本發(fā)明公開了一種基于表面態(tài)吸收原理的垂直耦合透明光電探測器,所述垂直耦合透明光電探測器包括:探測器和信號讀出電路;所述探測器由光敏面、氧化層、金電極、及襯底組成,光敏面由
半導體材料制成,待測光源為能量低于半導體禁帶寬度的光源;待測光源入射到光敏面上時,通過邊界態(tài)吸收造成光敏區(qū)導納的變化;信號讀出電路以器件導納作為讀出信號,待測光幾乎無損耗地穿過所述探測器,從而實現(xiàn)對待測光的非侵入式探測。本發(fā)明拓寬了光電探測器的應用場景。
聲明:
“基于表面態(tài)吸收原理的垂直耦合透明光電探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)