一種半導(dǎo)體器件的形成方法,包括:提供半導(dǎo)體襯底,襯底包括PMOS晶體管區(qū)域;在襯底的PMOS晶體管區(qū)域上形成柵極、硬掩模;在柵極、以及硬掩模的表面形成第一側(cè)墻材料層,柵極表面的第一側(cè)墻材料層厚度大于硬掩模表面的第一側(cè)墻材料層;去除硬掩模表面的第一側(cè)墻材料層、以及柵極側(cè)壁上部分厚度的第一側(cè)墻材料層,殘留的第一側(cè)墻材料層構(gòu)成第一側(cè)墻;進(jìn)行濕式化學(xué)清洗;在硬掩模和第一側(cè)墻的周圍形成第二側(cè)墻;在PMOS晶體管區(qū)域中對應(yīng)源漏極的位置形成凹槽、以及位于凹槽內(nèi)的鍺硅層;至少去除部分厚度的硬掩模。本發(fā)明的技術(shù)方案解決了利用現(xiàn)有方法形成的半導(dǎo)體器件的電性能合格測試的結(jié)果不滿足要求的問題。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)