本發(fā)明公開(kāi)了一種針對(duì)各向異性晶片的劃切方法,包括以下步驟:固定晶片、確定晶片劃切方向的優(yōu)先順序、設(shè)置劃切參數(shù)、設(shè)定劃切路徑、將切割完成的粒子在顯微鏡下進(jìn)行觀察,對(duì)正面背面崩邊進(jìn)行測(cè)量。本發(fā)明采用上述一種針對(duì)各向異性晶片的劃切方法,基于物理劃切原理,從加工源頭避免化學(xué)污染,從加工方式降低劃切復(fù)雜性,提供高效精密加工方法來(lái)實(shí)現(xiàn)功能晶體的劃切,針對(duì)單一或復(fù)雜晶向的晶片產(chǎn)品實(shí)施有效劃切,具有通用性、實(shí)用性,為工業(yè)生產(chǎn)提供參考依據(jù)。
聲明:
“針對(duì)各向異性晶片的劃切方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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