本發(fā)明公開了一種大尺寸硅單晶片表面有機物沾污的紅外鏡反射檢測方法。本發(fā)明使用傅立葉變換紅外光譜儀對300mm大尺寸硅單晶片進行表面檢測,將經(jīng)堿性拋光液處理后的300mm大尺寸硅單晶片作為樣品放入鏡反射附件樣品臺,對樣品進行紅外掃描,得到鏡反射紅外光譜圖,與表面潔凈的硅單晶片紅外反射圖譜進行對比,根據(jù)圖譜峰出現(xiàn)的位置,在波數(shù)為3400cm-1-2800cm-1和1700cm-1-1460cm-1位置處出現(xiàn)強吸收,表明硅單晶片表面含有拋光液殘留。本發(fā)明方法在整個檢測過程中不需要對樣品進行任何處理,對樣品不會造成任何損壞,是一種先進的無損檢測方法。
聲明:
“大尺寸硅單晶片表面有機物沾污的紅外鏡反射檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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