采集以與通過基于化學(xué)氣相沉積法的析出進行生長而得到的
多晶硅棒的長軸方向垂直的截面作為主面的板狀試樣,對采集的全部板狀試樣的面內(nèi)的全部方向進行X射線衍射測定,選擇、、及中任意一個的密勒指數(shù)均未觀察到具有偏離于平均值±2標(biāo)準偏差(μ±2σ)的衍射強度的X射線衍射峰的多晶硅棒作為無取向性的多晶硅棒,將其作為單晶硅制造用原料使用。使用這樣的多晶硅原料時,能夠抑制在局部發(fā)生部分熔融殘留,有助于單晶硅的穩(wěn)定的制造。
聲明:
“多晶硅棒的選擇方法及單晶硅的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)