權(quán)利要求所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，在所述傳樣腔(21)上設(shè)置加熱臺(25)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，在傳樣腔(21)上設(shè)置離子槍(24)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，所述樣品臺(5)采用4軸閉循環(huán)低溫樣品臺或者6軸開循環(huán)低溫樣品臺。

說明書： 一種光電子能譜儀技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本實用新型屬于光電子能譜領(lǐng)域，具體涉及一種光電子能譜儀。背景技術(shù)[0002] 光電子能譜是利用光電效應(yīng)的原理測量單色輻射從樣品上打出來的光電子的動能、光電子強度和這些電子的角分布，并應(yīng)用這些信息來研究原子、分子、凝聚相，尤其是固體表面的電子結(jié)構(gòu)的技術(shù)。對固體而言，光電子能譜是一項表面靈敏的技術(shù)；光電子能譜儀是利用光電效應(yīng)測出光電子的動能及其數(shù)量的關(guān)系，由此來判斷樣品表面各種元素含量的儀器；可分析固、液、氣樣品中除氫以外的一切元素；光電子能譜儀對樣品進(jìn)行檢測時需要依靠進(jìn)樣結(jié)構(gòu)將樣品送入光電子能譜儀中。[0003] 在光電子能譜儀中，通常將能量分析器在分析腔的高度稱為分析高度H2；將分析腔與其它腔體(如準(zhǔn)備腔或進(jìn)樣腔等)的連接高度稱為傳樣高度H1；在分析高度豎直下面，安裝有分子泵、離子泵等，用于腔體獲得超高真空，將分子泵、離子泵等與分析腔的連接高度稱為抽真空高度H3。[0004] 然而現(xiàn)有的光電子能譜儀的結(jié)構(gòu)設(shè)計通常分為兩種，一種是采用穹頂型分析腔，在安裝高度上，傳樣高度和分析高度一樣，抽真空高度略低于傳樣高度和分析高度。在這種結(jié)構(gòu)設(shè)計中，由于傳樣高度和分析高度一樣容易在傳樣過程中導(dǎo)致樣品臺或傳樣機構(gòu)碰撞分析器，導(dǎo)致分析器受損。[0005] 另一種同樣采用穹頂型分析腔，在分析腔體上面，安裝了準(zhǔn)備腔體，兩者之間有超高真空插板閥；與進(jìn)樣腔等連接的高度為準(zhǔn)備腔體的中心高度。分析腔體下方，安裝了抽真空腔體；抽真空腔體上，安裝有分子泵、離子泵等，用于腔體獲得超高真空；即分析、傳樣、抽真空分別位于不同的腔體內(nèi)。該設(shè)計采用準(zhǔn)備腔體、分析腔體、抽真空腔體三個腔體依次連接，或準(zhǔn)備腔體、分析?真空腔體兩腔體結(jié)構(gòu)依次連接；因為存在多個法蘭連接或額外的插板閥，導(dǎo)致了豎直方向過高；過高的系統(tǒng)高度，會限制系統(tǒng)安裝高度要求大、安裝難度大、樣品臺行程過大、穩(wěn)定性較差等一系列問題。[0006] 此外，上述兩種設(shè)計均采用穹頂型結(jié)構(gòu)，極大限制了分析腔內(nèi)部增加大尺寸結(jié)構(gòu)裝置，例如與低溫泵連接的低溫屏蔽層等。[0007] 因此需要提出一種結(jié)構(gòu)更為優(yōu)化、合理的光電子能譜儀設(shè)計。實用新型內(nèi)容

[0008] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本申請?zhí)岢隽艘环N光電子能譜儀，通過對光電子能譜儀結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，能夠有效克服現(xiàn)有技術(shù)中的問題。[0009] 本實用新型所采用的技術(shù)方案如下：[0010] 一種光電子能譜儀，包括：[0011] 分析腔體，所述分析腔體采用頂部可開口的柱狀結(jié)構(gòu)；在分析腔體上自下往上依次設(shè)定抽真空高度H3、分析高度H2、傳樣高度H1；[0012] 抽真空組件，所述抽真空組件設(shè)置在分析腔體的抽真空高度H3附近；[0013] 電子能量分析器，所述電子能量分析器設(shè)置在分析腔體的分析高度H2附近；[0014] 激發(fā)光源，所述激發(fā)光源設(shè)置在分析腔體的分析高度H2附近；[0015] 樣品臺，所述樣品臺延伸至分析腔體內(nèi)，且在H1、H2之間移動；[0016] 至少一個與分析腔體連接的真空腔體。[0017] 進(jìn)一步，與分析腔體連接的所述真空腔體為傳樣腔，所述傳樣腔設(shè)置在分析腔體的傳樣高度H1附近；所述傳樣腔和分析腔體之間設(shè)置第一插板閥，在傳樣腔內(nèi)沿傳樣腔的軸向設(shè)置第一磁力桿。