本發(fā)明提供了無損檢測單晶體或定向結晶體內部晶體取向差異和晶界缺陷的方法及裝置,方法步驟包括:采用透射的短波長特征X射線衍射,無損測定樣品內部某一方向(h1k1l1)晶面的晶體取向角(?1,κ1),并判定該樣品晶面取向角是否超差;在該晶面的(?1,κ1)方向上,平移樣品掃描測量被測樣品各部位的(h1k1l1)晶面衍射強度及其分布,根據(jù)測量結果判定被測樣品內部是否存在晶界缺陷、亞晶界缺陷。裝置包括樣品臺、X射線照射系統(tǒng)和X射線探測系統(tǒng)及用于改變入射X射線束與樣品夾角的轉動機構等。采用本發(fā)明,解決了不能快速準確地無損測定單晶體和定向結晶體內部晶體取向差異、亞晶界、晶界等晶體缺陷的難題。
聲明:
“無損檢測單晶體或定向結晶體內部晶體取向差異和晶界缺陷的方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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