本發(fā)明公開(kāi)了生長(zhǎng)在Si襯底上的AlGaN薄膜,其包括Si襯底和在Si襯底上外延生長(zhǎng)的AlGaN薄膜;所述Si襯底的晶體取向?yàn)?11面偏100方向0.5-1°;經(jīng)過(guò)采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)AlGaN薄膜、采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長(zhǎng)Al原子層、對(duì)Al原子層進(jìn)行氮化處理、襯底以及其晶向的選取等步驟制備而成。所述AlGaN薄膜應(yīng)用于光電探測(cè)器或LED器件中。本發(fā)明解決Si襯底上GaN薄膜的裂紋問(wèn)題的同時(shí)提高AlGaN薄膜的質(zhì)量、純度和界面性能,并降低工藝成本。
聲明:
“生長(zhǎng)在Si襯底上的AlGaN薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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