[0018] 進(jìn)一步，垂直于傳樣腔設(shè)置進(jìn)樣腔，進(jìn)樣腔和傳樣腔之間相互連通，但是在進(jìn)樣腔上設(shè)置第二插板閥，在進(jìn)樣腔內(nèi)沿軸向設(shè)置第二磁力桿。[0019] 進(jìn)一步，在分析腔體內(nèi)設(shè)置μ金屬屏蔽層，所述μ金屬屏蔽層也采用柱狀結(jié)構(gòu)；μ金屬屏蔽層的上部為開口結(jié)構(gòu)且可拆卸安裝μ金屬上蓋。[0020] 進(jìn)一步，所述μ金屬屏蔽層采用單層或雙層的μ金屬結(jié)構(gòu)。[0021] 進(jìn)一步，在μ金屬屏蔽層內(nèi)部設(shè)置低溫屏蔽罩，且在分析腔體外部設(shè)置低溫泵。[0022] 進(jìn)一步，在所述傳樣腔上設(shè)置加熱臺。[0023] 進(jìn)一步，在傳樣腔上設(shè)置離子槍。[0024] 進(jìn)一步，所述樣品臺采用4軸閉循環(huán)低溫樣品臺或者6軸開循環(huán)低溫樣品臺。[0025] 本實用新型的有益效果：[0026] 1，在本申請的設(shè)計中，由于分析、傳樣、抽真空高度位于不同高度，可以避免傳樣時碰撞分析器的風(fēng)險；[0027] 2，在本申請的設(shè)計中，由于分析、傳樣、抽真空高度位于同一個腔體，有效降低了系統(tǒng)整體高度，避免了高度過大導(dǎo)致的系列問題。[0028] 3、本申請分析腔體采用柱狀結(jié)構(gòu)，而非穹頂型，將頂部空間變成開放式，提供了一個與柱狀腔體直徑相對的操作空間，便于分析腔內(nèi)部增加大尺寸結(jié)構(gòu)裝置，例如與低溫泵連接的低溫屏蔽層等。附圖說明[0029] 圖1是本實用新型光電子能譜儀的結(jié)構(gòu)示意圖；[0030] 圖2是本實用新型分析腔體結(jié)構(gòu)示意圖；[0031] 圖中，1、分析腔體，2、分析腔上蓋，3、μ金屬屏蔽層，3a、μ金屬上蓋，4、分析腔體下法蘭，5、樣品臺，6、樣品，7、離子泵，8、分子泵，9、離子規(guī)，10、低溫泵，11、低溫屏蔽罩，12、激發(fā)光源，13、電子能量分析器，21、傳樣腔，22、第一插板閥，23、第一磁力桿，24、離子槍，25、加熱臺，31、進(jìn)樣腔，32、第二插板閥，33、第二磁力桿。具體實施方式[0032] 為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用于解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。[0033] 實施例1[0034] 本申請設(shè)計了一種光電子能譜儀，包括：1個分析腔體1，至少1個樣品臺，至少1個電子能量分析器，至少1個激發(fā)光源，至少1套抽真空組件，至少1個與分析腔體1連接的真空腔體；[0035] 在本申請中，分析腔主體1豎直設(shè)置且采用了柱狀結(jié)構(gòu)，分析腔主體1的頂部開口處設(shè)置一個與分析腔主體1內(nèi)柱狀管道相互匹配的刀口法蘭，例如常見的CF300型刀口法蘭，其開口接近直徑300mm；因此本申請的分析腔體1是大開口型分析腔體。在分析腔主體1的頂部設(shè)置分析腔上蓋2，分析腔上蓋2是一個短管，分析腔上蓋2的下部與分析腔體1刀口法蘭(CF300型刀口法蘭)匹配的尺寸；分析腔上蓋2的上部是與樣品臺5匹配的刀口法蘭，例如CF150型刀口法蘭。分析腔主體1的底部設(shè)置分析腔體下法蘭4，分析腔體下法蘭4與分析腔體1之間采用可以相互匹配的刀口法蘭結(jié)構(gòu)連接。在本實施例中，分析腔體體1、分析腔上蓋2、分析腔下法蘭4均采用316L不銹鋼鋼材質(zhì)制備而成。[0036] 在分析腔體1上自下往上依次設(shè)定抽真空高度H3、分析高度H2、傳樣高度H1，且三個高度位于不同高度。[0037] 在分析腔體1的抽真空高度H3附近設(shè)置抽真空組件，利用抽真空組件為分析腔體1提供真空環(huán)境；抽真空組件包括離子泵7、分子泵8、離子規(guī)9；上述離子泵7、分子泵8、離子規(guī)9均采用超高真空用的刀口法蘭結(jié)構(gòu)與分析腔體1連接。

