本發(fā)明公開了一種6H-SiC材料應(yīng)力沿表面法線分布信息的測量方法。其技術(shù)步驟是:將6H-SiC材料水平放置于x射線衍射儀的載物臺;依次對6H-SiC材料中的(0002)晶面和()晶面進行對光;以不小于50nm的步長減小x射線透射深度,并在各透射深度下獲取()晶面的布拉格角;將測得的一組布拉格角代入布拉格方程,得到一組()晶面的面間距;根據(jù)這一組面間距計算6H-SiC材料應(yīng)力沿材料表面法線分布的信息。本發(fā)明具有測試成本低,且對被測材料無損傷的優(yōu)點,可用于精確分析應(yīng)力影響材料結(jié)晶質(zhì)量的機理,提高材料結(jié)晶質(zhì)量。
聲明:
“6H-SiC材料應(yīng)力沿表面法線分布信息的測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)