權(quán)利要求書: 1.一種固體電解電容器,包括:由多孔閥金屬制成的陽極體;
形成在所述陽極體的表面上的介電層;和形成在所述介電層上的固體電解質(zhì)層,其中,所述固體電解質(zhì)層包括:形成在所述介電層上的第一固體電解質(zhì)層;和形成在所述第一固體電解質(zhì)層上的第二固體電解質(zhì)層,在所述第一固體電解質(zhì)層內(nèi)部的空腔的至少一部分中存在羧酸酯,所述第一固體電解質(zhì)層形成為與所述介電層接觸,并且所述羧酸酯還填充在所述介電層和所述第一固體電解質(zhì)層之間的界面處的空腔的至少一部分中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器,其中,所述羧酸酯是聚甘油和選自己二酸和己二酸銨中的至少一種的化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體電解電容器,其中,所述聚甘油的分子量為500至600。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器,其中,所述羧酸酯的質(zhì)量等于或多于所述第一固體電解質(zhì)層的質(zhì)量的10%。
5.一種制造固體電解電容器的方法,包括:在由多孔閥金屬制成的陽極體的表面上形成介電層的步驟;
在所述介電層上形成固體電解質(zhì)層的步驟;和在所述固體電解質(zhì)層內(nèi)部的空腔的至少一部分中形成羧酸酯的步驟,其中,利用化學(xué)氧化聚合形成所述固體電解質(zhì)層,形成固體電解質(zhì)層的步驟包括形成與所述介電層接觸的固體電解質(zhì)層,并且形成羧酸酯的步驟包括進一步將羧酸酯填充到所述介電層和所述固體電解質(zhì)層之間的界面處的空腔的至少一部分中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造固體電解電容器的方法,其中,形成羧酸酯的步驟包括通過浸入溶液中并干燥來形成羧酸酯,所述溶液包含聚甘油和選自己二酸和己二酸銨中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造固體電解電容器的方法,包括:形成第一固體電解質(zhì)層并且還在所述第一固體電解質(zhì)層上形成第二固體電解質(zhì)層的步驟,所述第一固體電解質(zhì)層是包含所述羧酸酯的固體電解質(zhì)層。
說明書: 固體電解電容器和制造固體電解電容器的方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及固體電解電容器和制造固體電解電容器的方法。背景技術(shù)[0002] 現(xiàn)今,固體電解電容器廣泛用于各種領(lǐng)域,例如電子器件。公開號為2011?151205的日本未審查專利申請公開了一種涉及使用導(dǎo)電聚合物作為固體電解質(zhì)的固體電解電容
器的技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容[0003] 如上所示,公開號為2011?151205的日本未審查專利申請公開了一種涉及使用導(dǎo)電聚合物作為固體電解質(zhì)的固體電解電容器的技術(shù)。導(dǎo)電聚合物具有低密度和多空腔的特
性。特別是,當(dāng)通過化學(xué)氧化聚合形成導(dǎo)電聚合物的聚合膜時,所形成的導(dǎo)電聚合物的密度
低,并且在導(dǎo)電聚合物中形成大量空腔。
