一種制造半導(dǎo)體裝置的方法,其具有一對準記號,該方法系包含形成一第一介電層,其中具有預(yù)先決定尺寸的一溝槽被蝕刻進入該介電層內(nèi)并且沉積一第一金屬層進入該溝槽內(nèi);形成一第二介電層在第一介電層之上方且在第一金屬層之上方;同時蝕刻多數(shù)線與一開口進入第二介電層內(nèi),至少一線被用來當作延伸至第一金屬層的一通孔;填充該等線與開口,控制該填充步驟以填滿該線與未填滿開口;進行電鍍金屬的化學機械研磨;以及沉積一非透明堆棧層在該金屬上藉以使該非透明堆棧層符合未填滿的開口表面,產(chǎn)生在非透明堆棧層上的對準記號以對準后續(xù)的層。
聲明:
“微影對準設(shè)計及CMP加工波紋表面覆蓋量測記號” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)