本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體多孔晶體薄膜傳感器及制備方法,包括襯底和設(shè)置在襯底上的致密多孔晶體薄膜,所述致密多孔晶體薄膜是由尖錐狀凸起交聯(lián)組成的多孔網(wǎng)格結(jié)構(gòu),所述尖錐狀凸起的側(cè)壁之間構(gòu)成倒尖錐形狀的倒尖錐孔。本申請的致密多孔晶體薄膜是一次性生長而成,具有制備工藝簡單、比表面積大、且表面活性高等優(yōu)勢;致密多孔晶體薄膜,是由倒尖錐狀的孔構(gòu)成,有利于待測樣品進出小孔、并具有大的比表面積;其孔壁為尖錐狀結(jié)構(gòu),更為結(jié)實穩(wěn)定;選用的氮化物
半導(dǎo)體材料屬于第三代半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性,如耐酸堿腐蝕,更適用于高可靠性的半導(dǎo)體傳感器。
聲明:
“半導(dǎo)體多孔晶體薄膜傳感器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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