[0004] 如上所述,當(dāng)使用低密度且具有許多空腔的材料來形成固體電解質(zhì)層時,固體電解質(zhì)層的強度降低。因此,當(dāng)在形成固體電解電容器的外部或安裝固體電解電容器時,在回
流焊工藝中對固體電解質(zhì)層施加機械應(yīng)力時,固體電解質(zhì)層可能變形并且剝離或切斷,這
可能導(dǎo)致固體電解質(zhì)層的電導(dǎo)率的降低。固體電解質(zhì)層的電導(dǎo)率的降低會引起固體電解電
容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)增加的問題。
[0005] 此外,如果固體電解質(zhì)層中存在大量空腔,則在壓縮固體電解質(zhì)層時,在固體電解質(zhì)層上形成的陰極層(石墨層)可能滲入固體電解質(zhì)層,從而陰極層和介電層部分地彼此接
觸。這可能導(dǎo)致在固體電解電容器中諸如漏電流增加以及發(fā)生短路的問題。
[0006] 鑒于上述情況,本公開的目的是提供固體電解電容器和制造固體電解電容器的方法,其能夠抑制ESR的增加和漏電流的增加。
[0007] 根據(jù)本公開的一個方面的固體電解電容器包括由多孔閥金屬制成的陽極體、形成在陽極體的表面上的介電層和形成在介電層上的固體電解質(zhì)層,其中,在固體電解質(zhì)層內(nèi)
部的空腔的至少一部分中存在羧酸酯。
[0008] 根據(jù)本公開的一個方面的制造固體電解電容器的方法包括:在由多孔閥金屬制成的陽極體的表面上形成介電層的步驟;在介電層上形成固體電解質(zhì)層的步驟;和在固體電
解質(zhì)層內(nèi)部的空腔的至少一部分中形成羧酸酯的步驟。
[0009] 根據(jù)本公開,可以提供固體電解電容器和制造固體電解電容器的方法,其能夠抑制ESR的增加和漏電流的增加。
[0010] 根據(jù)下文中給出的詳細描述和附圖將更全面地理解本公開的以上和其他目的、特征和優(yōu)點,附圖僅以說明的方式給出,因此不被視為限制本公開。
附圖說明[0011] 圖1是根據(jù)實施例的固體電解電容器的剖視圖;[0012] 圖2是根據(jù)實施例的固體電解電容器的放大剖視圖;[0013] 圖3是示出固體電解電容器的ESR的變化的圖;[0014] 圖4是示出固體電解電容器中短路的發(fā)生率的圖。具體實施方式[0015] 在下文中參照附圖描述本公開的實施例。[0016] 圖1是根據(jù)實施例的固體電解電容器的剖視圖。如圖1中所示,根據(jù)本實施的固體電解電容器1包括陽極體11、介電層12、固體電解質(zhì)層13、陰極層16、導(dǎo)電粘合劑17、陽極引
線18、外部樹脂19和引線框架20和21。
[0017] 在根據(jù)本實施例的固體電解電容器1中,介電層12、固體電解質(zhì)層13和陰極層16依次堆疊在陽極體11的頂部上,如圖1中所示。陽極體11具有陽極引線18,并且陽極引線18連
接到引線框架20。例如,陽極引線18通過焊接連接到引線框架20。此外,陰極層16通過導(dǎo)電
粘合劑17連接到引線框架21。例如,能夠通過堆疊石墨層和銀層來形成陰極層16。根據(jù)本實
施例的固體電解電容器1被外部樹脂19覆蓋,其中兩個引線框架20和21的一部分暴露于外
部。
[0018] 圖2是根據(jù)本實施例的固體電解電容器的放大剖視圖,并且它以放大的比例示出了由圖1中的虛線包圍的部分及附近的橫截面。如圖2中所示,使用多孔閥金屬來形成陽極
體11。對于陽極體11,例如,能夠使用選自鉭(Ta)、鋁(Al)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)
和鎢(W)中的至少一種或者這些金屬的合金。特別是,對于陽極體11,優(yōu)選使用選自鉭(Ta)、
