本發(fā)明公開了用于檢測(cè)撲草凈的
鈣鈦礦量子點(diǎn)?分子印跡電致化學(xué)發(fā)光傳感器的制備方法及其應(yīng)用,特點(diǎn)是包括以下步驟:將預(yù)處理過的玻碳電極置于含有10.0 mg/mL的CsPbBr
3 QDs溶液中,在掃描速度為50 mV/s,電勢(shì)范圍0?1.6 V的條件下循環(huán)掃描20圈,電沉積得到CsPbBr
3?QDs/GCE后,置于含有鄰氨基酚和撲草凈的乙酸乙酯溶液中,循環(huán)掃描聚合25圈,得到MIP/CsPbBr
3?QDs/GCE聚合膜電極,將電極在由甲醇和乙酸按體積比7:3的比例混合而成的溶液中浸泡,即得到用于檢測(cè)撲草凈的鈣鈦礦量子點(diǎn)?分子印跡電致化學(xué)發(fā)光傳感器,優(yōu)點(diǎn)是特異性強(qiáng)、靈敏度和準(zhǔn)確性高。
聲明:
“用于檢測(cè)撲草凈的鈣鈦礦量子點(diǎn)-分子印跡電致化學(xué)發(fā)光傳感器的制備方法及其檢測(cè)應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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