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一種形成氮化物半導體器件的工藝

1137   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 06:32:26
本發(fā)明屬于半導體器件加工技術領域，尤其為一種形成氮化物半導體器件的工藝，針對現(xiàn)有的氮化物半導體器件的抗靜電能力弱，很容易因靜電損耗氮化物半導體器件的特性的問題，現(xiàn)提出如下方案，該生產(chǎn)工藝包括以下步驟：S1：選擇襯底和半導體器件的半導體堆疊體，半導體堆疊體依次在襯底上生長成溝道層和阻擋層；S2：對上述生長成的溝道層和阻擋層的頂部進行蝕刻，以便在溝道層和阻擋層的頂部形成凹槽。本發(fā)明設計合理，在溝道層、阻擋層和接觸層的非接觸位置均包裹了橡膠，有效的避免了電荷在氮化物半導體器件表面的流動，解決了氮化物半導體器件抗靜電能力弱的問題，擴展了氮化物半導體器件的適用范圍。
聲明：
“一種形成氮化物半導體器件的工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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