本發(fā)明公開了一種晶圓在晶舟上擺放方式的派工選擇系統(tǒng)及擺放方法,在化學氣相沉積工藝的其它條件一定的情況下,晶圓表面沉積薄膜的厚度與其對應(yīng)的光罩透光率呈線性負相關(guān),并結(jié)合反應(yīng)爐的通氣情況,先統(tǒng)計分析同一批次晶圓對應(yīng)的光罩透光率范圍,再針對每個晶圓,根據(jù)晶圓對應(yīng)的光罩透光率在光罩透光率范圍中的位置確定晶圓在晶舟上的擺放位置:對于光罩透光率高的晶圓,選擇晶圓從晶舟下端開始擺放的子方式;對于光罩透光率低的晶圓,選擇晶圓從晶舟上端開始擺放的子方式。如此,能最大限度度地對化學氣相沉積工藝中同一批次晶圓的表面沉積薄膜的厚度進行補償調(diào)節(jié),使得化學氣相沉積工藝中同一批次的多個晶圓的表面沉積薄膜的厚度一致。
聲明:
“晶圓擺放方式的派工選擇系統(tǒng)及晶圓的擺放方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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