本實用新型屬于一種半導(dǎo)體敏感元件。該探測器用金屬有機化合物化學(xué)汽相淀積 (mocvd)技術(shù),在n型襯底上生長一層與襯底晶格匹 配的P型
半導(dǎo)體材料為濾光層,然后在濾光層上再 生長一層激活層。這種探測器可廣泛用于測距、夜視 儀、紅外測量及科研中的高精度測量等方面。
聲明:
“紅外光電探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)