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碳化硅晶體導(dǎo)電類型的無損判定方法

710   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:58:00
本發(fā)明涉及一種碳化硅晶體導(dǎo)電類型的無損判定方法,使用紫外?可見?近紅外分光光度計,對待測的SiC樣品進(jìn)行光譜透過率測量,探測光的入射方向?yàn)檠豐iC晶片的c軸方向,測量指標(biāo)為吸光度,根據(jù)公式α={A﹢2log10(1?R)}/(d/ln10)(1)計算得到碳化硅樣品的吸收系數(shù)隨波長變化關(guān)系的吸收系數(shù)曲線,從曲線中獲得紫外吸收邊位置Eg;根據(jù)半絕緣類型的紫外吸收邊位置判定標(biāo)志與吸收邊位置Eg進(jìn)行比較,獲得半絕緣晶片導(dǎo)電類型,有益效果是采用基于光譜分析法,對高純半絕緣碳化硅晶片的導(dǎo)電類型進(jìn)行檢測和篩分的方法,對待測樣品無損傷,檢測過程易于自動化和程序控制,可對出廠產(chǎn)品進(jìn)行全面檢驗(yàn),也可應(yīng)用于目前市場存在的2、3、4、6英寸完整晶圓產(chǎn)品檢驗(yàn)。
聲明:
“碳化硅晶體導(dǎo)電類型的無損判定方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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