本發(fā)明納米晶石墨/硼摻雜金剛石
復(fù)合材料的制備和用途,屬于功能復(fù)合結(jié)構(gòu)及其制備和應(yīng)用的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的技術(shù)方案是采用CVD法一步生長(zhǎng)納米晶石墨/硼摻雜金剛石(NG/BDD)復(fù)合電極,并將其作為
電化學(xué)電極,檢測(cè)痕量分子。NG的形成是在較高溫度下,在B摻雜的作用下使金剛石(111)面表面發(fā)生重構(gòu)而成。本發(fā)明BDD的(111)面形成大量NG,增加導(dǎo)電性,提升對(duì)檢測(cè)物質(zhì)的吸附提高電化學(xué)電極的檢測(cè)靈敏度,可檢測(cè)多種痕量化學(xué)和生物分子。本發(fā)明電極制備工藝簡(jiǎn)單,便于大規(guī)模制備,并對(duì)金剛石傳感器在檢測(cè)低濃度和痕量化學(xué)和生物分子具有重要意義。
聲明:
“納米晶石墨/硼摻雜金剛石復(fù)合材料的制備和用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)