本發(fā)明公開基于掃描電子顯微鏡的
芯片熱變形測量方法,屬于材料性能檢測技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明利用掃描電子顯微鏡的高景深和高分辨率特性,通過與原位加熱裝置的集成,充分考慮了熱影響及系統(tǒng)畸變帶來的測量誤差并對其進(jìn)行校正;利用畸變校正后的散斑圖像,通過數(shù)字圖像相關(guān)算法計算求得芯片由于受熱而產(chǎn)生變形的面內(nèi)變形場。在上述基礎(chǔ)上,本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了微納尺度的芯片全場熱變形測量并在實(shí)際工程中進(jìn)行了應(yīng)用。
聲明:
“一種基于掃描電子顯微鏡的芯片熱變形測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)