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基于MOSFET測量結(jié)溫的方法及其裝置

1036   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:58:38
本發(fā)明公開了一種基于MOSFET測量結(jié)溫的方法及其裝置,用于測量器件在規(guī)定環(huán)境溫度下和規(guī)定工作條件下的結(jié)溫,所述器件包括一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端和一第二輸出端,方法包括如下步驟:獲取初始電壓;獲取規(guī)定工作條件下第一輸出端對第二輸出端上消耗的功率;對第二輸出端和第一輸出端施加與上步相等的功率;獲取終測電壓;計(jì)算器件在所述規(guī)定環(huán)境溫度下和所述規(guī)定工作條件下的結(jié)溫。本發(fā)明的技術(shù)方案屬于無損傷結(jié)溫測試,可以有效的避免器件自身時(shí)間延時(shí)對測試準(zhǔn)確度的影響,可測量器件任意工作環(huán)境下真實(shí)結(jié)溫,實(shí)施方法簡單、易行、適合工程應(yīng)用并且對測試設(shè)備依賴程度較低。
聲明:
“基于MOSFET測量結(jié)溫的方法及其裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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