本發(fā)明公開(kāi)了一種基于FinFET制造工藝的硅納米線細(xì)胞傳感器。該細(xì)胞傳感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的納米線結(jié)構(gòu),包括:在SO1襯底上的通過(guò)FinFET制造工藝形成的Si納米線、通過(guò)光刻、磁控濺射和剝離工藝制備的金電極;在該細(xì)胞傳感器的表面具有通過(guò)原子層沉積法形成的高k柵介質(zhì)層。本發(fā)明的細(xì)胞傳感器能夠?qū)铙w細(xì)胞進(jìn)行快速、準(zhǔn)確、無(wú)損和高靈敏度的檢測(cè),而且該細(xì)胞傳感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循環(huán)利用的等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“基于FinFET制造工藝的硅納米線細(xì)胞傳感器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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