鋁(Al)和鈮(Nb)中的至少一種或這些金屬的合金。陽極體11例如使用以下來形成:板狀、箔
狀或線狀的閥金屬,包含閥金屬顆粒的燒結(jié)體,通過蝕刻擴大的多孔閥金屬等。
[0019] 介電層12形成在陽極體11的表面上。例如,能夠通過對陽極體11的表面進行陽極氧化來形成介電層12。如圖2中所示,陽極體11的表面是多孔的,并且介電層12也形成在多
孔的孔中。例如,當(dāng)使用鉭來形成陽極體11時,通過對陽極體11進行陽極氧化,在陽極體11
的表面上形成氧化的鉭膜(介電層12)。例如,能夠通過陽極氧化電壓適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)介電層12
的厚度。
[0020] 固體電解質(zhì)層13形成在介電層12上。如圖2中所示,固體電解質(zhì)層13也形成在陽極體11的其中形成介電層12的孔內(nèi)部。因此,固體電解質(zhì)層13形成為與介電層12的整個表面
接觸。此外,在固體電解質(zhì)層13內(nèi)部存在空腔,并且在內(nèi)部空腔的至少一部分中形成(填充)
羧酸酯14。此外,在介電層12和固體電解質(zhì)層13之間的界面處也存在空腔,并且在該界面處
的空腔的至少一部分中形成(填充)羧酸酯15。
[0021] 注意,在圖2中,盡管在固體電解質(zhì)層13內(nèi)部的空腔中填充的羧酸酯由附圖標(biāo)記14表示,并且在介電層12和固體電解質(zhì)層13之間的界面處的空腔中填充的羧酸酯由附圖標(biāo)記
15表示,但是羧酸酯14和15是同一材料。
[0022] 例如,固體電解質(zhì)層13能夠使用導(dǎo)電聚合物來形成。例如,在形成固體電解質(zhì)層13時,能夠利用化學(xué)氧化聚合、電聚合等。此外,固體電解質(zhì)層13可以通過涂覆(浸漬)導(dǎo)電聚
合物溶液并使其干燥來形成。
[0023] 特別是,當(dāng)通過化學(xué)氧化聚合形成導(dǎo)電聚合物(固體電解質(zhì)層13)時,所形成的導(dǎo)電聚合物的密度低,并且在導(dǎo)電聚合物內(nèi)部形成大量空腔。因此,當(dāng)通過化學(xué)氧化聚合形成
導(dǎo)電聚合物時(即,當(dāng)使用具有低密度和許多空腔的導(dǎo)電聚合物作為固體電解質(zhì)層13時),
適合使用本公開。
[0024] 固體電解質(zhì)層13優(yōu)選包含由單體構(gòu)成的聚合物,該單體例如包含吡咯、噻吩、苯胺、及其衍生物中的至少一種。另外,它優(yōu)選包含磺酸化合物作為摻雜劑。
[0025] 除了上述導(dǎo)電聚合物之外,固體電解質(zhì)層13可以包含諸如二氧化錳或氧化釕之類的氧化物材料、諸如TCNQ(7,7,8,8,?四氰基對苯二醌二甲烷絡(luò)合鹽)之類的有機半導(dǎo)體等。
[0026] 如圖2中所示,在根據(jù)本實施例的固體電解電容器1中,羧酸酯14填充在固體電解質(zhì)層13內(nèi)部形成的空腔的至少一部分中。此外,羧酸酯15填充在介電層12和固體電解質(zhì)層
13之間的界面處形成的空腔的至少一部分中。對于羧酸酯14和15,能夠使用通過羧酸與包
含羥基的材料反應(yīng)得到的羧酸酯的組合。羧酸可以是羧酸鹽。
[0027] 例如,對于羧酸酯14和15,能夠使用聚甘油和選自己二酸和己二酸銨中的至少一種的化合物。具體地,羧酸酯14和15能夠通過選自己二酸和己二酸銨中的至少一種(其用作
羧酸)與聚甘油(其用作包含羥基的材料)反應(yīng)來獲得。
