本發(fā)明具有等離子體共振散射響應(yīng)的納米孔
芯片的制備方法,其步驟包括:⑴芯片基材的選擇,選擇硅片為基材,在硅片正面沉積絕緣材料,反面沒有絕緣材料;⑵利用濕法刻蝕法在硅片反面刻蝕正方形區(qū)域,直到納米孔芯片薄膜在這一面裸露;⑶納米孔刻蝕,利用聚焦離子束或聚焦電子束轟擊納米孔芯片薄膜,在納米孔芯片薄膜上形成納米小孔;⑷貴金屬修飾,利用磁控濺射儀使納米孔芯片薄膜表面鍍上一層貴金屬層。本發(fā)明的制備方法步驟簡單,尺寸可控,成本較低;通過在納米孔上的貴金屬修飾,制備了一種同時具有光電響應(yīng)納米孔芯片,該納米孔芯片能發(fā)生等離子體共振耦合現(xiàn)象,從而對光譜信號產(chǎn)生放大作用,可用于納米孔
電化學(xué)檢測的較多領(lǐng)域。
聲明:
“具有等離子體共振散射響應(yīng)的納米孔芯片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)