本發(fā)明涉及一種超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管及其制造方法。所述紅外發(fā)射管的制造流程為:光學(xué)仿真→排框架→擴(kuò)晶→固晶→前固化→焊線→備膠→框架粘膠→灌膠→插框架→壓框架→烘烤→離?!蠊袒肭小鷹l測(cè)→全切。所述固晶為:將
芯片固定在產(chǎn)品支架燈杯處,起到相應(yīng)的電氣連接作用;并通過(guò)增加銀漿量,來(lái)減小芯片與膠體表面之間的距離,減小膠體聚焦作用對(duì)半強(qiáng)度角的影響;所述焊線為:將金線兩端分別打在芯片電極和框架上,使得芯片電極和框架之間形成正確的電性連接,焊線時(shí)嚴(yán)格控制線弧高度。本發(fā)明通過(guò)對(duì)其制造工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管的生產(chǎn);制得的紅外發(fā)射管,半強(qiáng)度角≥110°,輻射強(qiáng)度≥1.5mW/sr。
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“一種超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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