描述了一種通過施加具有高強(qiáng)度和可變頻率的非對稱反向極性脈沖來中斷濃差極化相關(guān)現(xiàn)象和用于電膜工藝的自清潔的方法和設(shè)備的電路。該設(shè)備是雙極開關(guān),基于使用諸如MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體半場效應(yīng)晶體管)或IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的固態(tài)電子元件來以一個(gè)范圍的頻率、強(qiáng)度和脈沖寬度進(jìn)行極性反轉(zhuǎn),以防止或減少在膜表面上形成沉淀物。還提供了反轉(zhuǎn)方案,其中頻率根據(jù)膜上污垢的出現(xiàn)而變化,該頻率通過在電膜工藝中膜單元的電壓或電阻的降低來測量。當(dāng)需要清潔系統(tǒng)時(shí),可以單獨(dú)施加高頻,也可以與其他物理化學(xué)原位清潔程序(CIP,就地清潔)一起施加。各種固態(tài)電子元件可以并聯(lián)連接。所述多個(gè)元件允許施加更高的功率。該設(shè)備和配置使用第二電源來提供經(jīng)調(diào)制且穩(wěn)定的高強(qiáng)度脈沖??梢酝ㄟ^更換適合極性反轉(zhuǎn)的電極且添加所描述的第二電源和雙極開關(guān)很容易更新電膜工藝。
聲明:
“用于電膜工藝中非對稱極性反轉(zhuǎn)的方法和設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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