[0028] 例如,在形成固體電解質(zhì)層13之后,當(dāng)將羧酸酯14和15填充到固體電解質(zhì)層13的空腔中時,將其上形成有介電層12和固體電解質(zhì)層13的陽極體11浸入己二酸(己二酸銨)和
聚甘油的混合溶液中,以用混合溶液浸漬固體電解質(zhì)層13的空腔,并且然后在高溫下干燥,
從而在己二酸(己二酸銨)和聚甘油之間產(chǎn)生酯鍵并形成羧酸酯。因為酯化溫度為130℃或
更高,因此干燥溫度優(yōu)選為130℃或更高。
[0029] 此外,聚甘油的分子量優(yōu)選為500或更高。當(dāng)聚甘油的分子量為500或更高時,聚甘油的分解溫度為250℃或更高,并且提高了形成的羧酸酯14和15的耐熱性。
[0030] 當(dāng)分子量更大時,聚甘油的粘度增加。此外,當(dāng)聚甘油的分子量更大時,聚甘油的每單位重量的OH基的數(shù)量更小。因此,考慮到聚甘油的粘度和酯鍵的趨勢(OH基的數(shù)量),聚
甘油的分子量優(yōu)選為500至600。
[0031] 此外,羧酸酯14和15的質(zhì)量優(yōu)選為固體電解質(zhì)層13的質(zhì)量的10%或更多。通過將羧酸酯14和15的質(zhì)量設(shè)定為固體電解質(zhì)層13的質(zhì)量的10%或更多,可以填充固體電解質(zhì)層
13的空腔。
[0032] 此外,在根據(jù)本實施例的固體電解電容器1中,固體電解質(zhì)層13可以具有雙層結(jié)構(gòu)。例如,固體電解質(zhì)層13可以具有如下的雙層結(jié)構(gòu),該雙層結(jié)構(gòu)包括形成在介電層12上的
第一固體電解質(zhì)層和形成在第一固體電解質(zhì)層上的第二固體電解質(zhì)層。在這種情況下,羧
酸酯填充到第一固體電解質(zhì)層(即,與介電層12接觸的第一固體電解質(zhì)層)的空腔的至少一
部分中。具體地,為了形成雙層結(jié)構(gòu)的固體電解質(zhì)層13,首先形成包含羧酸酯的第一固體電
解質(zhì)層,并且然后在第一固體電解質(zhì)層上形成第二固體電解質(zhì)層。
[0033] 此外,在根據(jù)本實施例的固體電解電容器1中,固體電解質(zhì)層13可以具有三層或更多層的結(jié)構(gòu)。在這種情況下,羧酸酯填充到至少第一固體電解質(zhì)層(即,與介電層12接觸的
固體電解質(zhì)層)的空腔中。
[0034] 在以上述方式形成固體電解質(zhì)層13之后,在固體電解質(zhì)層13上形成陰極層16。能夠通過堆疊石墨層和銀層來形成陰極層16。注意,石墨層和銀層僅是示例,并且陰極層16的
材料不受特別限制,只要其是具有導(dǎo)電性的材料即可。
[0035] 如上所述,公開號為2011?151205的日本未審查專利申請公開了一種涉及使用導(dǎo)電聚合物作為固體電解質(zhì)的固體電解電容器的技術(shù)。導(dǎo)電聚合物具有低密度和多空腔的特
性。特別是,當(dāng)通過化學(xué)氧化聚合形成導(dǎo)電聚合物的聚合膜時,所形成的導(dǎo)電聚合物的密度
低,并且在導(dǎo)電聚合物中形成大量空腔。
[0036] 如上所述,當(dāng)使用低密度且具有許多空腔的材料來形成固體電解質(zhì)層時,固體電解質(zhì)層的強度降低。因此,當(dāng)形成固體電解電容器的外部或安裝固體電解電容器時,在回流
焊工藝中對固體電解質(zhì)層施加機械應(yīng)力時,固體電解質(zhì)層可能變形并且剝離或切斷,這可
能導(dǎo)致固體電解質(zhì)層的電導(dǎo)率的降低。固體電解質(zhì)層的電導(dǎo)率的降低會引起固體電解電容
