本發(fā)明提供了一種具有較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法、以及利用該方法制備的MOS器件;本發(fā)明利用富硅二氧化硅其具有抵抗等離子體損傷的特點(diǎn),將傳統(tǒng)高密度等離子體化學(xué)氣相沉積中的富含氧的二氧化硅保護(hù)層替換成富含硅的二氧化硅保護(hù)層,從而減小了在HDP制程沉積過程中所帶來的等離子體損傷,通過最終的電學(xué)性能測(cè)試可以看出,利用富含硅的二氧化硅保護(hù)層可以起到更好的抵抗等離子體損傷的能力。
聲明:
“較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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