本發(fā)明公開了MEMS
芯片領(lǐng)域的一種高性能Ti?Co?RE靶材及大吸氣量薄膜吸氣劑制備的方法,包括高性能Ti?Co?RE薄膜吸氣劑靶材;所述高性能Ti?Co?RE薄膜吸氣劑靶材的合金配方為:Ti
100?x?yCo
xRE
y,其成分范圍為:15wt%≤x≤25wt%、5wt%≤y≤15wt%;將上述配方質(zhì)量百分比配料后放入真空熔煉制備合金鑄錠、對鑄錠進行致密化處理、靶材尺寸加工,用其合金靶材,通過磁控濺射,在硅晶元基體樣品上進行濺射,制備成吸氣薄膜。本發(fā)明制備的吸氣薄膜具有低的激活溫度和良好的吸氣性能。
聲明:
“一種高性能Ti-Co-RE靶材及大吸氣量薄膜吸氣劑制備的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)