器的ESR增加的問題。
[0037] 此外,如果固體電解質(zhì)層中存在大量空腔,則在壓縮固體電解質(zhì)層時,在固體電解質(zhì)層上形成的陰極層(石墨層)可能會滲入固體電解質(zhì)層,從而陰極層和介電層部分地彼此
接觸。這可能導(dǎo)致諸如漏電流增加以及在固體電解電容器中發(fā)生短路的問題。
[0038] 為了解決這些問題,在根據(jù)本實施例的固體電解電容器1中,將羧酸酯14填充在固體電解質(zhì)層13內(nèi)部的空腔的至少一部分中。當(dāng)以這種方式將羧酸酯14填充在固體電解質(zhì)層
13內(nèi)部的空腔中時,可以用羧酸酯14填充固體電解質(zhì)層13的空腔,從而增加固體電解質(zhì)層
13的密度。這增強了固體電解質(zhì)層13的強度,因此即使在制造固體電解電容器1期間對固體
電解質(zhì)層13施加機械應(yīng)力時,也可以抑制固體電解質(zhì)層13的變形。因此,可以抑制固體電解
質(zhì)層13的電導(dǎo)率的降低,從而抑制固體電解電容器的ESR的增加。
[0039] 此外,可以防止形成在固體電解質(zhì)層13上的陰極層16(石墨層)在壓縮固體電解質(zhì)層13時滲入固體電解質(zhì)層13。由此,可以防止陰極層16和介電層12部分地彼此接觸,從而抑
制固體電解電容器1中的漏電流的增加和短路的發(fā)生。
[0040] 此外,由于羧基部分地保留,羧酸酯表現(xiàn)出導(dǎo)電性。因此,當(dāng)將羧酸酯14填充到固體電解質(zhì)層13內(nèi)部的空腔中時,可以抑制固體電解質(zhì)層13的電阻的增加。由此可以抑制固
體電解電容器1的ESR的增加。
[0041] 此外,在根據(jù)本實施例的固體電解電容器1中,固體電解質(zhì)層13形成為與介電層12接觸,并且羧酸酯15填充在介電層12和固體電解質(zhì)層13之間的界面處的空腔的至少一部分
中。因為羧酸酯能夠使閥金屬陽極化(即,具有化學(xué)轉(zhuǎn)化能力),所以可以在介電層12中發(fā)生
缺陷時修復(fù)介電層12,從而使漏電流穩(wěn)定。
[0042] 此外,當(dāng)使用具有低耐熱性的材料作為待填充到固體電解質(zhì)層內(nèi)部的空腔中的材料時,由于用于安裝的回流焊工藝等中的熱量,有可能從填充的材料釋放氣體。氣體的釋放
可能導(dǎo)致ESR的增加和外部樹脂中裂縫的出現(xiàn)。
[0043] 為了解決以上問題,使用具有高耐熱性的羧酸酯14和15作為待填充到根據(jù)本實施例的固體電解電容器1中的固體電解質(zhì)層13內(nèi)部的空腔中的材料。具體而言,在形成羧酸酯
時,使用分解溫度為250℃或更高的聚甘油(分子量為500至600的聚甘油),并且進一步使用
己二酸(己二酸銨)將聚甘油酯化,從而提高耐熱性。由此可以抑制由于安裝的回流焊工藝
等中的熱量導(dǎo)致的從填充材料中的氣體釋放。因此可以抑制ESR的增加和外部樹脂中裂縫
的出現(xiàn)。
[0044] 如上所述,根據(jù)本公開的實施例,可以提供固體電解電容器和制造固體電解電容器的方法,其能夠抑制ESR的增加和漏電流的增加。
[0045] 示例[0046] 基于以下幾個示例更具體地描述本公開;然而,本公開不限于這些示例。[0047] <示例1>[0048] 使用以下方法生產(chǎn)根據(jù)示例1的樣品。[0049] 首先,使用鉭粉生產(chǎn)制造鉭燒結(jié)體。具體而言,對其中嵌有陽極引線(鉭絲)的鉭粉進行壓制成型。由此形成的模制體為1.7mm長、2.2mm寬且1.2mm深的矩形固體。之后,將該模
