本發(fā)明涉及一種高電活性修飾電極的制備方法及其應(yīng)用。該制備方法步驟包括:首先在預(yù)先處理的玻碳電極上修飾有序介孔碳CMK?3薄膜,再修飾全氟化酞箐鈷分子層,得到高電活性修飾電極CoPcF16?CMK?3/GCE。本發(fā)明還涉及一種高電活性修飾電極在半胱氨酸檢測(cè)中的應(yīng)用。有益效果:通過該方法制備的修飾電極,呈現(xiàn)5對(duì)氧化還原峰,表現(xiàn)出優(yōu)異的
電化學(xué)活性,制備方法簡(jiǎn)單、牢固。本申請(qǐng)制備的高電化學(xué)活性電極不僅能催化巰基的氧化,還能催化其氧化產(chǎn)物的還原,并且對(duì)半胱氨酸和谷胱甘肽產(chǎn)生了電化學(xué)氧化還原差別,可用于在高濃度谷胱甘肽存在條件下選擇性識(shí)別半胱氨酸。此外,該方法實(shí)現(xiàn)了在較負(fù)電位范圍內(nèi)半胱氨酸檢測(cè),解決了傳統(tǒng)電氧化方法檢測(cè)半胱氨酸時(shí)存在多巴胺、抗壞血酸、尿酸等易氧化干擾物的影響問題。
聲明:
“高電活性修飾電極的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)