[0038] 在分析腔體1的分析高度H2附近設(shè)置電子能量分析器13、激發(fā)光源12；電子能量分析器13、激發(fā)光源12均采用超高真空用的刀口法蘭結(jié)構(gòu)與分析腔體1連接；且電子能量分析器13、激發(fā)光源12指向分析腔體1中心設(shè)置。在本實施例中，電子能量分析器13可以選用SO或SPECS半球能量分析器，但是不局限于所列舉。[0039] 上述與分析腔體1連接的真空腔體包括真空腔主體、抽真空組件以及必備連接附件等；本實施例中，該真空腔體為傳樣腔21。具體地，在分析腔體1的傳樣高度H1附近設(shè)置傳樣腔21，傳樣腔21與分析腔體1之間連通，且在傳樣腔21和分析腔體1之間設(shè)置第一插板閥22，通過第一插板閥22的開合，可以將分析腔體1和傳樣腔21之間進(jìn)行真空連通或斷開。在傳樣腔21內(nèi)沿傳樣腔21的軸向設(shè)置第一磁力桿23，利用第一磁力桿23從樣品臺5上抓取樣品6，并且實現(xiàn)樣品在傳樣腔21和分析腔體1之間的傳遞。傳樣腔21配備的抽真空組件可以為其提供真空環(huán)境。

[0040] 在分析腔體1的頂部設(shè)置樣品臺5，樣品臺5用于固定樣品6；樣品臺5可進(jìn)行多維度操作，至少有縱向操作，將樣品6從高度H1送到H2。在本實施例中，樣品臺5可以選用4軸閉循環(huán)低溫樣品臺或者6軸開循環(huán)低溫樣品臺。[0041] 實施例2[0042] 本申請在實施例1設(shè)計的光電子能譜儀結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，在分析腔體1內(nèi)設(shè)置μ金屬屏蔽層3，μ金屬屏蔽層用于提供了一個低磁場環(huán)境。μ金屬屏蔽層3也采用柱狀結(jié)構(gòu)，μ金屬屏蔽層3的上部為開口結(jié)構(gòu)且可拆卸安裝μ金屬上蓋3a；通過拆卸μ金屬上蓋3a漏出一個較大的可操作口徑，在本實施例中為了分析腔體1的上部開口相配合也可以將μ金屬屏蔽層的開口直徑設(shè)為300mm。樣品臺5、電子能量分析器13、激發(fā)光源12均延伸至μ金屬屏蔽層3內(nèi)部。[0043] 在本實施例中，μ金屬屏蔽層3采用單層或雙層的μ金屬結(jié)構(gòu)，μ金屬采用1J85牌號；[0044] 實施例3[0045] 在實施例2設(shè)計的光電子能譜儀結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，在μ金屬屏蔽層3內(nèi)部設(shè)置低溫屏蔽罩11，且在分析腔體1外部設(shè)置低溫泵10，兩者之間通過刀口法蘭結(jié)構(gòu)連接；低溫泵10與連接，用于提供了更低的周圍環(huán)境。[0046] 所述電子能量分析器13、激發(fā)光源12延伸至低溫屏蔽罩11內(nèi)部，且樣品臺5也可以通過縱向移動將樣品6送入低溫屏蔽罩11內(nèi)，這樣在測量時，樣品6可獲得更低溫度，也可延長樣品6的壽命。[0047] 在本實施例中，低溫泵10可以優(yōu)選位于分析高度H2，也可位于其它高度。[0048] 在本實施例中，由于分析腔上蓋2、μ金屬上蓋3a均為可拆卸設(shè)計，因此在這兩者被拆除的情況下，有充分的空間將復(fù)雜的、較大的低溫屏蔽罩11(低溫泵10)安裝在μ金屬屏蔽層3內(nèi)，從而滿足不同的結(jié)構(gòu)需求。[0049] 實施例4[0050] 在實施例1、2或3的基礎(chǔ)山，可以在傳樣腔21的基礎(chǔ)上增加進(jìn)樣腔31，進(jìn)樣腔31同樣需要保持真空；進(jìn)樣腔31垂直于傳樣腔21，且進(jìn)樣腔31和傳樣腔21之間相互連通，但是在進(jìn)樣腔31上設(shè)置第二插板閥32，利用第二插板閥32的開合，可以將進(jìn)樣腔31和傳樣腔21之間進(jìn)行真空連通或斷開。在進(jìn)樣腔31內(nèi)沿軸向設(shè)置第二磁力桿33，利用第一磁力桿23和第二磁力桿33之間的配合可以實現(xiàn)樣品在進(jìn)樣腔31、傳樣腔21和分析腔體1之間的相互傳遞。[0051] 實施例5[0052] 在上述實施例的基礎(chǔ)上，可以在傳樣腔21上設(shè)置離子槍24，用于對樣品6的清潔。[0053] 實施例6[0054] 在上述實施例的基礎(chǔ)上，可以在傳樣腔21上設(shè)置加熱臺25，用于樣品退火。[0055] 實施例7[0056] 在上述實施例的基礎(chǔ)上，可以通過固定座對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行固定。[0057] 以上實施例僅用于說明本實用新型的設(shè)計思想和特點，其目的在于使本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施，本實用新型的保護(hù)范圍不限于上述實施例。所以，凡依據(jù)本實用新型所揭示的原理、設(shè)計思路所作的等同變化或修飾，均在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。