本發(fā)明公開(kāi)了一種中子衍射殘余應(yīng)力測(cè)定裝置與方法,該裝置使用反應(yīng)堆中子源,經(jīng)過(guò)單色器單色化后,得到所需的某一波長(zhǎng)的單色中子束流,并利用該中子束流進(jìn)行殘余應(yīng)力的測(cè)定。由于中子不帶電荷,和物質(zhì)相互作用時(shí)與核外電子幾乎沒(méi)有作用,不需克服電荷庫(kù)侖力障礙,因而能量較低的中子也能進(jìn)入到原子內(nèi);大多數(shù)材料對(duì)中子吸收也很低,所以入射中子束的穿透深度較深。同時(shí)通過(guò)準(zhǔn)直器和狹縫準(zhǔn)直、限定的中子束流還具有很高的空間分辨率,通過(guò)三個(gè)方向互相垂直的平移與繞測(cè)試中心點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)被測(cè)試件的三維、無(wú)損和深度的應(yīng)力測(cè)試工作,克服了X射線(xiàn)和同步輻射殘余應(yīng)力測(cè)定裝置只能無(wú)損測(cè)定晶體材料表面及近表面殘余應(yīng)力的不足。
聲明:
“中子衍射殘余應(yīng)力測(cè)定裝置與方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)