本發(fā)明提供一種采動影響下根系形態(tài)觀測裝置及方法,裝置包括:玻璃罩,其上設(shè)置有多個孔洞;控制臺,所述玻璃罩罩設(shè)在所述控制臺上;多個升降臺,其均位于所述玻璃罩內(nèi)且緊密排列在所述控制臺上;所述升降臺上為待觀測的土壤及植被;微根管,設(shè)置在所述孔洞上;以及X射線層析成像系統(tǒng),其位于所述控制臺附近。本發(fā)明可以模擬和觀測開采影響下植物根系的生長變化情況和植被受采動影響后的自修復(fù)情況。本發(fā)明在模擬地表采動變化時較為靈活,可根據(jù)需要模擬出不同開采影響程度下植被根系的影響特征和植被的自修復(fù)狀況,可實現(xiàn)根系的原位、無損、定量觀測。
聲明:
“采動影響下根系形態(tài)觀測裝置及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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