本發(fā)明涉及一種基于S含量梯度變化的類硫硒化鎘納米帶的波長(zhǎng)選擇性光探測(cè)器及其構(gòu)建方法,屬于低維
半導(dǎo)體材料光電應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所設(shè)計(jì)的選擇性光探測(cè)器由n個(gè)電極和類硫硒化鎘納米帶構(gòu)成;所述n大于等于3;所述類硫硒化鎘納米帶的化學(xué)式為CdSxSe1?x;所述類硫硒化鎘納米帶上,S的含量呈梯度變化;所述x小于1。波長(zhǎng)選擇性光探測(cè)器構(gòu)建方法為將梯度納米帶分散到SiO2基底上, 經(jīng)過(guò)光刻,熱蒸發(fā)60/20nm?Cr/Au, 去膠后得到納米帶器件。本發(fā)明通過(guò)選擇單根納米帶不同位置的電極可以得到對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)范圍的光探測(cè)。該探測(cè)器可以應(yīng)用于納米級(jí)光電集成電路。
聲明:
“基于S含量梯度變化的類硫硒化鎘納米帶的波長(zhǎng)選擇性光探測(cè)器及其構(gòu)建方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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