一種擴(kuò)散后不良片的單獨(dú)返工方法,步驟包括:將返工片經(jīng)純水清洗、堿槽清洗、純水清洗、混酸槽清洗、純水清洗、硅片表面的水烘干,流入擴(kuò)散工序重新擴(kuò)散,然后清洗去PSGPECVD鍍膜,絲網(wǎng)印刷及高溫爐燒結(jié),最后分選測試即可。本發(fā)明不需要重新制絨,能保證小絨面,有效解決亮花紋片的出現(xiàn),確保成品
電池片的外觀及效率;此專利本質(zhì)上是對不良片的一個(gè)分類處理,之前所有的返工片都會制絨,為保證硅片上的臟污清洗掉,高方阻不良片不存在外觀污染的問題,所以不需要制絨,且有效降低化學(xué)品用量。
聲明:
“擴(kuò)散后不良片的單獨(dú)返工方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)