制體在1500℃下燒結(jié),從而生產(chǎn)鉭燒結(jié)體。
[0050] 接下來,使生產(chǎn)的鉭燒結(jié)體在磷酸溶液中陽極化,以在鉭燒結(jié)體的表面上形成介電層。陽極氧化的條件是40。
[0051] 之后,將表面上形成有介電層的鉭燒結(jié)體浸入溶液中,該溶液包括單體溶液和氧化溶液,該單體溶液含有作為摻雜劑的3,4?乙烯二氧噻吩、1,3,6?萘三磺酸,該氧化溶液含
有作為氧化劑的過硫酸銨。重復(fù)該浸入幾次,并且利用化學(xué)氧化聚合形成包含聚(3,4?乙烯
二氧噻吩)的固體電解質(zhì)層(導(dǎo)電性聚合物層)。
[0052] 然后,通過使用攪拌器混合40wt%聚甘油#500(由SakamotoYakuhinKogyo公司制造;平均分子量為500的聚甘油)、5wt%己二酸銨和55wt%水(H2O)來生產(chǎn)溶液。然后,將
樣品浸入生產(chǎn)的溶液中,該樣品中形成有直至固體電解質(zhì)層的層。之后,將該樣品從溶液中
取出,在150℃下干燥60分鐘以形成羧酸酯。以這種方式,將羧酸酯填充到固體電解質(zhì)層的
空腔中。
[0053] 然后,通過在固體電解質(zhì)層上堆疊石墨層和銀層來形成陰極層。石墨層使用石墨膏來形成,并且銀層使用銀膏來形成。然后,使用焊接將陽極側(cè)的陽極引線和引線框架連
接。此外,使用導(dǎo)電粘合劑將陰極側(cè)上的陰極層和引線框架連接。之后,用外部樹脂覆蓋樣
品,并且兩個引線框架的一部分暴露于外部,從而形成固體電解電容器。
[0054] <示例2>[0055] 使用以下方法生產(chǎn)根據(jù)示例2的樣品。[0056] 首先,通過與示例1中相同的方法生產(chǎn)鉭燒結(jié)體。之后,通過與示例1中相同的方法進行陽極氧化,以在鉭燒結(jié)體的表面上形成介電層。此外,通過與示例1中相同的方法在介
電層上形成固體電解質(zhì)層(導(dǎo)電聚合物層)。
[0057] 然后,通過使用攪拌器混合40wt%聚甘油#500(由SakamotoYakuhinKogyo公司制造;平均分子量為500的聚甘油)、5wt%己二酸銨和55wt%水(H2O)來生產(chǎn)溶液。然后,將
樣品浸入生產(chǎn)的溶液中,該樣品中形成有直至固體電解質(zhì)層的層。之后,將該樣品從溶液中
取出,在150℃下干燥60分鐘以形成羧酸酯。以這種方式,將羧酸酯填充到固體電解質(zhì)層的
空腔中。
[0058] 然后,在固體電解質(zhì)層上形成由導(dǎo)電聚合物溶液制成的固體電解質(zhì)層。具體而言,通過在導(dǎo)電聚合物溶液中形成羧酸酯之后浸入樣品并對其進行干燥,來形成第二固體電解
質(zhì)層。
[0059] 之后,通過在固體電解質(zhì)層上堆疊石墨層和銀層來形成陰極層。石墨層使用石墨膏來形成,并且銀層使用銀膏來形成。然后,利用焊接將陽極側(cè)的陽極引線和引線框架連
接。此外,使用導(dǎo)電粘合劑將陰極側(cè)上的陰極層和引線框架連接。之后,用外部樹脂覆蓋樣
品,并且兩個引線框架的一部分暴露于外部,從而形成固體電解電容器。
[0060] 示例2與示例1的不同之處在于固體電解質(zhì)層具有雙層結(jié)構(gòu)。填充到固體電解質(zhì)層中的羧酸酯并非完全都是固體的,并且填充到第一固體電解質(zhì)層中的羧酸酯能夠由具有雙
層結(jié)構(gòu)的固體電解質(zhì)層中的第二固體電解質(zhì)層限制,如示例2中那樣。
