本發(fā)明提供一種處理化學(xué)機(jī)械拋光CMP墊調(diào)節(jié)器的方法,其包含:提供包含調(diào)節(jié)器襯底和漿料的所述CMP墊調(diào)節(jié)器,所述調(diào)節(jié)器襯底是具有接合到所述調(diào)節(jié)器襯底的頂面且維氏硬度大于3,000Kg/mm
2的多個(gè)硬調(diào)節(jié)器粒子的金屬、陶瓷或金屬?陶瓷材料,所述漿料包含含水介質(zhì)和多個(gè)具有大于3,000Kg/mm
2的硬度的硬漿料粒子。在CMP設(shè)備中使用拋光墊拋光所述墊調(diào)節(jié)器的表面。在所述拋光之后,每一調(diào)節(jié)器粒子具有至少一個(gè)暴露刻面,且所述多個(gè)硬調(diào)節(jié)器粒子具有20微米的最大平均突起部到突起部平坦度PPF差和通過(guò)切割邊緣半徑CER的值測(cè)量的最銳利邊緣,所述最銳利邊緣對(duì)于至少80%的所述刻面處于所述刻面的邊緣處。
聲明:
“CMP拋光墊調(diào)節(jié)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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