該發(fā)明以鄰苯二胺為功能單體、鹽酸克倫特羅(CLB)為模板、體積配比為1:2的乙腈與去離子水的混合液為洗脫劑,在以玻碳電極為工作電極、鉑絲電極為對(duì)電極,飽和Ag/AgCl電極為參比電極的三電極系統(tǒng)中,采用循環(huán)伏安(CV)法掃描20圈。該模板分子經(jīng)過(guò)洗脫后,使玻碳電極表面形成了CLB分子印跡的聚合物修飾膜,即CLB分子印跡
電化學(xué)傳感器。以該傳感器為工作電極對(duì)CLB實(shí)施了電化學(xué)測(cè)定。結(jié)果表明,在5mol·L
?1 K
3[Fe(CN)
6]溶液中,該傳感器的DPV峰電流與CLB濃度在2.02×10
?8~2.19×10
?6 mol·L
?1范圍內(nèi)有良好的線性關(guān)系。通過(guò)對(duì)三種與CLB結(jié)構(gòu)類似的干擾物選擇性實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明該傳感器的選擇性能良好。
聲明:
“鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)