[0061] <對比示例1>[0062] 生產(chǎn)在固體電解質(zhì)層的空腔中未填充羧酸酯的樣品作為根據(jù)對比示例1的樣品。除此之外,根據(jù)對比示例1的樣品與根據(jù)示例1的樣品相同。
[0063] <對比示例2>[0064] 生產(chǎn)在第一固體電解質(zhì)層的空腔中未填充羧酸酯的樣品作為根據(jù)對比示例2的樣品。除此之外,根據(jù)對比示例2的樣品與根據(jù)示例2的樣品相同。
[0065] <樣品的評估>[0066] 生產(chǎn)根據(jù)上述示例1和2以及對比示例1和2的特定數(shù)量的樣品,并且通過以下方法評估那些樣品。
[0067] 對于根據(jù)示例1和2以及對比示例1和2的樣品,檢查安裝的回流焊工藝之前和之后ESR的變化。圖3是示出每個樣品的ESR的變化的圖。在圖3中,σ表示標(biāo)準(zhǔn)偏差。
[0068] 如圖3中所示,在根據(jù)示例1和2的樣品中,ESR的變化傾向于小于根據(jù)對比示例1和2的樣品的ESR變化。因此,可以通過將羧酸酯填充到固體電解質(zhì)層的空腔中來抑制固體電
解電容器的ESR的增加。
[0069] 此外,比較根據(jù)示例1的樣品和根據(jù)示例2的樣品,根據(jù)示例2的樣品中的ESR變化總體上傾向于小于根據(jù)示例1的樣品中的ESR變化。因此,當(dāng)固體電解質(zhì)層具有如示例2中的
雙層結(jié)構(gòu)時,可以通過第二固體電解質(zhì)層來限制填充到第一固體電解質(zhì)層中的羧酸酯,因
此可以減少固體電解電容器的ESR變化。
[0070] 此外,針對根據(jù)示例1和2以及對比示例1和2的樣品,檢查短路發(fā)生率。圖4是示出每個樣品中短路發(fā)生率的圖。
[0071] 通過以下方法計算短路的發(fā)生率。具體地,針對根據(jù)示例1和2以及對比示例1和2的樣品,在形成(模制)外部樹脂之后,執(zhí)行回流焊工藝、老化工藝、短路檢查工藝和檢驗工
藝。圖4示出了短路檢查工藝中短路的發(fā)生率。注意,在短路檢查中,在固體電解電容器的電
極之間施加額定電壓,并且當(dāng)在電極之間流動的電流的量等于或大于特定的電流值時,確
定發(fā)生短路。使用的樣品的數(shù)量為10kp。
[0072] 如圖4中所示,在根據(jù)對比示例1的樣品中短路的發(fā)生率為12.0%,并且在根據(jù)對比示例2的樣品中短路的發(fā)生率為1.6%。另一方面,在根據(jù)示例1的樣品中短路的發(fā)生率為
1.4%,并且在根據(jù)示例2的樣品中短路的發(fā)生率為0.3%。根據(jù)這些結(jié)果,根據(jù)示例1和2的
樣品中短路的發(fā)生率低于根據(jù)對比示例1和2的樣品中短路的發(fā)生率。特別是,在根據(jù)示例2
的樣品中短路的發(fā)生率為0.3%,其低于其他樣品中的值。
[0073] 圖4的結(jié)果顯示,通過將羧酸酯填充到固體電解質(zhì)層的空腔中,可以抑制固體電解電容器的漏電流的增加。
[0074] 根據(jù)所描述的公開內(nèi)容,顯而易見的是,本公開的實施例可以以多種方式變化。這些變化不視為脫離本公開的精神和范圍,并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是所有這些
修改旨在被包括在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
聲明:
“固體電解電容器和制造固體電解電容器的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)