本發(fā)明公開了一種非接觸無損傷的測(cè)量外延SOI外延層電阻率的方法,該方法針對(duì)外延SOI外延層進(jìn)行電阻率的測(cè)量,為了達(dá)到測(cè)量精準(zhǔn)的效果,首先對(duì)外延SOI表面進(jìn)行特定的預(yù)處理,使表面的缺陷及電學(xué)參數(shù)達(dá)到所需要求。再施加特定電壓,根據(jù)C-V曲線算出電阻率。最終結(jié)果誤差小于0.1%。本發(fā)明為非接觸式測(cè)量,具有非破壞性、無損傷性、可重復(fù)利用等優(yōu)點(diǎn)。在實(shí)際生產(chǎn)中,被測(cè)外延SOI仍然可以使用。大大的提高了產(chǎn)品良率,節(jié)約了成本。
聲明:
“非接觸無損傷的測(cè)量外延SOI外延層電阻率的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)